发光二极管灯泡制造技术

一种发光二极管灯泡包括具有抑制电磁干扰的驱动电路。驱动电路包括驱动单元、电源切换单元以及定电流单元。电源切换单元的电感的第一端耦接驱动单元，其第二端分别耦接二极管及第一晶体管，第一晶体管的第三端耦接于接地端，第一阻抗组件连接于二极管的第一端或第二端，第二阻抗组件连接于第一晶体管的第一端或第三端，第三阻抗组件的第一端连接第一晶体管的第二端，且其第二端耦接驱动单元。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管灯泡，特别涉及一种具有抑制电磁干扰(ElectroMagneticInterference,EMI)效果的发光二极管灯泡。
技术介绍
根据公知的卤素灯泡，虽然亮度高且常应用于投射灯，但是由于其耗电量较大(例如50W)，故已渐渐被低瓦数(例如3W～10W)的发光二极管(LED)投射灯泡所取代。在公知的一种LED投射灯中，例如标准的MR16(MultifacetedReflector,多重反射罩)型LED投射灯泡，其驱动电路并无法通过电磁干扰的安规要求(EN55015classB)，甚至超过安规标准达20dB。目前解决电磁干扰问题通常是通过共模扼流圈(CommonmodeChoke，或称共模电感、或共模线圈)来实现。不过，此类组件在原本电路所要求的电流下，体积相当大，无法置入标准的MR16型(ANSI标准，例如ANSIC78.1413-2001)灯泡内。另外，也有使用缓冲(snubber)电路来抑制高频切换所造成的电磁干扰，但是，加入该缓冲电路后对发光效率影响大，而且抑制电磁干扰的效果也相当有限(只有5～10dB的抑制能力)，无法达到安规上的要求。
技术实现思路
本技术的目的是为提供一种具有抑制电磁干扰的发光二极管灯泡。本技术的发光二极管灯泡可在特定的空间要求下达到抑制电磁干扰的效果。优选地，电磁干扰的抑制效果进一步可达到法规上的要求。为达到上述目的，依据本技术的一种发光二极管灯泡，包括壳体、发光单元以及驱动电路。发光单元设置于壳体内。驱动电路设置于壳体内，并与发光单元耦接，驱动电路驱动发光单元发光，并具有驱动单元、电源切换单元以及定电流单元。电源切换单元与驱动单元耦接，并具有电感、二极管、第一晶体管、第一阻抗组件、第二阻抗组件及第三阻抗组件，电感的第一端耦接驱动单元，其第二端分别耦接二极管及第一晶体管，第一晶体管的第三端耦接于接地端，第一阻抗组件连接于二极管的第一端或第二端，第二阻抗组件连接于第一晶体管的第一端或第三端，第三阻抗组件的第一端连接第一晶体管的第二端，且第三阻抗组件的第二端耦接驱动单元。定电流单元分别与电源切换单元、驱动单元及发光单元耦接，且驱动单元控制定电流单元输出一定电流驱动发光单元发光。在一个实施例中，第一阻抗组件连接在电感的第二端与二极管的第一端之间，第一晶体管的第一端分别连接电感的第二端与第一阻抗组件的第一端，且第二阻抗组件连接在第一晶体管的第三端与接地端之间。在一个实施例中，第一阻抗组件连接在电感的第二端与二极管的第一端之间，第二阻抗组件的第一端分别连接于电感的第二端与第一阻抗组件的第一端，第二阻抗组件的第二端连接第一晶体管的第三端，且第一晶体管的第三端连接接地端。在一个实施例中，电感的第二端分别连接二极管的第一端与第一晶体管的第一端，第一阻抗组件连接在二极管的第二端与定电流单元之间，且第二阻抗组件连接在第一晶体管的第三端与接地端之间。在一个实施例中，电感的第二端分别连接二极管的第一端与第二阻抗组件的第一端，第一阻抗组件连接在二极管的第二端与定电流单元之间，第二阻抗组件的第二端连接第一晶体管的第一端，且第一晶体管的第三端连接接地端。在一个实施例中，电源切换单元的第一阻抗组件、或第二阻抗组件、或第三阻抗组件为磁珠或电阻。在一个实施例中，电源切换单元的电感、二极管、第一晶体管、第一阻抗组件、第二阻抗组件及第三阻抗组件整合成集成电路。在一个实施例中，驱动电路进一步包括整流单元及侦测单元。整流单元耦接驱动单元及电源切换单元。侦测单元分别与整流单元、电源切换单元及驱动单元耦接。在一个实施例中，驱动电路进一步包括泄能单元，其分别与电源切换单元、定电流单元与驱动单元耦接，且泄能单元与相位调光器配合应用。在一个实施例中，定电流单元具有第一电容、第四阻抗组件及第五阻抗组件，第一电容的第一端分别连接电源切换单元的二极管的第二端及第四阻抗组件的第一端，第四阻抗组件的第二端连接发光单元的第一端，第五阻抗组件的第一端连接第一电容的第二端，其第二端连接发光单元的第二端。在一个实施例中，定电流单元进一步具有第一电阻、第二电阻及第二晶体管，第一电阻的第一端分别连接第五阻抗组件的第一端与第一电容的第二端，其第二端分别连接第二电阻的第一端与驱动单元，第二电阻的第二端连接接地端，且第二晶体管的第二端与第三端分别耦接驱动单元。在一个实施例中，定电流单元进一步具有第三电阻与第二电容，第二电容的第一端连接第二晶体管的第二端及驱动单元，第三电阻的第一端分别连接第二晶体管的第三端及驱动单元，其第二端连接接地端。在一个实施例中，第四阻抗组件或第五阻抗组件为磁珠或电阻。