基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件及生产方法技术
【技术实现步骤摘要】
基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件及生产方法
本专利技术属于半导体制造
，涉及一种基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，本专利技术还涉及一种该封装件的生产方法。
技术介绍
CSP（ChipScalePackage，以下同），即芯片级封装，这种封装是在TSOP和BGA的基础上发展起来的一种薄型、微型封装。CSP可以实现芯片面积与封装面积之比超过1:1.14的封装，其封装面积约为普通BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片封装面积的1/6。CSP不但体积小，同时也更薄，其基板到发热体的最有效散热路径往往只有0.2mm，大大提高了内存芯片长时间运行的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。在DIP、SOP等传统封装形式的MEMS封装件中，存在的主要问题是如何解决消除干扰，保证MEMS芯片对信号的检测精度和增益问题。虽然MEMS芯片具有较强的信号的检测功能，但是在实际使用中会受到封装件本身的附加电感、电容、电阻及环境的干挠信号影响，造成输出信号截止或失真。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，不受封装件本身附加电感、电容、电阻及环境的干挠信号影响，避免输出信号截止或失真。本专利技术的另一个目的是提供一种上述MEMS封装件的生产方法。为实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，包括引线框架，引线框架中的内引脚与底面引脚相连，内引脚上表面倒装有带凸点的MEMS芯片，MEMS芯片上的凸点通过第二键合线与内引脚的背面焊盘相连；MEMS芯片上面粘贴有第...
【技术保护点】
一种基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，其特征在于，包括引线框架，引线框架中的内引脚（5）与底面引脚（12）相连，内引脚上表面（6）倒装有带凸点的MEMS芯片（1），MEMS芯片（1）上的凸点通过第二键合线（16）与内引脚的背面焊盘（15）相连；MEMS芯片（1）上面粘贴有第一VGA放大器芯片（8），第一VGA放大器芯片（8）通过第一键合线（7）与内引脚上表面（6）相连；沿垂直于两排底面引脚（12）连线的方向、底面引脚（12）远离内引脚上表面（6）一端的两侧平行设置有第一凹槽（4）和第二凹槽（13），底面引脚（12）的底面上设有底面引脚金属层（14）；引线框架上塑封有第一塑封体（10），所有器件均塑封于第一塑封体（10）内，只有底面引脚金属层（14）露出第一塑封体（10）外。
【技术特征摘要】
1.一种基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，其特征在于，包括引线框架，引线框架中的内引脚（5）与底面引脚（12）相连，内引脚上表面（6）倒装有带凸点的MEMS芯片（1），MEMS芯片（1）上的凸点通过第二键合线（16）与内引脚的背面焊盘（15）相连；MEMS芯片（1）上面粘贴有第一VGA放大器芯片（8），第一VGA放大器芯片（8）通过第一键合线（7）与内引脚上表面（6）相连；沿垂直于两排底面引脚（12）连线的方向、底面引脚（12）远离内引脚上表面（6）一端的两侧平行设置有第一凹槽（4）和第二凹槽（13），底面引脚（12）的底面上设有底面引脚金属层（14）；引线框架上塑封有第一塑封体（10），所有器件均塑封于第一塑封体（10）内，只有底面引脚金属层（14）露出第一塑封体（10）外。2.根据权利要求1所述的基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，其特征在于，所述的两排底面引脚（12）之间设有MEMS盖板（17），MEMS盖板（17）的一侧与一排底面引脚（12）上的第一凹槽（4）固接，MEMS盖板（17）上设有MEMS盖板开孔（19）；MEMS盖板（17）、内引脚（5）和MEMS芯片（1）围成的腔体内塑封有第二塑封体（18）。3.一种基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，其特征在于，包括引线框架，该引线框架中的内引脚（5）与底面引脚（12）相连，内引脚上表面（6）粘贴有MEMS芯片（1），MEMS芯片（1）通过第一键合线（7）与内引脚上表面（6）相连，内引脚上表面（6）设有MEMS隔墙（24），两排MEMS隔墙（24）顶端通过MEMS盖板（17）相连接，MEMS盖板（17）上设有MEMS盖板开孔（19），MEMS隔墙（24）、MEMS盖板（17）、内引脚上表面（6）和MEMS芯片（1）围成一个腔体，该腔体内塑封有第二塑封体（18），第一键合线（7）位于第二塑封体（18）内；内引脚下表面（3）通过第一UBM（23）与第二VGA放大器芯片（21）粘接，第一UBM（23）与第二VGA放大器芯片（21）上的芯片凸点（22）相粘接；沿垂直于两排底面引脚（12）连线的方向、底面引脚（12）远离内引脚上表面（6）一端的两侧平行设置有第一凹槽（4）和第二凹槽（13），底面引脚（12）的底面上设有底面引脚金属层（14）；引线框架上塑封有第一塑封体（10），除腔体、MEMS盖板（17）和底面引脚金属层（14）外，其余所有的器件均塑封于第一塑封体（10）内。