The invention discloses a flip chip white LED chip and its manufacturing method, light emitting from micro structure is fixed on one side of a fluorescent film on the substrate, thus completing the flip chip white LED package, do not need to be used for curing epoxy resin package, simplify the packaging process, improve the encapsulation efficiency; in addition, the present invention directly to a plurality of light emitting micro structure embedded into the fluorescent diaphragm, thereby eliminating the traditional LED flip chip package due to leakage caused by the uneven color blue, uneven light, poor phosphor side spraying, improves the stability of LED flip chip package of white light.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体照明领域,尤其涉及一种LED芯片及其制造方法。
技术介绍
LED作为新一代固体冷光源,具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点,是理想的节能环保产品,适用各种照明场所。倒装结构LED芯片具有电流分布均匀、散热好、电压低、效率高等优点,迅速受到广泛的关注,并取得了一系列进展。由于倒装结构LED芯片是从蓝宝石背面出光,因此在传统的封装过程中需要在单颗倒装结构LED芯片的蓝宝石背面涂抹荧光粉,然后利用环氧树脂进行固化。与传统的正装结构LED芯片相比,现有技术的倒装结构LED芯片在封装工艺上已经得到了很大的简化,但依然存在较多的问题,如倒装芯片的荧光粉涂抹不均匀,出现漏蓝,光色不均匀、光型不佳等问题,此外,封装填充材料的填充工艺等问题,制约了倒装结构LED芯片的广泛应用。
技术实现思路
为了简化倒装LED芯片的封装工艺,扩展倒装LED芯片的应用领域,本专利技术提供一种倒装白光LED芯片及其制造方法。一种倒装白光LED芯片的制造方法,包括:提供一衬底;在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构,所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层,位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极,位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层,位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层,位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极,所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘;沿所述发光微结构的边缘对所述衬底进行切割;固定一荧光膜片于所述衬底背离所述发光微结构一侧,其中,所述发光微结构嵌入到所述荧光膜片中;沿所述发光微结构的边缘对所述荧光膜片进行 ...
【技术保护点】
一种倒装白光LED芯片的制造方法,包括:提供一衬底;在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构,所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层,位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极,位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层,位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层,位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极,所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘;沿所述发光微结构的边缘对所述衬底进行切割;固定一荧光膜片于所述衬底背离所述发光微结构一侧,其中,所述发光微结构嵌入到所述荧光膜片中;沿所述发光微结构的边缘对所述荧光膜片进行切割,以得到多个倒装白光LED芯片。
【技术特征摘要】
1.一种倒装白光LED芯片的制造方法,包括:提供一衬底;在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构,所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层,位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极,位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层,位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层,位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极,所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘;沿所述发光微结构的边缘对所述衬底进行切割;固定一荧光膜片于所述衬底背离所述发光微结构一侧,其中,所述发光微结构嵌入到所述荧光膜片中;沿所述发光微结构的边缘对所述荧光膜片进行切割,以得到多个倒装白光LED芯片。2.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法,其特征在于,所述荧光膜片由荧光粉和硅胶材料通过恒温热压机热压成片状形成。3.根据权利要求2所述的LED芯片的制造方法,其特征在于,所述恒温热压机热压的温度范围为80℃~250℃。4.根据权利要求2-3中任一所述的LED芯片的制造方法,其特征在于,所述荧光膜片中荧光粉的比例在3-50%之间。...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐亮,何键云,
申请(专利权)人:佛山市国星半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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