在一个实施例中，发光二极管灯泡为多重反射罩型发光二极管灯泡。综上所述，在本技术的发光二极管灯泡中，由于主要电磁干扰的原因来自于驱动电路的集成电路的工作频率过高，并且在电源切换单元所产生的问题较为严重。因此，本技术通过设置多个阻抗组件于驱动电路的电源切换单元中，不仅使驱动电路可符合灯泡特定的电路空间要求外，也可达到抑制电磁干扰的效果。在一个实施例中，除了设置多个阻抗组件于电源切换单元外，还在驱动电路的定电流单元上另外设置多个阻抗组件，同样可符合灯泡的特定电路空间要求外，进一步使电磁干扰的抑制效果可达到法规上要求。附图说明图1A为本技术优选实施例的一种发光二极管灯泡的示意图。图1B为图1A的发光二极管灯泡的驱动电路的功能方块示意图。图2A为实施例的驱动电路的电路示意图。图2B为图2A的驱动电路的电源切换单元的电路放大示意图。图2C至图2E分别为本技术优选实施例不同实施方式的驱动电路的电路示意图。图2F为图2E的驱动电路的定电流单元的电路放大示意图。图3A与图3B、图4A与图4B分别为本技术实施例中，驱动电路加上阻抗组件前与加上阻抗组件后，于不同工作频率下的电磁干扰曲线示意图。具体实施方式以下将参照相关附图，说明依本实用优选实施例的具有抑制电磁干扰的发光二极管灯泡，其中相同的组件将以相同的附图标记加以说明。请参照图1A、图1B、图2A及图2B所示，其中，图1A为本技术优选实施例的一种发光二极管灯泡3的示意图，图1B为图1A的发光二极管灯泡3的驱动电路1的功能方块示意图，图2A为实施例的驱动电路1的电路示意图，而图2B为图2A的驱动电路1的电源切换单元14的电路放大示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管灯泡，其特征在于，包括：壳体；发光单元，设置于该壳体内；以及驱动电路，设置于该壳体内，并与该发光单元耦接，该驱动电路驱动该发光单元发光，并具有驱动单元、电源切换单元及定电流单元，该电源切换单元与该驱动单元耦接，并具有电感、二极管、第一晶体管、第一阻抗组件、第二阻抗组件及第三阻抗组件，该电感的第一端耦接该驱动单元，其第二端分别耦接该二极管及该第一晶体管，该第一晶体管的第三端耦接于接地端，该第一阻抗组件连接于该二极管的第一端或第二端，该第二阻抗组件连接于该第一晶体管的第一端或第三端，该第三阻抗组件的第一端连接该第一晶体管的第二端，且该第三阻抗组件的第二端耦接该驱动单元，该定电流单元分别与该电源切换单元、该驱动单元及该发光单元耦接，且该驱动单元控制该定电流单元输出一定电流驱动该发光单元发光。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管灯泡，其特征在于，包括：
壳体；
发光单元，设置于该壳体内；以及
驱动电路，设置于该壳体内，并与该发光单元耦接，该驱动电路驱动该发
光单元发光，并具有驱动单元、电源切换单元及定电流单元，该电源切换单元
与该驱动单元耦接，并具有电感、二极管、第一晶体管、第一阻抗组件、第二
阻抗组件及第三阻抗组件，该电感的第一端耦接该驱动单元，其第二端分别耦
接该二极管及该第一晶体管，该第一晶体管的第三端耦接于接地端，该第一阻
抗组件连接于该二极管的第一端或第二端，该第二阻抗组件连接于该第一晶体
管的第一端或第三端，该第三阻抗组件的第一端连接该第一晶体管的第二端，
且该第三阻抗组件的第二端耦接该驱动单元，该定电流单元分别与该电源切换
单元、该驱动单元及该发光单元耦接，且该驱动单元控制该定电流单元输出一
定电流驱动该发光单元发光。
2.根据权利要求1所述的发光二极管灯泡，其特征在于，其中该第一阻抗组
件连接在该电感的第二端与该二极管的第一端之间，该第一晶体管的第一端分
别连接该电感的第二端与该第一阻抗组件的第一端，且该第二阻抗组件连接在
该第一晶体管的第三端与该接地端之间。
3.根据权利要求1所述的发光二极管灯泡，其特征在于，其中该第一阻抗组
件连接在该电感的第二端与该二极管的第一端之间，该第二阻抗组件的第一端
分别连接于该电感的第二端与该第一阻抗组件的第一端，该第二阻抗组件的第
二端连接该第一晶体管的第三端，且该第一晶体管的第三端连接该接地端。
4.根据权利要求1所述的发光二极管灯泡，其特征在于，其中该电感的第二
端分别连接该二极管的第一端与该第一晶体管的第一端，该第一阻抗组件连接
在该二极管的第二端与该定电流单元之间，且该第二阻抗组件连接在该第一晶
体管的第三端与该接地端之间。
5.根据权利要求1所述的发光二极管灯泡，其特征在于，其中该电感的第二
端分别连接该二极管的第一端与该第二阻抗组件的第一端，该第一阻抗组件连

\t接在该二极管的第二端与该定电流单元之间，该第二阻抗组件的第二端连接该
第一晶体管的第一端，且该第一晶体管的第三端连接该接地端。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊光，陈东佑，
申请(专利权)人：香港商酷异有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71