一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构制造技术

一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立焊盘、B独立焊盘、C独立焊盘、公共焊盘和三角形结构绿漆；蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片均为垂直结构的芯片，基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有导电孔，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共焊盘及A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘，三个LED芯片通过导电底胶分别连接在三个独立焊盘上，所述三个LED芯片表面电极分别通过一根键合线连接到公共焊盘上，基板背面中部设置有三角形结构绿漆。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，实现超高密显示的LED全彩应用。

Vertical structure LED chip packaging structure for realizing ultra high density display

A vertical structure of LED chip packaging structure for ultrahigh density display, which comprises a substrate, a blue LED chip, LED chip and red green LED chip, bonding wire, A pad, B independent pad, C independent pad, pad and triangle structure of public green paint; green light blue LED chip, LED red chip and LED chip are the vertical structure of the chip, substrate front and back are respectively provided with a front and back circuit circuit, and a conductive hole is arranged on the substrate, the substrate of the front line of the circuit is arranged on a common pad and A independent pad, B welding disk and C independent pad, three LED chips are respectively connected to three separate pads through the conductive adhesive, the three LED chip surface electrode wire connected to the public through a key pad on the back of the substrate, is provided in the middle of a triangle Structure green paint. The packaging structure greatly reduces the size of the LED packaging structure and realizes the ultra high density display of LED full-color applications.

【技术实现步骤摘要】
一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构
本专利技术涉及LED封装
，具体涉及一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构。
技术介绍
随着室内显示应用技术不断提高，传统显示产品技术逐渐登顶，室内小间距产品成为未来主要的技术拓展空间；为取代LCD、DLP室内高清显示产品，用于小间距显示屏的LED封装结构的尺寸要做的更小来缩小显示屏的像素点距离，实现高清显示功能。传统小间距LED封装结构采用表面双电极的芯片设计，在LED封装过程需通过两条键合线分别将两个电极与BT板焊盘相连接达到导通的作用。焊线键合对芯片的电极和BT板焊盘的距离有要求，距离太小，会造成无法焊接或者焊接可靠性低的问题，因而制约了小间距LED的封装尺寸的缩小。
技术实现思路
为解决上述技术问题，我们提出了一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，该LED封装结构的长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm，实现超高密显示的LED全彩应用。为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立焊盘、B独立焊盘、C独立焊盘、公共焊盘和三角形结构绿漆；所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片均为垂直结构的芯片，所述基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共焊盘并于放置所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片的区域分别设置有所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘，所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘呈“品”字结构，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片通过导电底胶分别连接在所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘上，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片表面电极分别通过一根所述键合线连接到所述公共焊盘上，所述基板背面中部设置有三角形结构绿漆。优选的，所述基板的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合。优选的，所述基板正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。优选的，所述导电孔的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。通过上述技术方案，本专利技术通过采用导电底胶把所述垂直结构的蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片分别连接在所述基板上的所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘上，然后每个LED芯片只需要一根所述键合线与所述基板上所述公共焊盘相连接即可达到导通作用。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，其长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大缩小显示屏的像素点距离，实现超高密显示的LED全彩应用，应用效果极佳。该封装结构使室内显示应用技术的水平又提高了一个台阶。为室内小间距显示应用技术做出了巨大的贡献。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所公开的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构正面结构示意图；图2为本专利技术实施例所公开的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构背面结构示意图。图中数字和字母所表示的相应部件名称：1、基板2、蓝光LED芯片3、绿光LED芯片4、红光LED芯片5、键合线6、A独立焊盘7、B独立焊盘8、C独立焊盘9、公共焊盘10、三角形结构绿漆11、导电孔具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合实施例和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例.如图1和图2所示，一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，包括基板1、蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3、红光LED芯片4、键合线5、A独立焊盘6、B独立焊盘7、C独立焊盘8、公共焊盘9和三角形结构绿漆10；所述蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3和红光LED芯片4均为垂直结构的芯片，所述基板1的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板1上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔11，所述导电孔11从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板1的正面电路线路上设置有一个公共焊盘9并于放置所述蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3和红光LED芯片4的区域分别设置有所述A独立焊盘6、B独立焊盘7和C独立焊盘8，所述A独立焊盘6、B独立焊盘7和C独立焊盘8呈“品”字结构，所述蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3和红光LED芯片4通过导电底胶分别连接在所述A独立焊盘6、B独立焊盘7和C独立焊盘8上，所述蓝光LED芯片6、绿光LED芯片7和红光LED芯片8表面电极分别通过一根所述键合线5连接到所述公共焊盘9上，所述基板1背面中部设置有三角形结构绿漆10。所述基板1的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合。所述基板1正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。所述导电孔11的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔11内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。通过上述技术方案，本专利技术通过采用导电底胶把所述垂直结构的蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3和红光LED芯片4分别连接在所述基板1上的所述A独立焊盘6、B独立焊盘7和C独立焊盘8上，然后每个LED芯片只需要一根所述键合线5与所述基板1上的所述公共焊盘9相连接即可达到导通作用。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，其长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大缩小显示屏的像素点距离，实现超高密显示的LED全彩应用，应用效果极佳。该封装结构使室内显示应用技术的水平又提高了一个台阶。为室内小间距显示应用技术做出了巨大的贡献。以上所述的仅是本专利技术的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立焊盘、B独立焊盘、C独立焊盘、公共焊盘和三角形结构绿漆；所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片均为垂直结构的芯片，所述基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共焊盘并于放置所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片的区域分别设置有所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘，所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘呈“品”字结构，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片通过导电底胶分别连接在所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘上，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片表面电极分别通过一根所述键合线连接到所述公共焊盘上，所述基板背面中部设置有三角形结构绿漆。

【技术特征摘要】
1.一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立焊盘、B独立焊盘、C独立焊盘、公共焊盘和三角形结构绿漆；所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片均为垂直结构的芯片，所述基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共焊盘并于放置所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片的区域分别设置有所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘，所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘呈“品”字结构，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片通过导电底胶分别连接在所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚文，邵鹏睿，
申请(专利权)人：苏州晶台光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32