4.一种基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，其特征在于，包括引线框架，该引线框架中的内引脚（5）与底面引脚（12）相连，MEMS芯片（1）粘贴于内引脚下表面（3）上，MEMS芯片（1）通过第二键合线（16）与内引脚下表面（3）相连；内引脚上表面（6）上粘贴有第一VGA放大器芯片（8），第一VGA放大器芯片（8）通过第一键合线（7）与内引脚上表面（6）相连；沿垂直于两排底面引脚（12）连线的方向、底面引脚（12）远离内引脚上表面（6）一端的两侧平行设置有第一凹槽（4）和第二凹槽（13），底面引脚（12）的底面上设有底面引脚金属层（14）；引线框架上塑封有第一塑封体（10），除腔体、MEMS盖板（17）和底面引脚金属层（14）外，其余所有的器件均塑封于第一塑封体（10）内；两排底面引脚（12）之间设有MEMS盖板（17），MEMS盖板（17）的一侧与一排底面引脚（12）上的第一凹槽（4）固接，MEMS盖板（17）上设有MEMS盖板开孔（19）；MEMS盖板（17）、内引脚（5）和MEMS芯片（1）围成的腔体内塑封有第二塑封体（18）。5.一种基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件，其特征在于，包括引线框架，该引线框架采用多排矩阵式CSP镍钯金电镀框架，其中的内引脚（5）向上翘起形成鸥翼型，内引脚上表面（6）上倒装有第三VGA放大器芯片（27），第三VGA放大器芯片（27）上表面粘接有MEMS芯片（1），MEMS芯片（1）通过第一键合线（7）与内引脚上表面（6）相连；内引脚下表面（3）上倒装有第二VGA放大器芯片（21）；沿垂直于两排底面引脚（12）连线的方向、底面引脚（12）远离内引脚上表面（6）一端的两侧平行设置有第一凹槽（4）和第二凹槽（13），底面引脚（12）的底面上设有底面引脚金属层（14）；引线框架上塑封有第一塑封体（10），底面引脚金属层（14）露出第一塑封体（10），其余所有器件均位于第一塑封体（10）内。6.一种权利要求1所述的基于定制引线框架的CSP型MEMS封装件的生产方法，其特征在于，具体按以下步骤进行：步骤1：制作多排矩阵式无载体翼鸥型内引脚的CSP引线框架，内引脚的正面和背面除电镀铜外，还要镀银或镀镍钯金焊盘、或者根据电镀倒装封装需要电镀UBM金属层；采用8英寸～12英寸的减薄机对晶圆进行减薄，带凸点的晶圆减薄至150～200μm，不带凸点的晶圆减薄至130～180μm；减薄过程中的粗磨速度6μm/s，精磨速度0.15μm/s，抛光速度0.05μm/s；同时采用防翘曲工艺：然后，采用A-WD-300TXB划片机对减薄的晶圆进行划片，划片过程中采用防碎片的双刀工艺划片，划片进刀速度≤10mm/s，切割分离形成需要的MEMSIC芯片和VGA放大器芯片；步骤2：在粘片胶粘片机上，先在引线框架上翘内引脚的正面端面点上第一粘片胶，然后将MEMS芯片反向放置在已点第一粘片胶的多排矩阵式CSP引线框架上翘内引脚的正面，全部MEMS芯片1粘完后，进行分段烘烤，即在烘箱中，升温15分钟将温度升至100℃烘烤25分钟，再升温5分钟将温度升至150℃烘烤35分钟，降温10分钟将温度降至70℃取出；分段烘烤过程中采用防离层工艺；在球焊机上，将烘烤后的半成品多排矩阵式CSP引线框架反向进料，从多排矩阵式CSP引线框架翼鸥型的上翘内引脚的背面焊盘向MEMS芯片上的焊盘反打低弧度第二键合线；在胶膜片粘片机上，将已打第二键合线的半装成品多排矩阵式CSP引线框架进料，在MEMS芯片背面划上第二粘片胶，设备自动吸取的第一VGA放大器芯片，准确放置在已划胶的MEMS芯片的背面，粘接完全部第一VGA放大器芯片后，采用同上的分段烘烤，分段烘烤过程中采用防离层工艺；在球焊机上，将已粘接第一VGA放大器芯片的半成品多排矩阵式CSP引线框架正向进料，从第一VGA放大器芯片上的焊盘向多排矩阵式CSP引线框架翼鸥型的上翘内引脚的正面焊盘高低弧度打第一键合线；焊线以后，选用膨胀系数α1≤1、吸水率≤0.30%的环保塑封料塑封，冲线率控制在5%，无空洞和离层，在150℃温度下后固化5小时；若底部引脚在框架生产中未电镀镍钯金或纯金，则电镀钝锡，钝锡层厚度7.62～15.24μm，并在17...
【专利技术属性】
技术研发人员：慕蔚，邵荣昌，李习周，张易勒，胡魁，
申请(专利权)人：天水华天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：甘肃;62
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