一种覆晶薄膜(COF)封装方法技术

本发明专利技术提供了一种覆晶薄膜(COF)封装方法，包括：在芯片功能区上形成多个第一金属凸点；在柔性电路板金属层上形成多个第二金属凸点；在所述第一金属凸点或所述第二金属凸点上涂上导电胶柱；将所述多个第一金属凸点和所述多个第二金属点一一相向对应并通过所述导电胶柱连接；在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封体。本发明专利技术提供的封装方法，既能解决现有结构中凸点高度难以控制且其制备方法较难的问题，又能降低成本，提高封装效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体
，尤其涉及一种覆晶薄膜(COF)封装方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化以及高可靠性方向发展，而集成电路封装直接影响着集成电路、电子模块乃至整机性能，在集成电路晶片尺寸逐步缩小、集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装结束提出了越来越高的要求。目前的芯片通过底填方式倒装在作为载体的柔性电路板(薄膜)上，芯片与膜上覆盖的金属层通过金属柱相连，与外界电性连接。典型的覆晶薄膜(COF)的方法流程包括:浇铸法制无胶FCCL、制作精细线路、涂覆阻焊层、焊盘镀Ni/Au、IC安装、被动元件焊接(回流焊)、LCD面板安装等步骤。但在上述方法中，在芯片上制备较高的凸点(bump)时，存在一些影响芯片制造良率的问题: (I)凸点(bump)的高度控制IC芯片下方的凸点(bump)难以控制其高度完全一致，高低不平易使芯片失效；(2)在膜上生产凸点(bump)其制备方法较难。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本专利技术提供一种覆晶薄膜(COF)封装方法。本专利技术提供了一种覆晶薄膜(COF)封装方法，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶薄膜(COF)封装方法，其特征在于，包括：在芯片功能区上形成多个第一金属凸点；在柔性电路板金属层上形成多个第二金属凸点；在所述第一金属凸点或所述第二金属凸点上涂上导电胶柱；将所述多个第一金属凸点和所述多个第二金属点一一相向对应并通过所述导电胶柱连接；以及在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32