发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包括荧光体的发光二极管封装件。根据本发明专利技术的发光二极管封装件包括：壳体；发光二极管芯片，配置于壳体；波长转换部，配置在发光二极管芯片上；第一荧光体，分布在波长转换部内，发出具有蓝绿色(Cyan)光波段的峰值波长的光；以及第二荧光体，分布在波长转换部内，发出具有红色光波段的峰值波长的光，其中，发光二极管芯片所发出的光的峰值波长位于415至430nm范围内。

Light emitting device

The invention relates to a light emitting diode package including phosphor. According to the invention of the light emitting diode package includes: a housing; a light emitting diode chip is arranged in the shell; wavelength conversion, configuration on the light-emitting diode chip; a first phosphor, distribution in wavelength conversion part, a blue green (Cyan) peak wavelength of light light; and a second phosphor distribution in wavelength conversion within the Department, issued a red light with peak wavelength of light, the peak wavelength of a light emitting diode chip light in the 415 to 430nm range.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置
本专利技术涉及一种发光装置。具体地，涉及一种可靠性、显色性以及光量均得到提高的发光装置。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)封装件是具有半导体的p-n接合结构的化合物半导体，是通过少数载子(电子或空穴)的再结合而产生特定的光的元件。包括发光二极管的发光装置耗电少、寿命长，且可小型化。发光装置可以使用作为波长转换单元的荧光体来体现白色光。即，将荧光体配置在发光二极管芯片上，从而可以通过对发光二极管芯片的一次光的一部分和借助荧光体而转换波长的二次光进行混色来产生白色光。这种结构的白色发光装置价格低廉，其原理和结构都简单，因此被广为利用。具体而言，可以通过在蓝色发光二极管芯片上涂覆吸收部分蓝光作为激发光而产生黄绿色或黄色光的荧光体，而得到白色光。参照韩国公开专利10-2004-0032456号，公开了一种如下的发光二极管，其在发出蓝色光的发光二极管芯片上附着将所述光的一部分作为激发源而发出黄绿色至黄色光的荧光体，并根据发光二极管发出的蓝色光和荧光体发出的黄绿色至黄色光而产生白色光。然而，采用这种方式的白色发光装置应用黄色荧光体的发光，使所发出光的绿色及红色区域的光谱缺乏，从而使显色性较低。特别是，在作为背光单元(backlightunit)使用时，由于通过彩色滤光片之后较低的色纯度，导致很难形成接近自然色的色彩。为了解决所述问题，使用蓝色发光二极管芯片和将蓝色光作为激发光发出绿色及红色光的荧光体而制造发光二极管。即，通过对蓝色光和被蓝光激发而产生的绿色光以及红色光进行混色，可以实现具有较高的显色性的白色光。在将这种白色发光二极管作为背光单元而使用时，与彩色滤光片的匹配度非常高，因此可以体现更接近自然色的图片。但是，使用蓝色发光二极管芯片的发光二极管的蓝色光的强度相对较强，因此在将其用于照明时有可能对人体带来各种副作用，例如睡眠障碍等。例如，可能会抑制褪黑激素的分泌，从而影响人体的生物周期。例如，发生睡眠障碍等的可能性较高。另一方面，为了体现白色光，可以使用紫外线发光二极管芯片替代蓝色发光二极管芯片。使用紫外线发光二极管芯片的发光装置，可以体现较高的显色性，色温也很容易根据荧光体的组合而改变，并且还可以具有较佳的产率。但是，紫外线发光二极管芯片产生具有相对较高能量的波长的光，因此有可能产生封装材料的劣化(decomposition)现象或者裂纹(crack)现象等，进而，还会出现被涂覆的引线框的变色等问题。因此，包含紫外线发光二极管芯片的发光装置存在可靠性问题。因此，需要开发出一种可以解决所述问题的发光装置。另一方面，R9是对于饱和的红色的指标，其在与肤色、美术作品、服装、食品等相关的领域中非常重要。在使用发出接近紫色的光的发光二极管芯片时，为了使CRI为90以上且R9为50以上的值，使用在长波长区域具有峰值波长的CASN系列荧光体。但是，在使用长波长的CASN系列荧光体时，虽然R9增加，但由于存在光量减少4％以上的问题，所以应用受限。
技术实现思路
