本发明专利技术提供了一种串联式白光有机发光二极管，其包括依次层叠串联的阳极、第一发光单元、中间电子传输层、连接层、中间空穴传输层、第二发光单元以及阴极；其中，第一发光单元出射蓝光，第二发光层出射黄光；或者第一发光单元出射白光；第二发光层出射白光；以及中间电子传输层采用Bphen掺杂有逸出功为低于3eV的活泼金属以吸收中间电子传输层中的峰位大于490nm或小于440nm的电子传输材料，即避开蓝光的吸收，达到增强串联式白光有机发光二极管的蓝光，从而实现出射冷白光的目的。
【技术实现步骤摘要】
白光OLED显不屏及其串联式白光有机发光二极管
本专利技术涉及液晶显示器的
，具体是涉及一种串联式白光有机发光二极管以及使用该串联式白光有机发光二极管的白光OLED显示屏。
技术介绍
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de),具有自发光，高色饱和度，高对比度等优点，是下一代平板显示技术和柔性显示技术的核心。目前小尺寸OLED显示屏已经用于手机和平板电脑中，其成本已经接近液晶显示屏。然而大尺寸OLED显示屏还存在成本过高，寿命短等突出问题，影响了与大尺寸液晶显示屏的竞争。 目前最有希望应用于大尺寸OLED显示屏的技术路线是WOLED(白光0LED)+CF基板，它具有大幅提高产品良率的潜力，其中WOLED通常采用串联式W0LED。 串联式WOLED可以成倍的提高元件效率和寿命，是大尺寸OLED显示屏的核心技术。如何增强串联式WOLED的蓝光实现冷白光，是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种白光OLED显示屏极及其串联式白光有机发光二极管，以解决现有技术中如何增强串联式WOLED的蓝光实现冷白光的技术问题。 为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种串联式白光有机发光二极管，其包括依次层叠串联的阳极、第一发光单兀、中间电子传输层、连接层、中间空穴传输层、第二发光单元以及阴极；其中，第一发光单元出射蓝光，第二发光层出射黄光；或者，第一发光单元出射白光，第二发光层出射白光；以及中间电子传输层米用Bphen掺杂有逸出功为低于3eV的活泼金属以吸收中间电子传输层中的峰位大于490nm或小于440nm的电子传输材料。 其中，第一发光单兀包括:第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层；第二发光单兀包括:第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层。 其中，阳极采用铟锡氧化物ΙΤ0，厚度为60_80nm ;第一空穴传输层采用NPB，厚度为50-70nm ;第一发光层采用DPVBi，厚度为20_30nm ;第一电子传输层采用Bphen，厚度为8-12nm ;中间电子传输层采用Bphen掺杂L1、Na、K、Ru或Cs，厚度为8_12nm ;连接层采用HATCN，厚度为15-25nm ;中间空穴传输层采用NPB，厚度为15_25nm ;第二空穴传输层采用 TCTA，厚度为 8-12nm ;第二发光层采用 45% TCTA:45% Bphen: 10% Ir (ppy) 2tmd:0.2%Ir (mphmq) 2 (tmd),厚度为20_30nm ;第二电子传输层采用Bphen,厚度为35_45nm ;阴极采用Al，厚度为 90-110nm。 其中，阳极采用铟锡氧化物ΙΤ0，厚度为70nm ;第一空穴传输层采用NPB，厚度为60nm ;第一发光层采用DPVBi,厚度为25nm ;第一电子传输层采用Bphen,厚度为1nm ;中间电子传输层采用Bphen掺杂L1、Na、K、Ru或Cs，厚度为1nm ;连接层采用HATCN，厚度为20nm ;中间空穴传输层采用NPB，厚度为20nm ;第二空穴传输层采用TCTA，厚度为1nm ;第二发光层采用 45 % TCTA: 45 % Bphen: 10 % Ir (ppy)2tmd:0.2 % Ir (mphmq) 2 (tmd),厚度为25nm ;第二电子传输层采用Bphen,厚度为40nm ;阴极采用A1,厚度为lOOnm。 其中，中间电子传输层还可米用碱土金属和稀土金属,碱土金属包括Ca、Sr或Ba ；稀土金属包括Ce、Pr、Sm、Eu、Tb或Yb。 其中，连接层还可采用Mo03、W03、V205、Re03。 其中，阴极还包括LiF层，厚度为lnm。 为解决上述问题，本专利技术另一技术方案是提供一种OLED显示屏，其包括多个中联在电路中且层叠于CF基板上的上述串联式白光有机发光二极管。 相对于现有技术，本专利技术提供的白光0LED显示屏极及其串联式白光有机发光二极管的中间电子传输层采用Bphen(4.7-二苯基-1，10-菲咯啉)掺杂有逸出功为低于3eV (电子伏特)的活泼金属以吸收中间电子传输层中的峰位大于490nm或小于440nm的电子传输材料，即避开蓝光的吸收，达到增强串联式白光有机发光二极管的蓝光，从而实现出射冷白光的目的。