一种栅控的纵向JTE终端结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种栅控的纵向JTE终端结构及其制备方法，结构包括：N+衬底层；设置于N+衬底层上的N‑外延层设置于N‑外延层上的P+外延层；设置在N‑外延层的侧面、P+外延层的侧面和P+外延层的上表面的第一介质层；设置于沟槽内的阳极；侧壁金属栅电极，设置于位于N‑外延层两侧的第一介质层的侧壁上的侧壁金属栅电极；设置于阳极之上的顶电极；设置于第一介质层之上且位于侧壁金属栅电极和顶电极之间的第一绝缘介质层。本发明专利技术形成了纵向的JTE终端结构，通过控制栅压，形成浓度可控的JTE区域，借助栅压调制可以减少工艺对JTE区域电荷的影响，提升器件耐压，并且可有效提升芯片面积的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子，具体涉及一种栅控的纵向jte终端结构及其制备方法。

技术介绍

1、在电力电子行业整体向好的大环境下，在电力电子中起决定性作用的功率半导体器件成为影响电力电子设备成本和效率的直接因素。虽然现阶段硅基功率器件已经十分成熟，但随着功率半导体逐渐往大功率、高频率和低功耗的方向发展，硅(silicon，si)基器件由其本身的物理特征限制，开始难以适用于一些高压、高温、高效率以及高功率密度的应用场景。

2、碳化硅(siliconcarbide，sic)材料因其优越的物理特性，开始广泛得到从业人员的关注，与硅基器件相比，碳化硅材料高热导率、大禁带宽度等特征决定了碳化硅器件在高电流密度、高击穿场强和高工作温度场景的广泛应用前景。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有能源的转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要领域有智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、通讯电源等。

3、功率器件的耐压受限于pn结弯曲处电场集中的影响，需要通过设计合适的终端结构来改善。

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【技术保护点】

1.一种栅控的纵向JTE终端结构，其特征在于，所述纵向JTE终端结构包括：

2.根据权利要求1所述的纵向JTE终端结构，其特征在于，所述N+衬底层包括第一N+衬底子层和第二N+衬底子层，所述第二N+衬底子层设置于部分所述第一N+衬底子层之上，所述N-外延层设置于所述第二N+衬底子层之上，其中，所述第一N+衬底子层的截面形状为方形，所述第二N+衬底子层的截面形状为梯形，所述第二N+衬底子层上表面的长度等于所述N-外延层下表面的长度。

3.根据权利要求1所述的纵向JTE终端结构，其特征在于，还包括两部分第二介质层，所述两部分第二介质层分别设置在位于所述N-外延层两侧的...

【技术特征摘要】

1.一种栅控的纵向jte终端结构，其特征在于，所述纵向jte终端结构包括：

2.根据权利要求1所述的纵向jte终端结构，其特征在于，所述n+衬底层包括第一n+衬底子层和第二n+衬底子层，所述第二n+衬底子层设置于部分所述第一n+衬底子层之上，所述n-外延层设置于所述第二n+衬底子层之上，其中，所述第一n+衬底子层的截面形状为方形，所述第二n+衬底子层的截面形状为梯形，所述第二n+衬底子层上表面的长度等于所述n-外延层下表面的长度。

3.根据权利要求1所述的纵向jte终端结构，其特征在于，还包括两部分第二介质层，所述两部分第二介质层分别设置在位于所述n-外延层两侧的第一介质层的侧面。

4.根据权利要求3所述的纵向jte终端结构，其特征在于，所述第二介质层的上表面不超过所述n-外延层的上表面。

5.根据权利要求1所述的纵向jte终端结构，其特征在于，所述n+衬底层的掺杂浓度大于所述n-外延层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶利，韩超，万瑾锡，刘恒，邹芳，吴勇，
申请(专利权)人：西电芜湖研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：