【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体涉及一种扇出封装结构、扇出封装的半导体器件及制备方法。
技术介绍
1、随着芯片行业的发展，半导体芯片封装逐步向更小的封装尺寸、更小的间距、更先进的工艺发展。诸多先进封装技术，例如晶圆级封装、扇出以及2.5/3d封装等技术开始逐步出现在市场应用中，以追求在芯片有限的面积内容纳更多的与外界通信的接口，上述接口统称为i/o(input/output，输入/输出)。
2、扇出封装一般是指晶圆级/面板级封装下，采用重布线层替代传统封装下的基板，将芯片的凸点向外引出，凸点所在的封装面积超出了裸片的面积，从而提供更多io的封装。扇出封装的核心要素是芯片上的重布线层，通过重布线层替代了传统封装下基板传输信号的作用，使得扇出封装可以不需要基板而且芯片成品的高度会更低，降低成本。
3、但是，在扇出封装中，随着芯片i/o数量的不断增加，重布线层的互连密度也随之不断增加。在工艺流程以及用户使用过程中，由于重布线层中导电材料与电介质材料之间的热膨胀系数(cte)不匹配，重布线层很容易因为局部应力集中而发生翘曲...
【技术保护点】
1.一种扇出封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述连接柱(42)的数量为四个，四个所述连接柱(42)呈矩形分布在所述增强顶层(41)靠近所述重布线层(2)的一侧表面上。
3.根据权利要求2所述的扇出封装结构，其特征在于，所述增强底脚(43)远离所述重布线层(2)一侧的表面与所述封装层(1)远离所述重布线层(2)一侧的表面相平齐。
4.根据权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述增强结构(4)的强度大于所述重布线层(2)的强度；所述增强顶层(41)、所述连接柱(42)以及所述增强底脚...
【技术特征摘要】
1.一种扇出封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述连接柱(42)的数量为四个，四个所述连接柱(42)呈矩形分布在所述增强顶层(41)靠近所述重布线层(2)的一侧表面上。
3.根据权利要求2所述的扇出封装结构，其特征在于，所述增强底脚(43)远离所述重布线层(2)一侧的表面与所述封装层(1)远离所述重布线层(2)一侧的表面相平齐。
4.根据权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述增强结构(4)的强度大于所述重布线层(2)的强度；所述增强顶层(41)、所述连接柱(42)以及所述增强底脚(43)中至少一个的材料为氮化硅、氧化硅、碳氮化硅、氧氮化硅中的一种或多种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的扇出封装结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏梅英，孙占兴，李君，王启东，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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