具有六面式保护层的晶片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有六面式保护层的晶片封装结构，其利用第一、第二、第三保护层分别遮覆在一矩形晶片的第一、第二表面及四个侧表面上，矩形晶片是由一晶圆凭借分割道分割形成，晶圆的第一面上设有第一保护层、多个矩形晶片及多条凹槽，该多条凹槽可利用第一保护层的绝缘材同时填满以形成各分割道；该晶圆是由其第二面进行研磨以显露出各矩形晶片的第二表面及各分割道的底面供用以形成第二保护层；其中各分割道的宽度是大于分割耗损宽度，使各分割道在分割之后能在二相邻的矩形晶片的二相对的侧表面上分别保留一剩余宽度供作为第三保护层。

【技术实现步骤摘要】
具有六面式保护层的晶片封装结构
本技术涉及一种晶片封装结构，尤指一种各利用一保护层以分别包覆在一矩形晶片的第一、第二表面及四个侧表面上而形成一具有六面式保护层的晶片封装结构。
技术介绍
现有的晶片封装制程中都会进行一封胶(molding)程序来使晶粒与外界隔离以避免其上的电性连结用金线被破坏或防止湿气进入晶粒以避免腐蚀或信号破坏。现有的封胶(molding)程序是将完成焊线的导线架放置于治具框架上并加以预热，再将该框架放入压模机的封装模具中，并将半熔融状态的绝缘材如环氧树脂(epoxy)注入封装模具中以包覆在晶片的各表面上，待冷却硬化后即可取出，如此晶片的各表面会被以封胶(molding)方式模塑成型的外壳所包覆；由上可知，现有晶片的封胶(molding)程序须配合压模机及封装模具才能完成，相对会增加压模机的设备成本及封装模具的制作成本。此外，一般的WLCSP晶片(WLCSP，WaferLevelChipScalePackage，晶圆级晶片尺寸封装)只会在晶片的上、下表面(即本案所称的第一、二表面)设置保护层，但延伸在上、下层之间的四个侧表面则未设置保护层；由于高阶的WLCSP晶片在制程中都是凭借机械手臂来准确操作，故晶片的四个侧表面在制程中不致发生碰撞而甚至造成毁损的问题；然而，中低阶的WLCSP晶片一般是不利用机械手臂来操作，以致该WLCSP晶片的四个侧表面在制程中相对会发生碰撞或毁损的问题，故针对中低阶的WLCSP晶片而言，在该晶片的六面上，包含上表面(即本案所称的第一表面)、下表面(即本案所称的第二表面)及四个侧表面等共六个表面，都有设置至少一保护层的需要。然而，若采用现有的封胶(molding)程序模塑成型一外壳的方式来制作一具有六面式保护层的晶片封装结构，在实际制作上不但存有相当的困难度，而且至少会增加压模机的设备成本及封装模具的制作成本，不利于降低中低阶的WLCSP晶片的制作成本。本技术即是针对上述需要而提供一种有效率的解决方案。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种具有六面式保护层的晶片封装结构，其系利用一第一保护层、一第二保护层及一第三保护层以分别对应遮覆在一矩形晶片的第一表面、第二表面及四个侧表面上，其中该矩形晶片是由一晶圆凭借多条分割道所分割形成，该晶圆的第一面上设有该第一保护层、多个矩形晶片及多条凹槽，在封装制程中可利用该第一保护层的绝缘材同时填满各凹槽以形成各分割道；其中该晶圆是由其第二面进行研磨以显露出各矩形晶片的第二表面及各分割道的底面并位于同一平面上，供可在该同一平面上制作并形成该第二保护层；其中各分割道的宽度是大于分割刀具所产生的分割耗损宽度，使各分割道在分割之后能在二相邻的矩形晶片的二相对的侧表面上分别保留一剩余宽度供作为该第三保护层，如此提供一种有效的具有六面式保护层的晶片封装结构，并同时解决现有封胶(molding)程序模塑成型方式不适用于中低阶的WLCSP晶片封装结构的问题。