一种覆晶薄膜(COF)封装方法技术

本发明专利技术提供了一种覆晶薄膜(COF)封装方法，包括：在芯片功能区上形成多个第一金属凸点；在柔性电路板金属层上形成多个第二金属凸点；在所述第一金属凸点或所述第二金属凸点上涂上导电胶柱；将所述多个第一金属凸点和所述多个第二金属点一一相向对应并通过所述导电胶柱连接；在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封体。本发明专利技术提供的封装方法，既能解决现有结构中凸点高度难以控制且其制备方法较难的问题，又能降低成本，提高封装效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体
，尤其涉及一种覆晶薄膜(COF)封装方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化以及高可靠性方向发展，而集成电路封装直接影响着集成电路、电子模块乃至整机性能，在集成电路晶片尺寸逐步缩小、集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装结束提出了越来越高的要求。目前的芯片通过底填方式倒装在作为载体的柔性电路板(薄膜)上，芯片与膜上覆盖的金属层通过金属柱相连，与外界电性连接。典型的覆晶薄膜(COF)的方法流程包括:浇铸法制无胶FCCL、制作精细线路、涂覆阻焊层、焊盘镀Ni/Au、IC安装、被动元件焊接(回流焊)、LCD面板安装等步骤。但在上述方法中，在芯片上制备较高的凸点(bump)时，存在一些影响芯片制造良率的问题: (I)凸点(bump)的高度控制IC芯片下方的凸点(bump)难以控制其高度完全一致，高低不平易使芯片失效；(2)在膜上生产凸点(bump)其制备方法较难。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本专利技术提供一种覆晶薄膜(COF)封装方法。本专利技术提供了一种覆晶薄膜(COF)封装方法，包括:在芯片功能区上形成多个第一金属凸点；在柔性电路板金属层上形成多个第二金属凸点；在所述第一金属凸点或所述第二金属凸点上涂上导电胶柱；将所述多个第一金属凸点和所述多个第二金属点一一相向对应并通过所述导电胶柱连接；在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封体。与现有技术相比，本专利技术提供的封装方法，既能解决现有结构中凸点高度难以控制且其制备方法较难的问题，又能降低成本，提高封装效率。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的覆晶薄膜(COF)封装方法的一种实施例的方法流程图；图2-图6为本专利技术提供的覆晶薄膜(COF)封装方法的一种实施例的结构示意图。附图标记:1-芯片;2-柔性电路板;3-金属层;4-导电胶柱；5-第一金属凸点;6-第二金属凸点;7-塑封体。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。如图1，本实施例提供了一种覆晶薄膜(COF)封装方法，包括:S10:在芯片功能区上形成多个第一金属凸点；S20:在柔性电路板金属层上形成多个第二金属凸点；S30:在第一金属凸点或第二金属凸点上涂上导电胶柱；S40:将多个第一金属凸点和多个第二金属点一一相向对应并通过导电胶柱连接；S50:在芯片与柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封体。首先，执行步骤S10，如图2所示，在芯片I功能区上形成多个第一金属凸点5;执行步骤S20，如图3所示，在柔性电路板2金属层3上形成多个第二金属凸点6;可选的，本实施例提供的第一金属凸点5和第二金属凸点的材料为金属铜。节约成本，导电性能良好，且容易制作。执行步骤S30，在所述第一金属凸点5或所述第二金属凸点6上涂上导电胶柱4。如图4，在本实施例中，在第一金属凸点5上涂布导电胶柱。优选地，本实施例提供的导电胶柱4材料是异方向性导电胶(ACF)，由于异方向性导电胶(ACF)只能在垂直方向上导电，而不能在平行方向上导电，所以减小第一金属凸点或第二凸点之间的距离而不会使第一金属凸点或第二金属凸点6之间导电而发生短路。执行步骤S40，如图5，将所述多个第一金属凸5和多个第二金属点6相向对应并通过所述导电胶柱4连接。优选地，如图5，本实施例提供的第一金属凸点5、第二金属凸点6和导电胶柱4均为圆形柱体。方便对接，同时也方便后续步骤中第一金属凸点和第二金属凸点的压合。优选地，如图5，本实施例提供的第一金属凸点5、导电胶柱4和第二金属凸点6的轴线在一条直线上。优选地，如图5，本实施例提供的导电胶柱4的截面直径大于第一金属凸点5和第二金属凸点6的截面直径。执行步骤S50，如图6，在芯片I与柔性电路板2之间用塑封底填料填充并形成塑封体7 0优选地，在执行步骤S50之前，压合芯片I和柔性电路板2，使第一金属凸点5和第二金属凸点2对导电胶柱4施加一个垂直方向的压力。使得导电胶柱固化，并能在垂直方向上较好地进行传递电信号。优选第，本实施例提供的塑封体填料包覆第一金属凸点5、第二金属凸点6和导电胶柱4。通过塑封体填料包覆，使得第一金属凸点、第二金属凸点和导电胶柱结构稳定，防湿、防潮。优选第，本实施例提供的塑封体填料的材料为环氧树脂。这种材料的密封性能较好、塑封容易，是形成塑封体的较佳材料。本专利技术提供的五面金属化晶圆级封装方法，在封装体的下表面和侧面均形成金属镀层，形成五面金属化的晶圆级封装产品，、尽量不改变芯片的面积和体积的情况下，实现芯片之间的抗电磁干扰，在提高封装精度，具有较高的集成度和整合度。以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的专利技术范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述专利技术构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。【主权项】1.一种覆晶薄膜(COF)封装方法，其特征在于，包括: 在芯片功能区上形成多个第一金属凸点； 在柔性电路板金属层上形成多个第二金属凸点； 在所述第一金属凸点或所述第二金属凸点上涂上导电胶柱； 将所述多个第一金属凸点和所述多个第二金属点一一相向对应并通过所述导电胶柱连接；以及 在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封体。2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，还包括压合所述芯片和所述柔性电路板，使所述第一金属凸点和所述第二金属凸点对所述导电胶柱施加一个垂直方向的压力。3.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，所述导电胶柱材料为异方向性导电胶。4.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，所述第一金属凸点和所述第二金属凸点的材料为金属铜。5.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，所述第一金属凸点、第二金属凸点和导电胶柱均为圆形柱体。6.根据权利要求5所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，所述第一金属凸点、所述导电胶柱和所述第二金属凸点的轴线在一条直线上。7.根据权利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，所述导电胶柱的截面直径大于所述第一金属凸点和所述第二金属凸点的截面直径。8.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，所述塑封体填料包覆所述第一金属凸点、所述第二金属凸点和所述导电胶柱。9.根据权利要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶薄膜(COF)封装方法，其特征在于，包括：在芯片功能区上形成多个第一金属凸点；在柔性电路板金属层上形成多个第二金属凸点；在所述第一金属凸点或所述第二金属凸点上涂上导电胶柱；将所述多个第一金属凸点和所述多个第二金属点一一相向对应并通过所述导电胶柱连接；以及在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32