【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及硅片加工，尤其涉及用于对硅片进行打标的方法和设备。
技术介绍
1、硅单晶由于具有良好的电子迁移率和导热性以及可控的掺杂特性，而成为制造集成电路的基础材料。为了能够提高集成电路的制造效率，降低成本以及确保产品质量，对硅片边缘区域的处理的要求也越来越高。
2、硅片通常会在背面被刻上特定的信息，即被打印标记，以便于后端客户跟踪、控制和验证硅片的来源和质量。所打印的标记要求必须清晰可读且足够持久，并且打标过程不应对硅片的完整性或性能产生负面影响，特别是在电路活性区域附近。为了降低打标对硅片的负面影响，硅片的打标位置通常设定在硅片的背面靠近边缘的区域中，并且目前最普遍采用的方式是激光打标。
3、尽管激光打标是非接触式过程，意味着不会对硅片造成物理压力或损伤，但是，一旦激光的能量过高或作用时间过长，则会在打标区域产生过热。打标产生的过热以及打标引起的氧化反应等会导致打标区域及其周边区域形貌恶化，影响了硅片的整体平坦度。
4、鉴于上述情况，本领域亟需对打标方法进行改进，以降低打标操作对硅片质量的影响。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供用于对硅片进行打标的方法和设备。该方法和该设备采用激光与化学刻蚀结合的方式实现对硅片的打标，使得相比于仅使用激光的方式，能够在保证所打印标记的质量的同时，降低打标操作对硅片的损伤，提高硅片、特别是硅片边缘区域的利用率。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，
4、通过激光在硅片上形成用于具有第一宽度和第一深度的标识凹部；
5、对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度。
6、在一些可选的示例中，所述对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度包括：
7、在具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部处铺设刻蚀材料；
8、通过对铺设的所述刻蚀材料加热而产生的刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度。
9、在一些可选的示例中，所述通过对铺设的所述刻蚀材料加热而产生的刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度包括：
10、通过利用激光加热铺设的所述刻蚀材料而产生的所述刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度。
11、在一些可选的示例中，所述在具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部处铺设刻蚀材料包括：
12、通过向具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部喷淋所述刻蚀材料，以使所述刻蚀材料填充具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部。
13、在一些可选的示例中，所述方法还包括：对具有刻蚀后的所述标识凹部的所述硅片进行清洗。
14、在一些可选的示例中，所述标识凹部包括标识码孔和标识码槽。
15、第二方面，本公开实施例提供了一种用于对硅片进行打标的设备，所述设备用于执行根据第一方面的方法，所述设备包括：
16、第一激光发生装置，所述第一激光发生装置用于通过激光在硅片上形成标识凹部，其中，所述标识凹部具有第一宽度和第一深度；
17、刻蚀装置，所述刻蚀装置用于对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度。
18、在一些可选的示例中，所述刻蚀装置包括：
19、铺设模块，所述铺设模块用于在具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部处铺设刻蚀材料；
20、加热模块，所述加热模块用于对铺设的所述刻蚀材料加热，以产生刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，从而使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度。
21、在一些可选的示例中，所述加热模块包括第二激光发生装置，所述第二激光发生装置用于通过激光对铺设的所述刻蚀材料加热，以产生的刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，从而使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度。
22、在一些可选的示例中，所述铺设模块包括喷淋器，所述喷淋器设置成用于向具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部喷淋所述刻蚀材料，以使所述刻蚀材料填充具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部。
23、本公开实施例提供了用于对硅片进行打标的方法和设备。该方法将打标操作分为了两个阶段，即激光打标阶段和刻蚀阶段。在激光打标阶段，可以利用能量较低的激光束在硅片上的指定区域处进行初步打标，以形成具有小于目标宽度和目标深度的宽度和深度的标识凹部。在刻蚀阶段，对初步打标形成的标识凹部进行刻蚀，以使标识凹部的宽度和深度扩大至目标宽度和目标深度。相比于常规的激光打标方法，该方法通过结合低能量激光打标与刻蚀实现了对硅片的打标。该方法由于避免了使用高能量激光束，因而也避免了高能量激光束对硅片造成的热损伤和应力损伤，以更可靠的打标方案实现了对硅片打标过程的精确控制。相比于常规的激光打标方法，改善了打标后的硅片的形貌，特别是改善了打标后的硅片的表面平坦度。
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1.一种用于对硅片进行打标的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过对铺设的所述刻蚀材料加热而产生的刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度包括：
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述在具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部处铺设刻蚀材料包括：
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述标识凹部包括标识码孔和标识码槽。
7.一种用于对硅片进行打标的设备，其特征在于，所述设备用于执行根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，所述设备包括：
8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述刻蚀装置包括：
9.根据权利要求
10.根据权利要求8或9所述的设备，其特征在于，所述铺设模块包括喷淋器，所述喷淋器设置成用于向具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部喷淋所述刻蚀材料，以使所述刻蚀材料填充具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部。
...【技术特征摘要】
1.一种用于对硅片进行打标的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过对铺设的所述刻蚀材料加热而产生的刻蚀性气体对所述标识凹部进行刻蚀，以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至所述第二宽度和所述第二深度包括：
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述在具有所述第一宽度和所述第一深度的所述标识凹部处铺设刻蚀材料包括：
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述标识凹部包...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾磊，王明，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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