微发光二极管显示器的发光单元共平面结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微发光二极管显示器的发光单元共平面结构，该微发光二极管显示器是由多个发光单元在一基板上排列形成一阵列所构成，该发光单元是由红、绿、蓝LED芯片排列设在一载板上所构成，其中：在该发光单元所包含的红、绿、蓝LED芯片中至少有一LED芯片的高度相对大于其余各LED芯片的高度以致其间形成一高度差，其中在该载板第一面上设有至少一凹槽供容置该高度相对较大的LED芯片，其中各凹槽具有一深度且该深度近乎等于该高度差，藉此该红、绿、蓝LED芯片能在该载板上形成共平面状态以增进该微发光二极管显示器在不同视角的发光均匀度。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管显示器的发光单元共平面结构
本技术涉及一种微发光二极管显示器的发光单元结构，尤指一种在该发光单元中供设置红、绿、蓝LED芯片的载板上设置至少一凹槽以供容置该红、绿、蓝LED芯片中高度相对较大的LED芯片，藉此使该红、绿、蓝LED芯片能在该载板上形成共平面状态以增进该微发光二极管显示器在不同视角的发光均匀度。
技术介绍
微发光二极管显示器(MicroLEDDisplay)为新一代显示技术，其结构是微型化LED阵列，即在一基板(芯片)上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，故微LED技术可视为LED微缩化及矩阵化技术，而微LED显示器的结构设计可看成是户外LED显示器的微缩版，也就是将像素点距离从毫米级降低至微米级。在此以图1为例说明但不限制，本技术所指的微发光二极管(LED)显示器是由多个发光单元1在一基板(芯片)1a上排列形成一阵列所构成，其中各发光单元1是由一红LED芯片10、一绿LED芯片20、一蓝LED芯片30排列且电性连结地设在一载板40上所构成如图1所示但不限制，例如该发光单元1的载板40更可与该微发光二极管显示器的基板1a形成一体，即各发光单元1的红LED芯片10、绿LED芯片20、蓝LED芯片30可以直接排列且电性连结地设在该基板1a但不限制。此外，该载板40具有一第一面41及相对的一第二面42如图2所示但不限制，其中该红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)一般是通过覆晶式封装但不限制，以使各芯片(10、20、30)的第一面(11、21、31)分别电性连结地设在该载板40的第一面41上所各预定的对应位置(10a、20a、30a)处(如图1所示)，并通过该载板40所预设的各连接线路43(43a、43b、43c)但不限制以分别提供该红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)发光所需的电力。以LED芯片上各晶垫(如P/N极)的设置型态而言，目前使用的红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)可分成垂直式芯片及水平式芯片，其中垂直式芯片是指其具有至少两个晶垫(如P/N极)且分开设在该芯片的一第一表面及相对的第二表面上，而水平式芯片是指其具有至少两个晶垫但同设在该芯片的同一表面上。此外，以目前微LED芯片的生产技术而言，水平式芯片虽然有利于覆晶式封装作业，但水平式芯片的制作成本相对较高，不利于微发光二极管(LED)显示器的成本控制；尤其，以现有的红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)而言，红LED芯片(10)的高度相对大于绿、蓝LED芯片(20、30)的高度，而绿、蓝LED芯片(20、30)的高度约略相等，即高度相对较大的LED芯片(如红LED芯片10但不限制)与其余各LED芯片(如绿、蓝LED芯片20、30但不限制)的高度之间已然形成一高度差；因此当现有的红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)封装在该发光单元1的载板40(或基板1a)的同一平面上时，由正面视之(如图1所示的正视角度)，红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)的发光均匀度并不受到影响，但斜角视之(倾斜于如图1所示的正视角度)，因红LED芯片(10)的高度较高而会见到较多红光以致影响该发光单元的发光均匀度。由上可知，针对微发光二极管显示器的发光单元而言，如何有效解决因为红、绿、蓝LED芯片具有不同的高度而相对会影响该发光单元在斜视角时发光均匀度的问题，仍存有改进的需要，本技术即针对上述需要而提出解决方案。
技术实现思路
本技术主要目的在于提供一种微发光二极管显示器(MicroLEDDisplay)的发光单元共平面结构，其是在该发光单元的载板上设置至少一凹槽，使各凹槽能对应容置该发光单元所包含红、绿、蓝LED芯片中芯片高度相对较高的LED芯片，其中各凹槽具有一深度且该深度是近乎(approximately)等于该芯片高度相对较高的LED芯片与其他芯片高度相对较低的LED芯片之间的高度差，以使该红LED芯片、绿LED芯片及蓝LED芯片在封装于该发光单元的载板上之后或进行发光时，各LED芯片能在该载板上形成共平面状态，以使该微发光二极管显示器能在不同视角保持良好的发光均匀度。在本技术一实施例中，其中在该发光单元中，该高度相对较大的LED芯片是该红LED芯片，而其他高度相对较低的LED芯片是该绿LED芯片及该蓝LED芯片。在本技术一实施例中，其中该绿LED芯片与该蓝LED芯片更是具有近乎(approximately)相等的高度，故该红LED芯片的高度相对大于该绿LED芯片及该蓝LED芯片的高度，因此在二者高度之间形成一高度差。在本技术一实施例中，其中该红、绿、蓝LED芯片设在该发光单元的载板的一第一面上的位置形成一线形排列或等腰三角形排列。在本技术一实施例中，其中当该红LED芯片、绿LED芯片及蓝LED芯片皆为水平式芯片时，各芯片是具有至少两个晶垫且该至少两个晶垫分开地设在各芯片的一第一面上，其中当各芯片以覆晶式封装设在该发光单元的载板上时，设在各芯片的第一面上的各晶垫能分别通过导电材以分开地电性连结至该载板所预设的各连接线路。