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本发明涉及GAN-类LED用反射接触。公开具有反射接触的发光二极管(LED)组件的形成方法，和提供该方法形成的LED组件。在一个实施方案中，该方法包括形成在基板表面上形成LED，所述LED包括在具有第一导电性类型的包括化合物半导体材料的第一...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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