【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及硅片加工，尤其涉及用于对硅片进行打标的方法和设备。
技术介绍
1、硅单晶由于具有良好的电子迁移率和导热性以及可控的掺杂特性，而成为制造集成电路的基础材料。为了能够提高集成电路的制造效率，降低成本以及确保产品质量，对硅片边缘区域的处理的要求也越来越高。
2、硅片通常会在背面被刻上特定的信息，即被打印标记，以便于后端客户跟踪、控制和验证硅片的来源和质量。所打印的标记要求必须清晰可读且足够持久，并且打标过程不应对硅片的完整性或性能产生负面影响，特别是在电路活性区域附近。为了降低打标对硅片的负面影响，硅片的打标位置通常设定在硅片的背面靠近边缘的区域中，并且目前最普遍采用的方式是激光打标。
3、尽管激光打标是非接触式过程，意味着不会对硅片造成物理压力或损伤，但是，一旦激光的能量过高或作用时间过长，则会在打标区域产生过热。打标产生的过热以及打标引起的氧化反应等会导致打标区域及其周边区域形貌恶化，影响了硅片的整体平坦度。
4、鉴于上述情况，本领域亟需对打标方法进行改进，以降低打标操作对硅片质量的影响
【技术保护点】
1.一种用于对硅片进行打标的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过对铺设的所述刻蚀材料加热而产生的刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度包括：
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述在具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部处铺设刻蚀材料包括：>
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种用于对硅片进行打标的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过对铺设的所述刻蚀材料加热而产生的刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度包括：
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述在具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部处铺设刻蚀材料包括：
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述标识凹部包...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾磊，王明，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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