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为细线和空间封装应用形成高密度金属布线的方法及由此形成的结构技术

技术编号:13360697 阅读:43 留言:0更新日期:2016-07-17 20:29
描述形成微电子装置结构的方法。那些方法可包括:形成通过积聚结构与设置在积聚结构上的光敏材料的至少一个开口,其中积聚结构包括封装衬底的一部分;用含金属纳米胶填充至少一个开口;以及烧结含金属纳米胶,以在至少一个开口中形成整体性质金属结构。

【技术实现步骤摘要】
201610202493

【技术保护点】
一种形成微电子结构的方法,包括:形成通过积聚材料与设置在所述积聚材料上的光敏材料的至少一个开口,其中所述积聚材料包括封装衬底的一部分,其中所述至少一个开口包括通过所述光敏材料并且进入所述积聚材料中的线部分和在所述积聚材料中的通孔触点部分,其中所述线部分比所述通孔触点部分宽;用含金属纳米胶填充所述至少一个开口;以及烧结所述含金属纳米胶,以在所述至少一个开口中形成整体性质金属结构。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:CW黄Y托米塔
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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