在本技术一实施例中，其中当该红LED芯片为垂直式芯片而该绿LED芯片与该蓝LED芯片为水平式芯片时，该红LED芯片是具有至少两个晶垫，其中至少一晶垫设在该LED芯片的一第一面上，而其他至少一晶垫设在相对的第二面上；其中当各芯片以覆晶式封装设在该载板上时，设在该红LED芯片第一面上的至少一晶垫及设在该绿LED芯片与该蓝LED芯片第一面上的各晶垫能分别通过导电材以分开地电性连结至该载板所预设的各连接线路43，而设在该红LED芯片第二面上的至少一晶垫则通过导电材以电性连结至设在该载板第一面上且位于该凹槽外缘所预设的连接线路。在本技术一实施例中，其中在该发光单元的载板的第一面上供设置该绿LED芯片与该蓝LED芯片的对应位置处进一步各设有一凹槽供该绿LED芯片与该蓝LED芯片置入并形成电性连结。在本技术一实施例中，其中该发光单元的载板与该微发光二极管显示器的基板形成一体，藉此使各发光单元的红、绿、蓝LED芯片能直接排列且电性连结地设在该基板上。附图说明图1为本技术的微发光二极管显示器一实施例的正视示意图。图2为本技术的发光单元一实施例的剖视示意图。图3为本技术的发光单元另一实施例的正视示意图。。图4为图3所示发光单元的剖视示意图。图5为本技术的发光单元另一实施例的正视示意图。图6为图5所示发光单元的剖视示意图。图7为本技术的发光单元又另一实施例的正视示意图。图8为图7所示发光单元的剖视示意图。附图标记说明：1-发光单元；1a-基板；10-红LED芯片；10a-对应位置；11-第一面；12-第二面；13-晶垫；14-晶垫；20-绿LED芯片；20a-对应位置；21-第一面；22-第二面；23-晶垫；24-晶垫；30-蓝LED芯片；30a-对应位置；31-第一面；32-第二面；33-晶垫；34-晶垫；40-载板；41-第一面；42-第二面；43-连接线路；43a-连接线路；43b-连接线路；43c-连接线路；44-凹槽；44a-凹槽；50-导电材；60-保护材。具体实施方式为使本技术更加明确详实，兹列举较佳实施例并配合下列图示，将本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管显示器的发光单元共平面结构，其中该微发光二极管显示器是由多个发光单元在一基板上排列形成一阵列所构成，其中该发光单元是由红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片排列且电性链接地设在一载板上所构成，该载板具有一第一面及相对的一第二面，其中该红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片以覆晶式封装以使各LED芯片的第一面分别电性连结地设在该载板的第一面上所各预定的对应位置处，并通过该载板所预设的各连接线路以分别向该红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片提供发光所需的电力；其特征在于：在该发光单元所包含的该红LED芯片、绿LED芯片及蓝LED芯片之中，至少一LED芯片的高度相对大于其余各LED芯片的高度，以致高度相对较大的各LED芯片的高度与其余各LED芯片的高度之间形成一高度差；其中在该载板的第一面上供设置高度相对较大的各LED芯片的各对应位置处各设有一凹槽供高度相相对较大的各LED芯片置入并形成电性连结，其中各凹槽具有一深度且该深度近乎等于该高度差，以使该红LED芯片、绿LED芯片及蓝LED芯片在发光时，各LED芯片的第二面能形成共平面状态。

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示器的发光单元共平面结构，其中该微发光二极管显示器是由多个发光单元在一基板上排列形成一阵列所构成，其中该发光单元是由红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片排列且电性链接地设在一载板上所构成，该载板具有一第一面及相对的一第二面，其中该红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片以覆晶式封装以使各LED芯片的第一面分别电性连结地设在该载板的第一面上所各预定的对应位置处，并通过该载板所预设的各连接线路以分别向该红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片提供发光所需的电力；其特征在于：在该发光单元所包含的该红LED芯片、绿LED芯片及蓝LED芯片之中，至少一LED芯片的高度相对大于其余各LED芯片的高度，以致高度相对较大的各LED芯片的高度与其余各LED芯片的高度之间形成一高度差；其中在该载板的第一面上供设置高度相对较大的各LED芯片的各对应位置处各设有一凹槽供高度相相对较大的各LED芯片置入并形成电性连结，其中各凹槽具有一深度且该深度近乎等于该高度差，以使该红LED芯片、绿LED芯片及蓝LED芯片在发光时，各LED芯片的第二面能形成共平面状态。2.如权利要求1所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构，其特征在于，该高度相对较大的LED芯片是该红LED芯片，而其他各LED芯片是该绿LED芯片及该蓝LED芯片。3.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构，其特征在于，该绿LED芯片与该蓝LED芯片具有相等的高度，因此该红LED芯片的高度相对大于该绿LED芯片及该蓝LED芯片的高度，因此在二者高度之间形成该高度差。4.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构，其特征在于，该红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片设在该载板的第一面上的位置形成一线形排列或等腰三角形排列，其中当形成等腰三角形排列时，该红LED芯片位于等腰三角形的顶角而绿L...

【专利技术属性】
技术研发人员：璩泽明，庄峰辉，
申请(专利权)人：茂邦电子有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71