发光装置制造方法及图纸

提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种物体、方法或制造方法。或者，本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。尤其是，本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、存储装置、它们的驱动方法或其制造方法。尤其是，本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法或它们的制造方法。例如，本专利技术涉及一种半导体装置，尤其是在其各像素中设置有晶体管的发光装置。注意，本说明书等中的半导体装置一般是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置。显示装置、发光装置、电光装置、半导体电路以及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
关于使用发光元件的有源矩阵型发光装置，各制造商已分别研发了互不相同的结构，但是，作为一般的结构，在各像素中至少设置有发光元件、控制对像素的视频信号的输入的晶体管(开关用晶体管)以及控制供应到该发光元件的电流值的晶体管(驱动用晶体管)。并且，通过将设置在像素中的上述所有晶体管的导电型设定为同一导电型，可以在晶体管的制造工序中省略对半导体膜添加赋予一导
电性的杂质元素的工序等一部分工序。在下述专利文献1中，有像素只由n沟道型晶体管构成的发光元件型显示器的记载。在使用发光元件的有源矩阵型的发光装置中，根据图像信号控制供应到发光元件的电流值的晶体管(驱动用晶体管)的阈值电压的不均匀容易影响到发光元件的亮度。为了防止上述阈值电压的不均匀对发光元件的亮度导致的影响，下面的专利文献2公开了如下一种显示装置，在该显示装置中，从驱动用晶体管的源电压检测出阈值电压及迁移率，根据该检测出了的阈值电压及迁移率设定对应于显示图像的程序数据信号。[参考文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第2003-195810号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2009-265459号公报
技术实现思路
用来检测出驱动用晶体管的电特性的从像素输出的电流具有几十nA至几百nA左右的非常小的数值。因此，当在与成为该电流的经路的布线电连接的电路中的电源线之间流过关态电流时，难以正确地检测出驱动用晶体管的电特性。在此情况下，即使使用从像素输出的电流校正输入到像素的图像信号，也难以校正供应到发光元件的电流值以使驱动用晶体管的电特性的影响变小。鉴于上述技术背景，本专利技术的一个实施方式的目的是提供一种能够抑制像素之间的亮度不均匀的发光装置。另外，本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种新颖的发光装置。另外，本专利技术的一个实施方式的又一目的是提供一种新颖的半导体装置。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个实施方式并不需要实现所有上述目的。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载可明显看出这些目的以外的目的，而可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中导出这些以外的目的。本专利技术的一个实施方式是包括像素、第一电路及第二电路的发光装置。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅电极重叠的第一半导体区域；与源电极或漏电极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。第三半导体区域的氢浓度优选高于第一半导体区域的浓度及第二半导体区域的浓度。在上述实施方式中，半导体膜优选为氧化物半导体。本专利技术的另一个实施方式是至少包括布线、第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第二电容器及发光元件的发光装置。第一晶体管包括第一半导体膜、隔着第一半导体膜互相重叠的第一栅电极及第二栅电极。第二晶体管包括第二半导体膜。第一电容器具有保持第一晶体管的源电极和漏电极中的一个与第一栅电极之间的电位差的功能。第二电容器具有保持第一晶体管的源电极和漏电极中的一个与第二栅电极之间的电位差的功能。第二晶体管具有控制第二栅电极与布线之间的导通状态的功能。第一晶体管的漏电流被供应到发光元件。第一半导体膜包括：与第一栅电极重叠的第一半导体区域；与第一晶体管的源电极或漏电极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第
二半导体区域之间的第三半导体区域。第二半导体膜包括：与第二晶体管的栅电极重叠的第四半导体区域；与第二晶体管的源电极或漏电极接触的第五半导体区域；以及第四半导体区域和第五半导体区域之间的第六半导体区域。第三半导体区域的氢浓度优选高于第一半导体区域的浓度及第二半导体区域的浓度。第六半导体区域的氢浓度优选高于第四半导体区域的浓度及第五半导体区域的浓度。在上述实施方式中，第一半导体膜及第二半导体膜优选为氧化物半导体。本专利技术的另一个实施方式是至少包括第一布线及第二布线、第一晶体管至第五晶体管、电容器及发光元件的发光装置。第一晶体管具有控制第一布线与电容器的第一电极之间的导通状态的功能。电容器的第二电极与第五晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。第二晶体管具有控制第二布线与第五晶体管的栅电极之间的导通状态的功能。第三晶体管具有控制电容器的第一电极与第五晶体管的栅电极之间的导通状态的功能。第四晶体管具有控制第五晶体管的源电极和漏电极中的一个与发光元件的阳极之间的导通状态的功能。第一晶体管至第五晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅电极重叠的第一半导体区域；与源电极或漏电极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。第三半导体区域的氢浓度优选高于第一半导体区域的浓度及第二半导体区域的浓度。发光装置至少包括第一布线至第三布线、第一晶体管至第五晶体管、电容器及发光元件。第一晶体管具有控制第一布线与电容器的第一电极之间的导通状态的功能。电容器的第二电极与第五晶体管的源电极和漏电极中的一个及发光元件的阳极电连接。第二晶体管具有控制第二布线与第五晶体管的栅电极之间的导通状态的功能。第三晶体管具有控制电容器的第一电极与第五晶体管的栅电极之间的导通状态