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1是本专利技术串联式白光有机发光二极管的结构示意图； 图2是本专利技术白光0LED显示屏的结构示意图； 图3是本专利技术优选实施例中串联式白光有机发光二极管的白光光谱图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本专利技术，但不对本专利技术的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本专利技术的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。 请参阅图1，图1是本专利技术串联式白光有机发光二极管的结构简图。本专利技术的串联式白光有机发光二极管100包括依次层叠串联的阳极1、第一发光单兀2、中间电荷产生层3、第二发光单元4以及阴极5。 本专利技术的连接层具有最低未占分子轨道，电子可以从中间空穴传输层的最高占有分子轨道跃迁到连接层的最低未占分子轨道形成偶极子，阳极1与阴极5加上正向电压后，偶极子在外电场作用下解离成空穴和电子，空穴在电场作用下传输至第二发光单元4，与从阴极5注入的电子复合发光，同理，电子在电场作用下传输至第一发光单兀2,与从阳极1注入的空穴复合发光。 第一发光单元2包括第一空穴传输层21、第一发光层22以及第一电子传输层23，中间电荷产生层3包括中间电子传输层31、连接层32以及中间空穴传输层33,第二发光单元4包括第二空穴传输层41、第二发光层42以及第二电子传输层43，阴极5包括第一阴极层51，第二阴极层52，在其实实施例中，阴极5也可以为第一阴极层51，不包含第二阴极层52。 本专利技术的第一发光单元2出射蓝光，第二发光层42出射黄光，当然在其它实施例中，也可以是第一发光单元2、第二发光层42均出射白光，其可根据实际需要的出射光选用材料。 本专利技术的中间电子传输层31采用Bphen (4.7_ 二苯基-1，10-菲咯啉)掺杂有逸出功为低于3eV(电子伏特)的活泼金属以吸收中间电子传输层31中的峰位大于490nm或小于440nm的电子传输材料。 本专利技术的串联式白光有机发光二极管各层的材料成分及厚度范围为:阳极1可采用铟锡氧化物ΙΤ0，厚度为60-80nm，第一空穴传输层21采用NPB(N，N’ - 二(1-萘基)-N，N’ - 二苯基-1，1’ -联苯-4，4’ - 二胺)，厚度为50-70nm ;第一发光层22采用DPVBi[4，4’ 一双(2，2 —二苯基乙烯基)联苯]，厚度为20_30nm，第一电子传输层23采用Bphen,厚度为8_12nm，中间电子传输本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种串联式白光有机发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的阳极、第一发光单元、中间电子传输层、连接层、中间空穴传输层、第二发光单元以及阴极；其中，所述第一发光单元出射蓝光，所述第二发光层出射黄光；或者所述第一发光单元出射白光，所述第二发光层出射白光；所述中间电子传输层采用Bphen掺杂有逸出功为低于3eV的活泼金属以吸收所述中间电子传输层中的峰位大于490nm或小于440nm的电子传输材料。
【技术特征摘要】
1.一种串联式白光有机发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的阳极、第一发光单元、中间电子传输层、连接层、中间空穴传输层、第二发光单元以及阴极；其中， 所述第一发光单元出射蓝光，所述第二发光层出射黄光；或者所述第一发光单元出射白光，所述第二发光层出射白光； 所述中间电子传输层采用Bphen掺杂有逸出功为低于3eV的活泼金属以吸收所述中间电子传输层中的峰位大于490nm或小于440nm的电子传输材料。2.根据权利要求1串联式白光有机发光二极管，其特征在于， 所述第一发光单兀包括:第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层； 所述第二发光单元包括:第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层。3.根据权利要求2串联式白光有机发光二极管，其特征在于， 所述阳极采用铟锡氧化物ITO，厚度为60-80nm ； 所述第一空穴传输层采用NPB，厚度为50-70nm ； 所述第一发光层采用DPVBi，厚度为20-30nm ； 所述第一电子传输层采用Bphen,厚度为8_12nm ； 所述中间电子传输层采用Bphen掺杂L1、Na、K、Ru或Cs,厚度为8_12nm ； 所述连接层采用HATCN，厚度为15-25nm ； 所述中间空穴传输层采用NPB，厚度为15-25nm ； 所述第二空穴传输层采用TCTA，厚度为8-12nm ； 所述第 二发光层采用 45 % TCTA: 45 % Bphen: 10 % Ir (ppy)2tmd:0.2 %Ir (mphmq) 2 (tmd),厚度为 20_30nm ； 所述第二电子传输层采用Bphen,厚度为35_45nm ； 所述阴极采用Al，厚度为90-110nm。4.根据权利要求2串联式白光有机发光二极管，其特征在于， 所述阳极采用铟锡氧化物I...
【专利技术属性】
技术研发人员：李先杰，邹清华，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。