GAN-类LED用反射接触制造技术

本发明专利技术涉及GAN-类LED用反射接触。公开具有反射接触的发光二极管(LED)组件的形成方法，和提供该方法形成的LED组件。在一个实施方案中，该方法包括形成在基板表面上形成LED，所述LED包括在具有第一导电性类型的包括化合物半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括化合物半导体材料的第二层之间设置的发光层，所述化合物半导体材料包括III族元素和V族元素。该方法进一步包括形成从第一层的与第二层相反的表面向内延伸的氧化区域。在一个实施方案中，氧化区域通过将第一层的表面进行氧(O2)等离子体灰化来形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体发光二极管(LED)装置和组件。
技术介绍
一般，发光二极管(LED)由半导体生长基板，典型地为III-V族化合物开始。外延半导体层生长在半导体生长基板上从而形成LED的N-型和P-型半导体层。发光层形成于LED的N-型与P-型半导体层之间的界面处。在形成外延半导体层之后，将电接触连接至N-型和P-型半导体层。将单个的LED切成小块且用引线接合安装至封装体。密封剂沉积在LED上，并且LED用也有助于光提取的保护镜片密封。当电压施加至电接触时，电流将在各接触之间流动，使光子通过发光层发出。有许多不同类型的LED组件，包括横向LED、垂直LED、倒装芯片型LED和混合LED(垂直和倒装芯片型LED结构的组合)。大部分类型的LED组件利用LED和底层基板或基台之间的反射接触从而反射朝向基板或基台向下产生的光子。通过使用反射接触，使更多的光子逃脱LED而不是被基板或基台吸收，改进LED组件的总体光输出功率和光输出效率。接触的反射率越高，光输出功率和光输出效率的改进越大。典型地，银(Ag)由于其高的反射率(在可见光波长范围中大于90％)而用于反射接触。然而，银(Ag)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管LED组件，其包括：包括在具有第一导电性类型的包括III‑V族半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括III‑V族半导体材料的第二层之间设置的发光层的LED，所述第一层具有从所述第一层的与所述第二层相反的表面向内延伸的氧化区域；和设置于所述第一层的与所述第二层相反的表面上且电连接至所述第一层的第一接触。

【技术特征摘要】
2015.03.23 US 14/665,6321.一种发光二极管LED组件，其包括：包括在具有第一导电性类型的包括III-V族半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括III-V族半导体材料的第二层之间设置的发光层的LED，所述第一层具有从所述第一层的与所述第二层相反的表面向内延伸的氧化区域；和设置于所述第一层的与所述第二层相反的表面上且电连接至所述第一层的第一接触。2.根据权利要求1所述的LED组件，其进一步包括设置于所述第二层的表面上且电连接至所述第二层的第二接触。3.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述氧化区域的氧的浓度与III族元素的浓度的比例为1:1000至1:10。4.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述氧化区域从所述第一层的与所述第二层相反的表面向内延伸至多70nm。5.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述III-V族半导体材料为氮化镓GaN。6.根据权利要求5所述的LED组件，其中所述氧化区域包括氧化镓Ga2O3。7.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述第一接触包括单质或合金。8.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述第一接触为银Ag。9.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述第一接触在所述第一接触与所述第一层的界面处基本上没有镍Ni、锌Zn、钯Pd、钛Ti、或具有比银Ag低的光学反射率的任何材料。10.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述第一接触与所述第一层形成欧姆接触。11.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述第一接触具有基本上均一
\t的厚度。12.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述第一接触的与所述第一层相反的表面是基本上平的。13.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述第一接触的与所述第一层相反的表面基本上没有凸起和凹陷。14.根据权利要求1所述的LED组件，其中所述第一接触具有在90％至99％之间的光学反射率。15.一种发光二极管LED组件的形成方法，其包括：提供基板；在所述基板的表面上形成LED，所述LED包括在具有第一导电性类型的包括III-V族半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括III-V族半导体材料的第二层之间设置的发光层；形成从所述第一层的与所述第二层相反的表面向内延伸的氧化区域；和在所述第一层的所述表面上沉积第一接触。16.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤泰介，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP