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本发明提供了一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件及其制备方法。其中，双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件包括：N+衬底、N‑基区、钝化层、P+区、N+区、阳极以及阴极；N‑基区位于N+衬底的上表面；P+区和N+区分别设置于N‑基区的左右...
该专利属于西电芜湖研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过西电芜湖研究院有限责任公司授权不得商用。

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