一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，为解决串联式有机发光二极管正常发光所需的驱动电压较高的问题。所述串联式有机发光二极管，包括依次层叠的阳极、空穴传输层、第一发光层、第一电荷产生层、第二电荷产生层、第三电荷产生层、第二发光层、电子传输层和阴极；其中，第一电荷产生层为N型体异质结，第二电荷产生层为PN结型体异质结，第三电荷产生层为P型体异质结。所述阵列基板包括多个上述技术方案所提的串联式有机发光二极管，显示装置包括上述技术方案所提的阵列基板。本发明专利技术提供的串联式有机发光二极管应用于显示装置中。

【技术实现步骤摘要】
一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，有机发光二极管由于具有能耗低、色域广、视角宽、响应快等特点，被广泛应用于显示装置中，其中，串联式有机发光二极管中的电流密度较低，能够有效的避免过剩电流导致的热猝灭效应，故串联式有机发光二极管已经成为显示装置中的核心技术。现有技术中的串联式有机发光二极管包括依次层叠的阳极、空穴传输层一、发光层一、电子传输层一、电荷产生层、空穴传输层二、发光层二、电子传输层二和阴极。目前的串联式有机发光二极管中，一部分载流子由驱动电压提供，另一部分载流子在电荷产生层中生成，但是，为了保证串联式有机发光二极管的发光效率，需要提高载流子的注入效率，因此需要提供较高的驱动电压，才能保证串联式有机发光二极管正常发光，导致串联式有机发光二极管正常发光的能耗高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置，用于解决串联式有机发光二极管正常发光所需的驱动电压高，所导致的串联式有机发光二极管正常发光的能耗高的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：第一方面，本专利技术提供一种串联式有机发光二极管，包括依次层叠的阳极、空穴传输层、第一发光层、N型体异质结、PN结型体异质结、P型体异质结、第二发光层、电子传输层和阴极；其中，所述N型体异质结为N型体异质结，所述PN结型体异质结为PN结型体异质结，所述P型体异质结为P型体异质结。第二方面，本专利技术还提供一种阵列基板，包括多个上述技术方案中所述的串联式有机发光二极管。第三方面，本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述技术方案所述的阵列基板。本专利技术提供的串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置中，由于串联式有机发光二极管中的N型体异质结为N型体异质结，PN结型体异质结为PN结型体异质结，P型体异质结为P型体异质结，因此，在N型体异质结与PN结型体异质结之间，以及在PN结型体异质结与P型体异质结之间分别形成了激子形成界面，上述两个激子形成界面能够产生激子，与现有技术中具有一个电荷产生层的串联式有机发光二极管相比，产生的激子数量增加，而且激子中的载流子并不相互结合，从而增加了载流子的数量，使得提供较低的驱动电压就可以保证载流子的注入效率，使串联式有机发光二极管正常发光，降低了串联式有机发光二极管正常发光时的功耗。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例中串联式有机发光二极管的结构示意图；图2为本专利技术实施例中串联式有机发光二极管中的激子形成界面的示意图。附图标记：10-阳极，11-空穴传输层，12-第一发光层，13-N型体异质结，14-PN结型体异质结，15-P型体异质结，16-第二发光层，17-电子传输层，18-阴极，19-激子形成界面。具体实施方式为了进一步说明本专利技术实施例提供的串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术实施例提供的串联式有机发光二极管包括依次层叠的阳极10、空穴传输层11、第一发光层12、N型体异质结13、PN结型体异质结14、P型体异质结15、第二发光层16、电子传输层17和阴极18；其中，N型体异质结13为N型体异质结，PN结型体异质结14为PN结型体异质结，P型体异质结15为P型体异质结。如图2所示，N型体异质结13、PN结型体异质结14和P型体异质结15中会产生激子，而且N型体异质结13与PN结型体异质结14之间、以及PN结型体异质结14与P型体异质结15之间分别形成激子形成界面19，在上述两个激子形成界面19中也会产生激子。需要说明的是，N型体异质结13、PN结型体异质结14、P型体异质结15和上述两个激子形成界面19中产生的激子由电子和空穴组成，但激子中的电子和空穴并未结合，也就是说，N型体异质结13、PN结型体异质结14、P型体异质结15和上述两个激子形成界面19中的激子为发光层提供载流子。此外，本专利技术实施例中的串联式有机发光二极管与现有技术中的串联式有机发光二极管相比，还省去了发光层一的电子传输层和发光层二的空穴传输层，从而降低了串联式有机发光二极管中载流子的注入势垒。