【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，该圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成，相邻扇出PoP封装单元之间通过第二焊球实现互联，采用第二塑封材料进行包覆密封。扇出PoP封装单元包含IC芯片、第一塑封材料、第二粘贴材料、金属凸点结构、第一金属层、第二金属层、第一再布线金属走线层、第一介电材料层、第二再布线金属走线层、第二介电材料层、第一焊球和第二焊球。IC芯片的键合焊盘与第一再布线金属走线层互联。金属凸点结构构成模塑料通孔，模料通孔实现扇出PoP封装单元内的上、下封装体之间以及与外部结构的三维集成互联。制造该圆片级扇出PoP封装结构的主要方法：在第一载体圆片上配置金属基材圆片，在金属基材圆片上表面制作金属凸点结构，上芯，塑封，制作第一再布线金属走线层，配置第二载体圆片，去除第一载体圆片，对金属基材圆片下表面进行蚀刻，形成第二再布线金属走线层，堆叠回流焊，去除第二载体圆片，植球和回流焊工艺后形成扇出PoP封装单元，至少一个扇出PoP封装单元进行堆叠回流焊，塑封后形成圆片级扇出PoP封装。该专利技术解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度、成本和可靠性问题。【...
【技术保护点】
一种圆片级扇出PoP封装结构，其特征在于，通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成；一个扇出PoP封装单元由两个相同结构的封装体构成；所述一个封装体包括有金属凸点结构(2)、IC芯片(3)、键合焊盘(4)、第二粘贴材料(5)，第一塑封材料(6)、第一再布线金属走线层(7)、第一金属层(8)、第一介电材料层(9)、第二再布线金属走线层(10)、第二介电材料层(11)、第二金属层(12)；所述IC芯片(3)带有键合焊盘(4)，第二粘贴材料(5)粘贴于IC芯片(3)的表面，第一塑封材料(6)包围金属凸点结构(2)和IC芯片(3)，IC芯片(3)的键合焊盘(4)与第一再布线金属走线层...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏国峰，于大全，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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