为达成上述目的，本技术提供：一种具有六面式保护层的晶片封装结构，其特征是包含：一矩形晶片，其具有六表面包含：一第一表面其上设有多个焊垫、一相对该第一表面的第二表面、及四个侧表面分别环绕设在该矩形晶片的侧边上且分别延伸在该第一表面与该第二表面之间；其中在该第一表面的各焊垫上分别对应设有一具有适当高度的凸块；该矩形晶片由一晶圆分割形成，该晶圆的第一面上成型设有多个形成阵列排列的矩形晶片及多条分割道，并使二相邻的矩形晶片之间各设有一分割道；其中各矩形晶片的厚度与各分割道的深度相等且都小于该晶圆的厚度；一第一保护层，其设在该矩形晶片的第一表面上，且该第一保护层上设有多个开口供分别对应显露各凸块；一第二保护层，其设在各矩形晶片的第二表面上；及一第三保护层，其一体地设在该四个侧表面上，使该第三保护层能与该第一保护层及该第二保护层结合构成一体的六面式保护层供用来包覆并保护该矩形晶片所具有的六个表面其中各分割道包括在该晶圆的第一面上预设的多条对应于各分割道的凹槽，各凹槽的深度小于该晶圆的厚度而等于各矩形晶片的厚度，在各凹槽中填满绝缘材；其中该晶圆的第二面经过研磨而显露出位于同一平面上的各矩形晶片的第二表面及各分割道的底面，在该晶圆的经过研磨的表面上形成有该第二保护层，使该第二保护层形成于各矩形晶片的第二表面上，且各分割道位于该第一保护层与该第二保护层之间并与该第一保护层及该第二保护层连结成一体；分割后的各矩形晶片具有一由该第三保护层、该第一保护层及该第二保护层所结合构成的一体的六面式保护层供用来包覆并保护各矩形晶片所具有的六个表面。所述的具有六面式保护层的晶片封装结构，其中：在该晶圆的第一面上所预设的多条对应于各分割道的凹槽是利用该第一保护层的绝缘材来填满以形成各分割道。所述的具有六面式保护层的晶片封装结构，其中：该第一保护层、第二保护层、或第三保护层所采用的绝缘材是环氧树脂。所述的具有六面式保护层的晶片封装结构，其中：该第一保护层、第二保护层、或第三保护层是采用旋转涂布或印刷方式形成。所述的具有六面式保护层的晶片封装结构，其中：该第二保护层进一步是利用一两层式胶带来制作形成，其中该两层式胶带是由一在内层的绝缘材层及一在外层的分割用胶带层所构成。如此使分割后的各矩形晶片具有一由该第三保护层、该第一保护层及该第二保护层所结合构成的一体的六面式保护层供用来包覆并保护各矩形晶片所具有的六个表面。附图说明图1是本技术一实施例在晶圆上形成第一保护层时的侧面剖视示意图。图2是图1中在晶圆的各焊垫上形成凸块时的侧面剖视示意图。图3是图2中由晶圆的第二面研磨去除一厚度差部分的侧面剖视示意图。图4是图3中在研磨后的平面上制作形成第二保护层的侧面剖视示意图。图5是图4在分割作业后的侧面剖视图。图6是图3中在研磨后的平面上贴附一两层式胶带的侧面剖视示意图。图7是图6中在分割作业后的侧面剖视图。图8是图7中在分离分割用胶带层后的侧面剖视图。附图标记说明：1晶片封装结构；10矩形晶片；11第一表面；12焊垫；13第二表面；14侧表面；15凸块；20第一保护层；21开口；30第二保护层；31分割用胶带层；40第三保护层；40第三保护层；2晶圆；2a厚度差；201第一面；202分割道；202a分割耗损宽度；202b剩余宽度；203凹槽；204第二面；205底面。具体实施方式配合图示，将本技术的结构及其技术特征详述如后，其中各图示只用以说明本技术的结构关系及相关功能，因此各元件的尺寸并非依实际比例设置且非用以限制本技术。