本专利技术实施例提供的串联式有机发光二极管中，由于串联式有机发光二极管中的N型体异质结13为N型体异质结，PN结型体异质结14为PN结型体异质结，P型体异质结15为P型体异质结，因此，在N型体异质结13与PN结型体异质结14之间，以及在PN结型体异质结14与P型体异质结15之间分别形成了激子形成界面19，上述两个激子形成界面19能够产生激子，与现有技术中具有一个电荷产生层的串联式有机发光二极管相比，产生的激子数量增加，而且激子中的载流子并不相互结合，从而增加了载流子的数量，使得提供较低的驱动电压就可以保证载流子的注入效率，使串联式有机发光二极管正常发光，降低了串联式有机发光二极管正常发光时的功耗。为了进一步保证上述实施例中的两个激子形成界面19能够产生激子，N型体异质结13由第一有机材料和第二有机材料混合而成，其中，第一有机材料在N型体异质结13中所占比例大于第二有机材料在N型体异质结13中所占比例，第一有机材料的种数与第二有机材料的种数在此并不限定；且N型体异质结13中的第一有机材料的电子迁移率大于1×10-7cm2/V·s，最高占据轨道能级小于-5.5eV，最低未占据轨道能级大于-3.5eV。PN结型体异质结14由第二有机材料与第三有机材料混合而成，第二有机材料为N型有机材料，第三有机材料为P型有机材料，第二有机材料与第三有机材料在PN结型体异质结14中所占比例在此并不限定；其中，第二有机材料的电子迁移率大于1×10-7cm2/V·s，第三有机材料的空穴迁移率大于1×10-7cm2/V·s。P型体异质结15由第三有机材料和第四有机材料混合而成，第三有机材料在P型体异质结15中所占比例小于第四有机材料在P型体异质结15中所占比例，且P型体异质结15中第三有机材料的种数与第四有机材料的种数在此也并不限定；且第四有机材料的空穴迁移率大于1×10-7cm2/V·s，最高占据轨道能级小于-5.0eV，最低未占据轨道能级大于-3.0eV。此外，第一发光层12与第二发光层16均由至少一种主体有机材料和至少一种客体有机材料混合而成。下面将具体举例对组成N型体异质结13、PN结型体异质结14以及P型体异质结15的具体有机材料组成进行说明。N型体异质结13由第一有机材料与第二有机材料混合而成，第一有机材料可以为TmPyPb(即1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯)，第二有机材料可以为C60；PN结型体异质结14由第二有机材料与第三有机材料混合而成，第三有机材料可以为红荧烯、并五苯、四氟四氰基醌二甲烷、CuPc(即酞菁铜)或其他酞箐类衍生物，；P型体异质结15由第三有机材料与第四有机材料混合而成，第四有机材料为TCTA(即4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)。或者，N型体异质结13中的第一有机材料可以为Bphen(即4,7-二苯基-1,10-菲啰本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种串联式有机发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴传输层、第一发光层、第一电荷产生层、第二电荷产生层、第三电荷产生层、第二发光层、电子传输层和阴极；其中，所述第一电荷产生层为N型体异质结，所述第二电荷产生层为PN结型体异质结，所述第三电荷产生层为P型体异质结。

【技术特征摘要】
1.一种串联式有机发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴传输层、第一发光层、N型体异质结、PN结型体异质结、P型体异质结、第二发光层、电子传输层和阴极；所述N型体异质结由第一有机材料和第二有机材料混合而成，其中，所述第一有机材料在所述N型体异质结中所占比例大于所述第二有机材料在所述N型体异质结中所占比例，且所述第一有机材料的电子迁移率大于1×10-7cm2/V·s，最高占据轨道能级小于-5.5eV，最低未占据轨道能级大于-3.5eV；所述PN结型体异质结由第二有机材料和第三有机材料混合而成，其中，所述第二有机材料为N型有机材料，所述第三有机材料为P型有机材料，且所述第二有机材料的电子迁移率大于1×10-7cm2/V·s，所述第三有机材料的空穴迁移率大于1×10-7cm2/V·s；所述P型体异质结为第三有机材料和第四有机材料混合而成，其中，所述第三有机材料在所述P型体异质结中所占比例小于所述第四有机材料在所述P型体异质结中所占比例，且所述第四有机材料的空穴迁移率大于1×10-7cm2/V·s，最高占据轨道能级小于-5.0eV，...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕文涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11