技术问题本专利技术所要解决的课题是提供一种具有改善的可靠性和显色性的发光装置。本专利技术所要解决的另一课题是提供一种具有改善的视亮度及光量的发光装置。本专利技术所要解决的课题是提供一种具有改善的CRI、R9值的发光装置。技术方案根据本专利技术的一实施例的发光装置包括：壳体；配置于所述壳体的发光二极管芯片；配置于所述发光二极管芯片上的波长转换部；分布于所述波长转换部内，并发出具有绿光波段的峰值波长的光的第一荧光体；分布于所述波长转换部内，并发出具有红色光波段的峰值波长的光的第二荧光体，其中，所述发光二极管芯片所发出的光的峰值波长可位于415～430nm的波长范围内。此外，所述第一荧光体可以包括LuAG、YAG、氮化物(Nitride)以及硅酸盐(Silicate)系列的荧光体中的至少一种。所述第二荧光体可以包括CASN、CASON以及SCASN系列荧光体中的至少一种。所述第一荧光体所发出的光的绿色光波段的峰值波长可位于500～540nm的波长范围内，所述第二荧光体所发出的光的红色光波段的峰值波长可位于600～650nm的波长范围内。还包括分布于所述波长转换部内，并且发出蓝色光波段的光的第三荧光体，所述第三荧光体可以包括SBCA、BAM、硅酸盐(Silicate)以及氮化物(Nitride)系列的荧光体中的至少一种。所述第三荧光体所发出的光的蓝色光波段的峰值波长可位于450～480nm的波长范围内。通过分别从所述发光二极管芯片、所述第一荧光体以及所述第二荧光体发出的光的合成而形成白色光，所述白色光的显色指数(CRI)可以是85以上。所述波长转换部可以包括硅、环氧、PMMA、PE以及PS中的至少一种。还包括配置于所述波长转换部和所述发光二极管芯片之间的缓冲部，所述缓冲部可以具有比所述波长转换部低的硬度。所述波长转换部包括覆盖所述发光二极管芯片的第一波长转换部以及覆盖所述第一波长转换部的第二波长转换部，所述第一波长转换部可以包含所述第二荧光体，所述第二波长转换部可以包含所述第一荧光体。所述壳体还可以包括将从所述发光二极管芯片发出的光反射的反射器。所述壳体还可以包括覆盖所述反射器的屏障反射器(Barrierreflector)。根据本专利技术的一实施例的发光装置包括:第一荧光体，被所述发光二极管芯片激发，而发出蓝绿色(Cyan)光波段的光；以及第二荧光体，被所述发光二极管芯片激发，而发出红色光波段的光，其中，所述发光二极管芯片所发出的光的峰值波长位于415～430nm的波长范围内，通过分别从所述发光二极管芯片、所述第一荧光体以及所述第二荧光体所发出的光的合成而形成白色光，所述白色光的光谱在500～600nm的波长范围内可以分布40％以上。所述第一荧光体所发出的光的蓝绿色(Cyan)光波段的峰值波长可位于500～540nm的波长范围内，所述第二荧光体所发出的光的红色光波段的峰值波长可位于600～650nm的波长范围内。所述白色光的显色指数(CRI)可以在85以上。所述第一荧光体可以包括LuAG、YAG、氮化物(Nitride)以及硅酸盐(Silicate)系列荧光体中的至少一种。所述第二荧光体可以包括CASN、CASON以及SCASN系列荧光体中的至少一种。还包括被所述发光二极管芯片激发而发出具有蓝色光波段的峰值波长的光的第三荧光体，所述第三荧光体可以包括SBCA、BAM、硅酸盐(Silicate)以及氮化物(Nitride)系列荧光体中的至少一种。所述第三荧光体所发出的光的蓝色光波段的峰值波长可位于450～480nm的波长范围内。根据本专利技术的另一实施例的发光装置作为白色发光装置，包括发出具有415～435nm范围内的峰值波长的光的发光二极管以及位于所述发光二极管上的波长转换部，所述波长转换部包括发出具有红色光波段的峰值波长的光的第一红色荧光体以及第二红色荧光体、发出具有绿色光波段的峰值波长的光的绿色荧光体、以及发出具有蓝绿色光波段的峰值波长的光的蓝绿色荧光体，其中，所述第一红色荧光体和所述第二红色荧光体是不同物质，从所述发光装置发出的光具有90以上的CRI值。据此，可以提供一种显色性良好且光量优秀的发光装置。所述第一红色荧光体可以包括用化学式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括:壳体；发光二极管芯片，配置于所述壳体；波长转换部，配置在所述发光二极管芯片A上；第一荧光体，分布在所述波长转换部内，发出具有蓝绿色光波段的峰值波长的光；以及第二荧光体，分布在所述波长转换部内，发出具有红色光波段的峰值波长的光，所述发光二极管芯片所发出的光的峰值波长位于415nm至430nm的波长范围内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.08 KR 10-2014-0136095;2015.01.16 KR 10-2011.一种发光装置，其特征在于，包括:壳体；发光二极管芯片，配置于所述壳体；波长转换部，配置在所述发光二极管芯片A上；第一荧光体，分布在所述波长转换部内，发出具有蓝绿色光波段的峰值波长的光；以及第二荧光体，分布在所述波长转换部内，发出具有红色光波段的峰值波长的光，所述发光二极管芯片所发出的光的峰值波长位于415nm至430nm的波长范围内。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一荧光体包括LuAG、YAG、氮化物以及硅酸盐系列荧光体中的至少一种。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二荧光体包括CASN、CASON以及SCASN系列荧光体中的至少一种。4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一荧光体所发出的光的蓝绿色光波段的峰值波长位于500nm至540nm的波长范围内，所述第二荧光体所发出的光的红色光波段的峰值波长位于600nm至650nm的波长范围内。5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括：第三荧光体，分布在所述波长转换部内，发出具有蓝色光波段的峰值波长的光，所述第三荧光体包括SBCA、BAM、硅酸盐以及氮化物系列荧光体中的至少一种。6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述第三荧光体所发出的光的蓝色光波段的峰值波长位于450nm至480nm的波长范围内。