半导体发光元件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体发光元件及其制作方法。其半导体发光元件，包括基板、至少一配置于基板上的发光单元、至少覆盖发光单元的上表面的荧光层以及配置于基板上并环绕发光单元的反射层。一种半导体发光元件的制作方法亦被提出。本发明专利技术提供的半导体发光元件的反射层可以遮蔽发光单元自侧表面所发出的光束，进而使半导体发光元件可以发出具有良好质量的光。本发明专利技术同时提供的半导体发光元件的制作方法在以荧光层以及反射层封装发光单元时会遮蔽发光单元的侧表面，进而做出可以发出良好质量的光的半导体发光元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件及其制作方法，尤其涉及一种半导体发光元件及其制作方法。
技术介绍
在现有的光源产品中，藉由半导体形成的例如是发光二极管、有机发光二极管及高分子发光二极管等的固态照明已经广泛的应用于人类的生活中。同时，发光二极管藉由低耗电、高寿命、体积小等优点已经广泛得取代传统光源。为了提供适当的色光，现有以发光二极管形成的光源除了会藉由发光二极管来发光外，还会让发光二极管发出的光激发荧光粉来产生激发光，进而使发光二极管所发出的光与激发光可以混成适当的颜色。然而，荧光粉的喷涂质量也会直接影响到光源的整体发光质量。荧光粉的喷涂质量尤其在发光二极管的侧表面容易出现厚度不一或分布不均的情形。以蓝光发光二极管以及黄色荧光粉为例，当荧光粉在发光二极管的侧表面分布太少或甚至直接暴露发光二极管时，整体光源就会在发光时于侧面(即大角度方向)发出蓝色光束。当荧光粉在发光二极管的侧表面分布太多时，整体光源就会在发光时于侧面发出。上述两个情形都会降低整体光源的发光质量，进而使光源的良率降低，并使整体制作成本提高。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体发光元件，其具有良好的发光质量。本专利技术提供一种半导体发光元件的制作方法，其可以制作出具有良好的发光质量的半导体发光元件。本专利技术的实施例的一种半导体发光元件包括基板、至少一配置于基板上的发光单元、至少覆盖发光单元的上表面的荧光层以及配置于基板上并环绕
发光单元的反射层。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层覆盖发光单元的侧表面。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层的上表面与发光单元的上表面齐平。在本专利技术的一实施例中，上述的荧光层将发光单元封装于基板上，且反射层覆盖于封装发光单元的荧光层的侧表面。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层的上表面较发光单元的上表面高。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体发光元件还包括一封装胶体。封装胶体将发光单元、荧光层以及反射层封装于基板上。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体发光元件还包括一阻挡墙，阻挡墙配置于基板上并环绕一发光区域，发光单元、荧光层以及反射层配置于发光区域中。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层的上表面实质上低于阻挡墙的上表面以及发光单元的上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的发光单元是由多个发光芯片形成，这些发光芯片互相连接。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体发光元件包括多个发光单元时，反射层更配置于这些发光单元之间。本专利技术的实施例的一种半导体发光元件的制作方法包括提供一基板；配置至少一发光单元于基板上；以及以一荧光层以及一反射层封装发光单元于基板上，其中荧光层至少覆盖发光单元的上表面，反射层环绕发光单元。在本专利技术的一实施例中，上述的以荧光层以及反射层封装发光单元于基板上的步骤还包括配置反射层于基板上并覆盖发光单元的侧表面，以及在反射层覆盖发光单元的侧表面后配置荧光层于发光单元的上表面或发光单元以及反射层的上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层的上表面与发光单元的上表面实质上齐平。在本专利技术的一实施例中，上述的以荧光层以及反射层封装发光单元于基板上的步骤还包括以荧光层封装发光单元于基板上，以及配置反射层于封装发光单元的荧光层的侧表面。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层的上表面实质上较发光单元的上表面高。在本专利技术的一实施例中，上述的以荧光层以及反射层封装发光单元于基板上的步骤之后更以一封装胶体将发光单元、荧光层以及反射层封装于基板上。在本专利技术的一实施例中，上述的以荧光层以及反射层封装发光单元于基板上的步骤之前更配置一阻挡墙于基板上并环绕一发光区域。发光单元、荧光层以及反射层配置于发光区域中。在本专利技术的一实施例中，当上述的荧光层以及反射层封装发光单元于基板上时，阻挡墙适于限制反射层于发光区域中。在本专利技术的一实施例中，配置上述的发光单元于基板上的步骤更配置多个互相连接的发光芯片于基板上，这些发光芯片形成发光单元。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制作方法配置多个发光单元于基板上时，反射层更配置于这些发光单元之间。