一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片制造技术

一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片，属于光电子技术领域，特点是在p型载流子限制层和GaP窗口层之间还设置了GaP电阻层。本实用新型专利技术制作工艺简单、合理，制成的产品优质、稳定。在不牺牲产品可靠性的同时将串联电阻集成在LED芯片中，在 20 mA工作电流条件下，7 mil ×7 mil尺寸LED芯片的工作电压可达2.35 V以上，可以直接使用与GaP基二元系高电压黄绿光LED兼容的驱动电路。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于光电子
，具体涉及AlGaInP四元系发光二极管（LED）

技术介绍
图1展示了传统的正装AlGaInP四元系黄光LED的结构，即在GaAs基板101上，自下而上依次生长为缓冲层102、Bragg反射镜层103、n型限制层104、多量子阱有源区层105、p型限制层106和GaP窗口层107，并将第一电极108制作于GaP窗口层107上。其GaP窗口层107的主要作用是提供横向电流扩展，提升LED芯片发光亮度。在AlGaInP四元系LED得到大面积推广前，GaP基黄绿光LED 是使用最为广泛使用的LED芯片。其特点是亮度需求不高，同时有大量的成熟的、针对其光电参数的驱动电路及全套使用方案。相较三元系LED，如今的GaAs基AlGaInP四元系黄绿光LED芯片可靠性更好，生产规模大、边际成本更小。然而，由于使用了不同的半导体材料 、禁带宽度不同，传统的四元系黄光LED的工作电压通常在1.9 V到2.2 V，低于GaP基二元系LED的2.3 V至3.0 V。虽然传统AlGaInP四元系LED芯片可以通过串联分立电阻的方式匹配原有为GaP基二元系LED设计的驱动电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：包括依次设置在n型GaAs基片一侧的n型GaAs缓冲层、n型Bragg反射镜层、n型载流子限制层、多量子阱有源区层、p型载流子限制层、GaP电阻层和GaP窗口层，在GaP窗口层上设，在GaP窗口层下方设置GaP电阻层。

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：包括依次设置在n型GaAs基片一侧的n型GaAs缓冲层、n型Bragg反射镜层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇，林鸿亮，张双翔，杨凯，何胜，李洪雨，田海军，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32