的功能。第四晶体管具有控制第五晶体管的源电极和漏电极中的一个与第三布线之间的导通状态的功能。第一晶体管至第五晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅电极重叠的第一半导体区域；与源电极或漏电极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。第三半导体区域的氢浓度优选高于第一半导体区域的浓度及第二半导体区域的浓度。在上述实施方式中，半导体膜优选为氧化物半导体。在上述实施方式中，氧化物半导体优选包含铟、锌及M(M表示Mg、Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。本专利技术的一个实施方式是包括上述实施方式所记载的发光装置、麦克风及操作键的电子设备。本专利技术的一个实施方式可以提供一种能够抑制像素之间的亮度不均匀的发光装置。本专利技术的另一个实施方式可以提供一种新颖的发光装置。本专利技术的另一个实施方式可以提供一种新颖的半导体装置。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。注意，本专利技术的一个实施方式并不需要具有所有上述效果。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：包括发光元件、第一晶体管以及第二晶体管的像素；生成包含从所述像素取出的电流值的信号的第一电路；以及根据所述信号校正图像信号的第二电路，其中，所述第一晶体管根据所述图像信号控制对所述发光元件的电流供应，所述第二晶体管控制从所述像素取出电流，并且，所述第一晶体管及所述第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅电极重叠的第一半导体区域；与源电极或漏电极接触的第二半导体区域；以及位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间且氢浓度高于所述第一半导体区域的浓度及所述第二半导体区域的浓度的第三半导体区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.27 JP 2013-272539;2013.12.27 JP 2013-272531.一种发光装置，包括：包括发光元件、第一晶体管以及第二晶体管的像素；生成包含从所述像素取出的电流值的信号的第一电路；以及根据所述信号校正图像信号的第二电路，其中，所述第一晶体管根据所述图像信号控制对所述发光元件的电流供应，所述第二晶体管控制从所述像素取出电流，并且，所述第一晶体管及所述第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅电极重叠的第一半导体区域；与源电极或漏电极接触的第二半导体区域；以及位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间且氢浓度高于所述第一半导体区域的浓度及所述第二半导体区域的浓度的第三半导体区域。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述半导体膜是氧化物半导体膜。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜包含铟、锌及M，并且M是Mg、Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf。4.一种电子设备，包括权利要求1所述的发光装置、麦克风及操作键。5.一种发光装置，包括：布线；第一晶体管，该第一晶体管包括第一半导体膜、隔着所述第一半导体膜互相重叠的第一栅电极及第二栅电极；包括第二半导体膜的第二晶体管；第一电容器，该第一电容器配置为保持所述第一晶体管的第一源电极和第一漏电极中的一个与所述第一栅电极之间的电位差；第二电容器，该第二电容器配置为保持所述第一晶体管的所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个与所述第二栅电极之间的电位差；以及所述第一晶体管的漏电流被供应的发光元件，其中，所述第二晶体管控制所述第二栅电极与所述布线之间的导通状态，所述第一半导体膜包括：与所述第一栅电极重叠的第一半导体区域；与所述第一晶体管的所述第一源电极或所述第一漏电极接触的第二半导体区域；以及位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间且氢浓度高于所述第一半导体区域的浓度及所述第二半导体区域的浓度的第三半导体区域，并且，所述第二半导体膜包括：与所述第二晶体管的第三栅电极重叠的第四半导体区域；与所述第二晶体管的第二源电极或第二漏电极接触的第五半导体区域；以及位于所述第四半导体区域与所述第五半导体区域之间且氢浓度高于所述第四半导体区域的浓度及所述第五半导体区域的浓度的第六半导体区域。6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体膜及所述第二半导体膜的每一个是氧化物半导体膜。7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜包含铟、锌及M，并且M是Mg、Al、Ti、Ga、Y、Zr、L...

【专利技术属性】
技术研发人员：三宅博之，肥塚纯一，神长正美，岛行德，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP