【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及精密设备，特别涉及一种纳米载物台和晶圆缺陷检测设备。
技术介绍
1、晶圆缺陷检测设备是晶圆芯片生产工艺过程中必不可少的关键设备之一。只要晶圆的材料出现缺陷或者晶圆芯片的生产工艺过程中引入一点杂质，都会影响到使用晶圆的元件的性能，从而影响产品的良率。目前晶圆制造工艺已达到3纳米水平，晶圆直径达到16寸，要求半导体晶圆缺陷检测设备具有极高的精度和较快的速度。
2、在现有技术下，晶圆检测设备的纳米载物台采用串联式xy轴传动机构和压电陶瓷配合使用，利用压电陶瓷直接驱动串联式xy轴传动机构直线移动，进而实现纳米载物台直线移动。鉴于串联式xy轴传动机构及其驱动装置在使用过程中会跟随晶圆一起运动，因此串联式xy轴传动机构的移动行程大于晶圆直径，导致晶圆检测设备结构复杂，体积较大。同时为了提升纳米载物台的负载重量，则需要提高压电陶瓷的输出力。但受限于压电陶瓷的制造工艺，压电陶瓷无法在保持纳米移动精度的同时继续提升输出力，因此无法适配对12寸及以上尺寸的晶圆检测的晶圆检测设备应用。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种纳米载物台，其特征在于，所述纳米载物台包括：
2.如权利要求1所述的纳米载物台，其特征在于，每一所述压电陶瓷包括：
3.如权利要求2所述的纳米载物台，其特征在于，所述弯曲位移层包括多个第一压电陶瓷片和多个第一电极，多个所述第一压电陶瓷片呈堆叠设置，且相邻的两个所述第一压电陶瓷片之间安装至少一个所述第一电极，多个所述第一电极均电连接；
4.如权利要求3所述的纳米载物台，其特征在于，相邻的两个所述第一压电陶瓷片之间安装两个所述第一电极，所述第一电极与1/4所述第一压电陶瓷片重合；且两个所述第一电极在所述第一压电陶瓷片呈左右错位排...
【技术特征摘要】
1.一种纳米载物台，其特征在于，所述纳米载物台包括：
2.如权利要求1所述的纳米载物台，其特征在于，每一所述压电陶瓷包括：
3.如权利要求2所述的纳米载物台，其特征在于，所述弯曲位移层包括多个第一压电陶瓷片和多个第一电极，多个所述第一压电陶瓷片呈堆叠设置，且相邻的两个所述第一压电陶瓷片之间安装至少一个所述第一电极，多个所述第一电极均电连接；
4.如权利要求3所述的纳米载物台，其特征在于，相邻的两个所述第一压电陶瓷片之间安装两个所述第一电极，所述第一电极与1/4所述第一压电陶瓷片重合；且两个所述第一电极在所述第一压电陶瓷片呈左右错位排布；每一所述第二电极与一所述第二压电陶瓷片重合。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈云龙，毕海，刘世昌，夏怀亮，黄泽铨，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。