7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，通过分别从所述发光二极管芯片、所述第一荧光体以及所述第二荧光体发出的光的合成而形成白色光，所述白色光的显色指数为85以上。8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换部包括硅、环氧、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯以及聚苯乙烯中的至少一种。9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括配置于所述波长转换部和所述发光二极管芯片之间的缓冲部，所述缓冲部具有比所述波长转换部低的硬度。10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换部包括覆盖所述发光二极管芯片的第一波长转换部以及覆盖所述第一波长转换部的第二波长转换部，所述第一波长转换部包括所述第二荧光体，所述第二波长转换部包括所述第一荧光体。11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述壳体包括将从所述发光二极管芯片发出的光反射的反射器。12.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述壳体还包括覆盖所述反射器的屏障反射器。13.一种发光装置，其特征在于，包括:发光二极管芯片；第一荧光体，被所述发光二极管芯片激发，发出具有蓝绿色光波段的峰值波长的光；以及第二荧光体，被所述发光二极管芯片激发，发出具有红色光波段的峰值波长的光，所述发光二极管芯片所发出的光的峰值波长位于415nm至430nm的波长范围内，通过从所述发光二极管芯片、所述第一荧光体以及所述第二荧光体所发出的光的合成而形成白色光，所述白色光的光谱在500nm至600nm的波长范围内分布40％以上。14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述第一荧光体所发出的光的蓝绿色光波段的峰值波长位于500nm至540nm的波长范围内，所述第二荧光体所发出的光的红色光波段的峰值波长位于600nm至650nm的波长范围内。15.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述白色光的显色指数为85以上。16.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述第一荧光体包括LuAG、YAG、氮化物及硅酸盐系列的荧光体中的至少一种。17.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述第二荧光体包括CASN、CASON及SCASN系列荧光体中的至少一种。18.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，还包括：第三荧光体，被所述发光二极管芯片激发，发出具有蓝色光波段的峰值波长的光，所述第三荧光体包括SBCA、BAM、硅酸盐以及氮化物系列荧光体中的至少一种。19.根据权利要求18所述的发光装置，其特征在于，所述第三荧光体所发出的光的蓝色光波段的峰值波长位于450nm至480nm的波长范围内。20.一种发光装置，作为白色发光装置，其特征在于，包括:发光二极管，发出具有415nm至435nm范围内的峰值波长的光；以及波长转换部，位于所述发光二极管上，所述波长转换部包括：第一红色荧光体与第二红色荧光体，发出具有红色光波段的峰值波长的光；绿色荧光体，发出具有绿色光波段的峰值波长的光；以及蓝绿色荧光体，发出具有蓝绿色光波段的峰值波长的光，所述第一红色荧光体与所述第二红色荧光体是互相不同的物质，从所述发光装置发出的光具有90以上的CRI值。21.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述第一红色荧光体包括用化学式A2MF6:Mn表示的荧光体，所述A是从由Li、Na、K、Rb、Ce以及NH4组成的群中选择的任意一种，所述M是从由Si、Ti、Nb以及Ta组成的群中选择的任意一种。22.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述绿色荧光体包括硅酸盐系列的荧光体。23.根据权利要求22所述的发光装置，其特征在于，所述硅酸盐系列的荧光体是用化学式(Ba,Sr,Ca)2SiO4:EU表示的荧光体。24.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述第二红色荧光体包括CASN系列的荧光体。25.根据权利要求24所述的发光装置，其特征在于，所述CASN系列的荧光体是用化学式(Sr,Ca)AlSiN3:EU或者CaAlSiN3:EU表示的荧光体。26.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述蓝绿色荧光体包括LuAG系列的荧光体。27.根据权利要求26所述的发光装置，其特征在于，所述LuAG系列的荧光体是用化学式Lu3Al5O12:Ce或者部分Al被其他3族元素置换的化学式Lu3(Al,X)5O12:Ce表示的荧光体，所述X是Al以外的3族元素。28.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述蓝绿色荧光体和所述绿色荧光体的质量比是8至9.9：0.1至2，所述第二红...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明珍，吴光龙，南基范，吴志莲，朴相信，林迈克，
申请(专利权)人：首尔半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR