双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件及其制备方法。其中，双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件包括：N+衬底、N‑基区、钝化层、P+区、N+区、阳极以及阴极；N‑基区位于N+衬底的上表面；P+区和N+区分别设置于N‑基区的左右两侧，且与N‑基区的左右两侧面接触；N‑基区、P+区以及N+区的外表面均覆盖有钝化层；阳极设置于P+区上表面，阴极设置于N+区上表面；N‑基区的上表面以及前、后面均形成内凹的正角结构；其中，在正角结构中，N‑基区的上表面、以及前、后面与P+区和N+区接触形成的角度均为锐角。通过上述结构设置，提高了器件工作过程中的稳定性以及可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于脉冲功率器件，具体涉及一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅das器件及其制备方法。

技术介绍

1、二极管雪崩整流器(diode avalanche shaper，简称das)作为一种半导体短路开关二极管，具有高效率、高可靠性、连续工作时间长和体积小等特点，通常作为关键器件应用于超宽带(ultra wide band，简称uwb)脉冲信号源。

2、由于硅材料的理论极限，硅基das已无法满足当前几千伏甚至是几十千伏的脉冲系统的要求。而碳化硅材料因其具有比硅材料更高的禁带宽度、饱和漂移速度、热导率、临界击穿电场和抗辐照能力，使得碳化硅基das器件的性能优于硅基das。在同等电压等级要求的脉冲系统中，碳化硅基das的串联数量远小于硅基das，极大地节省了系统的体积；同时漂移区厚度的降低和饱和漂移速度的提升还能够降低器件的电压上升时间，使得碳化硅基das可以工作在高频和高速条件下。

3、然而，由于局部电场集中使得碳化硅基das器件常常在投入工作前已经失效，难以充分发挥碳化硅材料的优势，限制了das器件的性能。>

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【技术保护点】

1.一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件，其特征在于，包括：N+衬底、N-基区、钝化层、P+区、N+区、阳极以及阴极；

2.根据权利要求1所述的一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件，其特征在于，所述P+区和所述N+区的高度相等，且大于所述N-基区左右两侧面的高度。

3.根据权利要求1所述的一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件，其特征在于，所述N-基区为N型SiC材料，掺杂浓度为1×1014cm-3～1×1017cm-3，掺杂离子为氮离子。

4.根据权利要求1所述的一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件，其特征在于，所述P+区为P型SiC材...

【技术特征摘要】

1.一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅das器件，其特征在于，包括：n+衬底、n-基区、钝化层、p+区、n+区、阳极以及阴极；

2.根据权利要求1所述的一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅das器件，其特征在于，所述p+区和所述n+区的高度相等，且大于所述n-基区左右两侧面的高度。

3.根据权利要求1所述的一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅das器件，其特征在于，所述n-基区为n型sic材料，掺杂浓度为1×1014cm-3～1×1017cm-3，掺杂离子为氮离子。

4.根据权利要求1所述的一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅das器件，其特征在于，所述p+区为p型sic材料，掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1020cm-3，掺杂离子为铝离子。

5.根据权利要求1所述的一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅das器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶利，韩超，潘恩赐，邹芳，刘恒，吴勇，
申请(专利权)人：西电芜湖研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：