【技术实现步骤摘要】
相关申请交叉引用将2013年9月25日提交的日本专利申请No.2013-198300的公开内容，包括说明书，附图和摘要，整体并入本文作为参考。
本专利技术涉及一种半导体器件，并且本专利技术例如是一种适用于其中层叠两个半导体芯片的半导体器件的技术。
技术介绍
在半导体器件中，有一种器件，其中第一半导体芯片和第二半导体芯片的两个半导体芯片以其元件形成面相互面对的方式层叠(例如，日本未审专利申请公布No.2011-54800)。日本未审专利申请公布No.2011-54800中描述的技术是一种使第一半导体芯片和第二半导体芯片在它们之间发送和接收信号的技术。具体地，电感器形成在第一半导体芯片和第二半导体芯片的每一个中，并且这些电感器相互面对。随后，通过在这些电感器之间发送和接收信号而在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间执行信号的发送和接收。而且，日本未审专利申请公布No.2011-54800描述了一种半导体器件，其中第一半导体芯片安装在引线框架的元...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：芯片安装部；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一主面以及作为所述第一主面的相反侧的面的第二主面，并且所述第一半导体芯片在所述第二主面面对所述芯片安装部的方向上安装在所述芯片安装部上；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有第三主面以及作为所述第三主面的相反侧的面的第四主面，并且所述第二半导体芯片的一部分在所述第三主面面对所述第一主面的方向上安装在所述第一半导体芯片上，其中，在平面图中，所述芯片安装部具有凹口部，并且所述第二半导体芯片的一部分与所述凹口部重叠，并且进一步其中，所述半导体器件包括：第一电极焊盘，所述第一电极焊盘位于所述第一半导体芯片...
【技术特征摘要】
2013.09.25 JP 2013-1983001.一种半导体器件，包括：
芯片安装部；
第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一主面以及作为所
述第一主面的相反侧的面的第二主面，并且所述第一半导体芯片在所
述第二主面面对所述芯片安装部的方向上安装在所述芯片安装部上；
以及
第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有第三主面以及作为所
述第三主面的相反侧的面的第四主面，并且所述第二半导体芯片的一
部分在所述第三主面面对所述第一主面的方向上安装在所述第一半导
体芯片上，
其中，在平面图中，所述芯片安装部具有凹口部，并且所述第二
半导体芯片的一部分与所述凹口部重叠，并且进一步
其中，所述半导体器件包括：
第一电极焊盘，所述第一电极焊盘位于所述第一半导体芯片的所
述第一主面的不与所述第二半导体芯片重叠的部分中；
第二电极焊盘，所述第二电极焊盘位于所述第二半导体芯片的所
述第三主面的与所述凹口部重叠的区域中；
第一接合线，所述第一接合线的一端耦合到所述第一电极焊盘；
以及
第二接合线，所述第二接合线的一端耦合到所述第二电极焊盘。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
第一电感器，所述第一电感器形成在所述第一半导体芯片的所述
第一主面上；以及
第二电感器，所述第二电感器形成在所述第二半导体芯片的所述
第三主面上，
其中，在平面图中，所述第一电感器和所述第二电感器彼此重叠。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述第一半导体芯片的面对所述凹口部的边的宽度比所述
凹口部的宽度宽，并且
其中，在平面图中，所述第一半导体芯片的一部分与所述凹口部
重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，在平面图中，在所述凹口部的开口侧的端部中形成斜度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
第一引线端子，所述第一接合线的另一端耦合到所述第一引线端
子；
第二引线端子，所述第二接合线的另一端耦合到所述第二引线端
子；
两个第三引线端子，所述两个第三引线端子与所述第二引线端子
并排布置；
端子耦合部，所述端子耦合部将所述两个第三引线端子的在所述
芯片安装部一侧的端部相互耦合；以及
密封树脂，所述密封树脂密封以下：所述芯片安装部；所述第一
半导体芯片；所述第二半导体芯片；所述第一接合线；所述第二接合
线；所述第一引线端子的至少所述第一接合线耦合到的部分；所述第
二引线...
【专利技术属性】
技术研发人员：内田慎一，西川健次，菅野正人，米泽美香，归山隼一，清原俊范，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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