本发明专利技术涉及一种低成本多层堆叠扇出型封装结构及其制备方法，包括以下步骤：（1）在承载片上制作临时键合薄膜和金属球；（2）将第一芯片贴装在临时键合薄膜上，覆盖第一绝缘树脂并减薄；（3）在第一绝缘树脂上面涂覆第二绝缘树脂，在第二绝缘树脂上制作第一种子层，去除承载片和临时键合薄膜；（4）在第一芯片的正面制作第三绝缘树脂和第二种子层，在第二种子层上制作导电线路，导电线路分别与金属球和第一芯片的焊盘；（5）在导电线路表面制作第四绝缘树脂，在第四绝缘树脂表面形成开口露出导电线路；（6）制作焊球；（7）在第一芯片的背面堆叠第二芯片。本发明专利技术降低制作成本，提高芯片的对准精度，降低了封装产品的高度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于半导体封装
技术介绍
随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型方片级封装技术(Fanout Panel Level Package，F0PLP)的出现，作为扇出型晶圆级封装技术(Fanout Wafer Level Package，F0WLP)的升级技术，拥有更广阔的发展前景。智能手机、智能穿戴、物联网、人体芯片等科技的飞速发展，引领芯片封装技术朝小型化、高密度化、三维化等趋势发展。高度度三维封装芯片技术成为芯片封装的热门技术。现有技术中，星科金朋的专利申请US2014048906A1公开的工艺中需要预先制作带有导电球或柱子的转接板。转接板需要使用特殊的工艺制作，如打孔，电镀等，然后切割成小尺寸的转接板。芯片和带有导电球或柱子的转接板同时贴在承载板上，然后进行塑封。塑封完成后制作芯片正面的导电线路、保护层等结构。导电球或柱子使用激光等方式制作。在导电球或柱子上方贴芯片形成芯片三维堆叠的结构。星科金朋的专利申请US2013249106A1公开的工艺中需要预先将芯片完成封装，制作成单程封装芯片。然后在芯片外围的介质层形成开口，开口中填充导电材料。在单层封装结构顶部堆叠芯片形成三维堆叠的结构。
技术实现思路
本部分的目的在于概述本专利技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本专利技术的范围。鉴于上述和/或现有半导体封装中存在的结构和制作工艺较为复杂，以及制作成本高问题，提出了本专利技术。本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供，降低制作成本，提高芯片的对准精度，降低了封装产品的高度。按照本专利技术提供的技术方案，所述低成本多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，包括以下步骤: (1)承载片作为基底材料，在承载片上覆盖临时键合薄膜； (2)在临时键合薄膜上形成金属球； (3)将第一芯片的正面贴装在临时键合薄膜上，在第一芯片和临时键合薄膜上覆盖第一绝缘树脂； (4)将第一绝缘树脂减薄，露出金属球和第一芯片的背面；在第一绝缘树脂上面涂覆第二绝缘树脂； (5)在第二绝缘树脂上开窗露出金属球，在开窗处沉积第一种子层；再去除承载片和临时键合薄膜，露出金属球和第一芯片的正面； (6)在第一芯片的正面形成第三绝缘树脂，第三绝缘树脂上开窗露出金属球和第一芯片的焊盘；在露出的金属球和焊盘表面沉积第二种子层； (7)在第二种子层上形成导电线路，导电线路分别与金属球和第一芯片的焊盘连接； (8)在导电线路表面形成第四绝缘树脂，第四绝缘树脂将导电线路和第三绝缘树脂覆盖，在第四绝缘树脂表面形成开口露出导电线路； (9)在第四绝缘树脂的开口处形成焊球，焊球与导电线路相连，并通过导电线路分别与金属球和第一芯片的焊盘导通； (10)在第一芯片的背面堆叠第二芯片，第二芯片通过第二绝缘树脂上的第一开口与金属球电连接。进一步的，所述承载片是娃、二氧化娃、陶瓷、玻璃、金属、合金或有机材料的片体，或者是能够加热和控温的平板装置。进一步的，所述临时键合薄膜为热塑或热固型有机材料，或者是含有Cu、N1、Cr或Co的无机材料。进一步的，所述金属球为金、银、铜、锡、钛、镍、镁、铋、钯、镍、铬、铁、铟中的一种或多种金属。进一步的，所述金属球是球形、圆柱形或圆锥形。进一步的，所述第一绝缘树脂为环氧树脂、聚酰亚胺、BCB、PB0、硅胶、酚醛树脂、亚克力树脂、三嗪树脂、PVDF、底填胶(Under Fill或MUF等)、塑封底填胶或者添加填料的树脂；所述第二绝缘树脂、第三绝缘树脂和第四绝缘树脂为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB (双苯环丁烯树脂)或ΡΒ0 (苯基苯并二恶唑树脂)。进一步的，所述第一芯片通过焊接的方式连接第二芯片，或者在第一芯片通过打线的方式连接第二芯片。