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本申请实施例提供了一种集成电路、电子设备和集成电路制备方法，涉及半导体技术领域。该集成电路包括：相互堆叠于基体上的DC‑DC控制层和电子开关层；DC‑DC控制层和电子开关层之间设置一层退火阻挡层；所述退火阻挡层由金属材料制成；填充有导电物质...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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