参考图1至图5，本技术提供一种具有六面式保护层的晶片封装结构1，其主要包含：一矩形晶片10、一第一保护层20、一第二保护层30、及一第三保护层40。参考图1至图5，该矩形晶片10具有六表面，该六表面包含：一第一表面11其上设有多个焊垫12、一相对该第一表面11的第二表面13、及四个侧表面14分别环绕设在该矩形晶片10的侧边上且分别延伸位于该第一表面11与该第二表面13之间。在该第一表面11的各焊垫12上分别对应设有一具适当高度的凸块(bump)15。该矩形晶片10由一晶圆2分割形成，该晶圆2的第一面201上成型设有多个形成阵列排列的矩形晶片10及多条分割道202，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有六面式保护层的晶片封装结构，其特征是包含：一矩形晶片，其具有六表面包含：一第一表面其上设有多个焊垫、一相对该第一表面的第二表面、及四个侧表面分别环绕设在该矩形晶片的侧边上且分别延伸在该第一表面与该第二表面之间；其中在该第一表面的各焊垫上分别对应设有一具有适当高度的凸块；该矩形晶片由一晶圆分割形成，该晶圆的第一面上成型设有多个形成阵列排列的矩形晶片及多条分割道，并使二相邻的矩形晶片之间各设有一分割道；其中各矩形晶片的厚度与各分割道的深度相等且都小于该晶圆的厚度；一第一保护层，其设在该矩形晶片的第一表面上，且该第一保护层上设有多个开口供分别对应显露各凸块；一第二保护层，其设在各矩形晶片的第二表面上；及一第三保护层，其一体地设在该四个侧表面上，使该第三保护层能与该第一保护层及该第二保护层结合构成一体的六面式保护层供用来包覆并保护该矩形晶片所具有的六个表面其中各分割道包括在该晶圆的第一面上预设的多条对应于各分割道的凹槽，各凹槽的深度小于该晶圆的厚度而等于各矩形晶片的厚度，在各凹槽中填满绝缘材；其中该晶圆的第二面经过研磨而显露出位于同一平面上的各矩形晶片的第二表面及各分割道的底面，在该晶圆的经过研磨的表面上形成有该第二保护层，使该第二保护层形成于各矩形晶片的第二表面上，且各分割道位于该第一保护层与该第二保护层之间并与该第一保护层及该第二保护层连结成一体；分割后的各矩形晶片具有一由该第三保护层、该第一保护层及该第二保护层所结合构成的一体的六面式保护层供用来包覆并保护各矩形晶片所具有的六个表面。...

【技术特征摘要】
1.一种具有六面式保护层的晶片封装结构，其特征是包含：一矩形晶片，其具有六表面包含：一第一表面其上设有多个焊垫、一相对该第一表面的第二表面、及四个侧表面分别环绕设在该矩形晶片的侧边上且分别延伸在该第一表面与该第二表面之间；其中在该第一表面的各焊垫上分别对应设有一具有适当高度的凸块；该矩形晶片由一晶圆分割形成，该晶圆的第一面上成型设有多个形成阵列排列的矩形晶片及多条分割道，并使二相邻的矩形晶片之间各设有一分割道；其中各矩形晶片的厚度与各分割道的深度相等且都小于该晶圆的厚度；一第一保护层，其设在该矩形晶片的第一表面上，且该第一保护层上设有多个开口供分别对应显露各凸块；一第二保护层，其设在各矩形晶片的第二表面上；及一第三保护层，其一体地设在该四个侧表面上，使该第三保护层能与该第一保护层及该第二保护层结合构成一体的六面式保护层供用来包覆并保护该矩形晶片所具有的六个表面其中各分割道包括在该晶圆的第一面上预设的多条对应于各分割道的凹槽，各凹槽的深度小于该晶圆的厚度而等于各矩形晶片的厚度，在各凹槽中填满绝缘材；其中该晶圆的第二面经过研磨而显露出位于同一平面上的各矩形...

【专利技术属性】
技术研发人员：璩泽明，
申请(专利权)人：茂邦电子有限公司，
类型：新型
国别省市：萨摩亚,WS