【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于嵌入式闪存器件的集成电路(IC)，所述集成电路包括：闪存单元，具有存储单元栅极；硅化物接触焊盘，布置在所述存储单元栅极的凹槽中，其中，所述硅化物接触焊盘的顶面相对于所述存储单元栅极的顶面是凹进的；以及电介质侧壁间隔件，沿着所述凹槽的侧壁从所述存储单元栅极的所述顶面延伸至所述硅化物接触焊盘的顶面。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，吴伟成，刘世昌，高雅真，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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