基于上述，本专利技术的实施例的半导体发光元件的反射层可以遮蔽发光单元自侧表面所发出的光束，进而使半导体发光元件可以发出具有良好质量的光。本专利技术的实施例的半导体发光元件的制作方法在以荧光层以及反射层封装发光单元时会遮蔽发光单元的侧表面，进而做出可以发出良好质量的光的半导体发光元件。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术的第一实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图；图1B是根据图1A中剖面线I1I1所显示的剖视图；图2A至图2D是依照本专利技术的第二实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图；图3A至图3D是依照本专利技术的第三实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图；图4是依照本专利技术的第四实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图；图5A至图5D是依照本专利技术的第四实施例的半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图；图6A至图6D是依照本专利技术的第五实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图；图7A是依照本专利技术的第六实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图；图7B是根据图7A的剖面线I3I3所显示的剖视图。附图标记：A、B、C：区域100、100A、100B、100C、100D、100E：发光元件110、110A、110B、110C、110D、110E：基板111、111A、111B、111C、111D：上表面120、120A、120B、120C、120D、120E：发光单元121、121A、121B、121C、121D、121E：上表面122C、122D：发光芯片123、123A、123B、123C、123D：侧表面130、130A、130B、130C、130D、130E：荧光层131B：侧表面140、140A、140B、140C、140D、140E：反射层141A、141B、141E：上表面150A、150B：封装胶体160C、160D、160E：阻挡墙161E：上表面170E：金属层171E：金属表面具体实施方式图1A是依照本专利技术的第一实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图。图1B是根据图1A中剖面线I1I1所显示的剖视图。请参照图1A及图1B，本专利技术的第一实施例的半导体发光元件100包括基板110、配置于基板110上的发光单元120、荧光层130以及反射层140。荧光层130至少覆盖发光单元
120的上表面121，反射层140在基板110上环绕发光单元120。换句话说，在本实施例的半导体发光元件100中，荧光层130邻近发光单元120的上表面121，而反射层140邻近发光单元120的侧表面123。本专利技术的第一实施例的半导体发光元件100藉由荧光层130以及反射层140将发光单元120封装于基板110的表面111上，荧光层130由于覆盖于发光单元120的上表面121因此可以轻易的形成良好的厚度，因此发光单元120自上表面121发出的光束可以经由荧光层130转换成适当的颜色。另一方面，反射层140可以遮蔽或反射发光单元120自侧表面123发出的光束，同时又可以反射自荧光层130或是其他上表面121上的光学元件所反射的光束，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，包括：一基板；至少一发光单元，配置于所述基板上；一荧光层，至少覆盖所述发光单元的上表面：以及一反射层，配置于所述基板上并环绕所述发光单元。

【技术特征摘要】
2015.03.18 US 62/134,5771.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：一基板；至少一发光单元，配置于所述基板上；一荧光层，至少覆盖所述发光单元的上表面：以及一反射层，配置于所述基板上并环绕所述发光单元。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述反射层覆盖所述发光单元的侧表面。3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述反射层的上表面与所述发光单元的上表面齐平。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述荧光层将所述发光单元封装于所述基板上，所述反射层覆盖于封装所述发光单元的所述荧光层的侧表面。5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，所述反射层的上表面较所述发光单元的上表面高。6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，还包括一封装胶体，将所述发光单元、所述荧光层以及所述反射层封装于...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪钦华，林育锋，洪政暐，李皓钧，詹勋贤，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71