一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及液晶显示器技术领域，具体地涉及一种高分辨率的TFT‑LCD阵列基板及其制作方法，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成栅极；有源层，位于栅极的正上方；透明导电层，固定设置在第一绝缘层的上表面，还位于栅极的斜侧方；第二金属层，形成源极和漏极；画素电极，固定设置在第二绝缘层的上表面，还位于透明导电层的正上方；公共电极，固定设置在第三绝缘层的上表面，还位于画素电极的正上方。本发明专利技术的优点在于：在画素电极正下方设置透明导电层，透明导电层与公共电极的电位相同，透明导电层与画素电极形成新的储存电容，从而在传统储存电容的基础上，增加一个新的储存电容，提升储存电容的容量，适应TFT‑LCD高分辨率的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器，具体地涉及一种高分辨率的tft-lcd阵列基板及其制作方法。

技术介绍

1、随着生活质量的提升，大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器是越来越受到人们的青睐。然而高分辨率的液晶显示器要求像素更小，即面内的金属排线越密集，储存电容的容量就越小；这样带来的问题就是画素电极和周边金属线的耦合效应越来越大，但是由于储存电容的容量减小，本身存储的电荷变少，所以画素电极上的电势在显示阶段更容易偏离当前灰阶画面的值，这样就会造成画面失真。

2、tft-lcd在正常工作过程时，数据信号经过tft器件从源极经过有源层再到漏极，然后写入到画素电极，当画素电极与公共电极形成的储存电容充满电后，意味着充电的结束，电荷被储存在画素电极上。然后tft器件关闭，进入显示阶段，画素电极理想状态下是与外界断开的，这时电容上储存的电荷维持画素电极上的电势大小直到下一帧画面信号写入。但是实际在显示过程中，tft器件是不能做到完全关闭的，漏电流会一直存在，这也就是意味着画素电极上储存的电荷会逐渐减少；正常要求是一帧画面时间内减少电荷量造成的电势变化小于相邻灰阶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还形成TP走线，所述TP走线与所述透明导电层连接，所述公共电极通过所述第二连接孔与所述TP走线连接。

3.根据权利要求1所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述透明导电层是由透明金属氧化物半导体使用离子注入工艺而成。

5.根据权利要求3所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还形成tp走线，所述tp走线与所述透明导电层连接，所述公共电极通过所述第二连接孔与所述tp走线连接。

3.根据权利要求1所述的一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，所述透明导电层是由透明金属氧化物半导体使用离子注入工艺而成。

5.根据权利要求3所述的一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料都是mo/al/mo叠层、ti/al/ti叠层。

6.根据权利要求1所述的一种高分辨率的tft...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛清平，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：