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一种LED芯片及其制造方法，属于半导体领域，本发明第二金属电极下方区域外延层被刻蚀减薄，形成第二沟槽；于第二沟槽内沉积第二金属电极；第二沟槽的设置，可增加第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层的接触面积，间接降低接触电阻，进而降低LED芯片的工...
该专利属于扬州中科半导体照明有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州中科半导体照明有限公司授权不得商用。

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