所述低成本多层堆叠扇出型封装结构，其特征是:包括第一芯片和第二芯片；所述第一芯片包裹于第一绝缘树脂中，第一绝缘树脂的一面覆盖第二绝缘树脂，第一绝缘树的另一面覆盖第三绝缘树脂，第三绝缘树脂的表面覆盖第四绝缘树脂；在所述第一绝缘树脂中设有金属球，第二绝缘树脂上设有金属球的第一开口，在第一开口处设有第一种子层，在第三绝缘树脂上设有露出金属球和第一芯片的焊盘的第二开口，在第二开口处设有第二种子层，第二种子层上设有导电线路；在所述第四绝缘树脂上设有露出导电线路的第三开口，在第三开口处设有焊球，焊球通过导电线路分别与金属球和第一芯片的焊盘电连接；所述第二芯片通过第二绝缘树脂上的第一开口与金属球电连接。进一步的，所述第二芯片为倒装芯片或引线键合芯片。进一步的，所述第一芯片的正面和背面分别与第一绝缘树脂的两表面平齐。本专利技术具有以下优点: (1)本专利技术的金属球制作方式和露出方式简单，金属球可以使用植球、印刷等工艺制作，可以一次形成几万到几百万颗金属球，制作工艺和制作成本均可以大幅度降低。(2)本专利技术的金属球的露出方式使用抛光减薄等方式露出，一次露出全部金属球，制作工艺和制作成本均可以大幅度降低。(3)本专利技术使用先做球后贴片的方法，可以简化工艺流程。传统工艺使用激光钻孔再放球等方式，钻孔效率低，对球的大小有限制，工艺复杂。(4)本专利技术所述工艺中省略了封装基板，有利于工艺步骤的减少和成本的降低。(5)本专利技术所述封装结构简单，由于省略了封装基板产品结构复杂程度降低。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1?图10-2为本专利技术所述封装结构制备过程的示意图。其中: 图1为在承载片上覆盖临时键合薄膜的示意图。图2为在临时键合薄膜上制作金属球的示意图。图3为贴装第一芯片的示意图。图4为减薄第一绝缘树脂以及制作第二绝缘树脂的示意图。图5为制作第一种子层以及去除承载片和临时键合薄膜的示意图。图6为制作第三绝缘树脂和第二种子层的示意图。图7为制作导电线路的示意图。图8为制作第四绝缘树脂的示意图。图9为制作焊球的示意图。图10-1为第一芯片通过焊接方式形成的封装结构。图10-2为第一芯片通过打线的方式形成的封装结构。【具体实施方式】为了使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合具体附图对本专利技术的【具体实施方式】作进一步的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施例，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低成本多层堆叠扇出型封装结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）承载片（101）作为基底材料，在承载片（101）上覆盖临时键合薄膜（102）；（2）在临时键合薄膜（102）上形成金属球（103）；（3）将第一芯片（104）的正面贴装在临时键合薄膜（102）上，在第一芯片（104）和临时键合薄膜（102）上覆盖第一绝缘树脂（105）；（4）将第一绝缘树脂（105）减薄，露出金属球（103）和第一芯片（104）的背面；在第一绝缘树脂（105）上面涂覆第二绝缘树脂（106）；（5）在第二绝缘树脂（106）上开窗露出金属球（103），在开窗处沉积第一种子层（107）；再去除承载片（101）和临时键合薄膜（102），露出金属球（103）和第一芯片（104）的正面；（6）在第一芯片（104）的正面形成第三绝缘树脂（1061），第三绝缘树脂（1061）上开窗露出金属球（103）和第一芯片（104）的焊盘（108）；在露出的金属球（103）和焊盘（108）表面沉积第二种子层（1071）；（7）在第二种子层（1071）上形成导电线路（109），导电线路（109）分别与金属球（103）和第一芯片（104）的焊盘（108）连接；（8）在导电线路（109）表面形成第四绝缘树脂（110），第四绝缘树脂（110）将导电线路（109）和第三绝缘树脂（1061）覆盖，在第四绝缘树脂（110）表面形成开口露出导电线路（109）；（9）在第四绝缘树脂（110）的开口处形成焊球（111），焊球（111）与导电线路（109）相连，并通过导电线路（109）分别与金属球（103）和第一芯片（104）的焊盘（108）导通；（10）在第一芯片（104）的背面堆叠第二芯片（1041），第二芯片（1041）通过第二绝缘树脂（106）上的第一开口与金属球（103）电连接。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，张文奇，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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