发光器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了发光器件及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与像素区域对应的基板上设置光提取溶液，形成光提取层，光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液。上述方案能够在形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色，提高了发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法
本专利技术涉及光学
，具体而言，涉及一种发光器件及其制作方法。
技术介绍
量子点发光器件(QLED，QuantumDotlightEmittingDevice)是近些年显示领域的重要突破，它和OLED一样都是采用电致发光原理进行发光。各个QLED器件制作在每一由像素隔离层界定(Pixeldefinelayer,PDL)的像素区域内，QLED的功能层组一般包括电子注入层，电子传输层，发光层，空穴传输层，空穴注入层，功能层组以及设置于其两侧的阳极和阴极组成发光结构，共同实现QLED的发光。阴极通常用银材料，阳极通常用ITO。在发光器件中，由于界面间的全反射导致光损失，会导致出光效率降低。现有技术中通常在发光器件的电极之间或在电极外设置光提取层，来提高发光器件的出光效率。然而，在用狭缝涂布、旋转涂布、丝网印刷等工艺制备光提取层时，容易造成光提取层材料在像素隔离层的上表面和倾斜面的残留；在用打印工艺制备光提取层时，容易造成光提取层材料在像素隔离层的倾斜面的残留，从而使光从一个像素区域通过光提取层的散射粒子传播到相邻的另一个像素区域，进而导致相邻像素之间造成混色。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种发光器件及其制作方法，以解决现有发光器件的制作工艺中相邻像素区域之间容易混色的技术问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与像素区域对应的基板上设置光提取溶液，形成光提取层，光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液。进一步地，形成像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体，隔离基体的裸露表面构成像素隔离结构的裸露表面。进一步地，形成像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体；形成设置于隔离基体上表面和侧表面的隔离膜，隔离膜的表面构成像素隔离结构的裸露表面。进一步地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为聚酰亚胺和/或亲水性光刻胶；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺和/或疏水性树脂。进一步地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为氧化硅和/或氮化硅；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺和/或疏水性树脂。进一步地，形成隔离基体的步骤包括：在基板的表面上依次设置第一电极层和光刻胶；对光刻胶进行光刻工艺，以使第一电极层的部分表面露出以形成像素区域，剩余的光刻胶形成隔离基体，隔离基体的相邻侧壁的沿远离基板方向的延伸面相交，且相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条。进一步地，在光刻工艺之后，形成隔离基体的步骤还包括：刻蚀掉部分隔离条，以使隔离条的远离基板的一侧表面为向远离基板的方向凸起的非平面，非平面由与第一电极层的上表面具有夹角的平面段和/或弧面段组成，且具有弧形拱顶。进一步地，隔离条的远离第一电极层的一侧表面到第一电极层的垂直距离为1～4μm。进一步地，光提取溶液包括质量百分比为1～20％的基体材料，1～30％的散射粒子和50～98％的溶剂。进一步地，在形成像素隔离结构的步骤之前，制作方法还包括在基板的表面上设置第一电极层的步骤，此时形成光提取层的步骤包括：在与像素区域对应的部分第一电极层上顺序层叠功能层组和第二电极层，与像素区域对应的部分第一电极层、功能层组和第二电极层构成发光结构，且第一电极层和第二电极层不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种；在第二电极层的远离功能层组的表面上设置光提取溶液，形成光提取层。进一步地，在形成像素隔离结构的步骤之前，制作方法还包括在基板的表面上设置第一电极层的步骤，此时形成光提取层的步骤包括：将光提取溶液与形成功能层组中任一层或多层的溶液混合形成混合液，将混合液设置在与像素区域对应的部分第一电极层上，形成具有光提取层的功能层组，或在与像素区域对应的部分第一电极层的表面设置光提取溶液，形成光提取层，或在与像素区域对应的部分第一电极层的表面上形成功能层组的一层功能层或多层功能层，在功能层上设置光提取溶液，形成光提取层，或在与像素区域对应的部分第一电极层的表面上形成功能层组，在功能层组上设置光提取溶液，形成光提取层；在光提取层上形成第二电极层，且第二电极层和第一电极层不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种，其中，形成的光提取层为具有导电性的光提取层。进一步地，形成功能层组的过程包括：在与像素区域对应的部分第一电极层上顺序设置第一注入层、第一传输层、发光层、第二注入层和第二传输层。根据本专利技术的另一方面，提供了一种发光器件，发光器件由上述的制作方法制作而成。应用本专利技术的技术方案，首先形成具有亲水性或疏水性裸露表面的像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，然后在与像素区域对应的基板上涂布、印刷或打印光提取溶液，由于当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液，从而使上述像素隔离结构的表面与光提取溶液具有不同的亲水性和疏水性，进而在形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色，提高了发光器件的发光效率。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本专利技术作进一步详细的说明。附图说明构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了本专利技术所提供的光提取层设置于阳极层的表面上的发光器件的结构示意图；图2示出了本专利技术所提供的功能层组中具有光提取层的发光器件的结构示意图，其中，光提取层未在图中示出；图3示出了本专利技术所提供的光提取层设置于第一电极层与功能层组之间、功能层组中相邻的任意两层之间或功能层组与第二电极层之间的发光器件的结构示意图；以及图4示出了本专利技术的实施例与对比例中制作的发光器件的像素光谱图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，所述像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且所述像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与所述像素区域对应的所述基板上设置光提取溶液，形成光提取层，所述光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当所述像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，所述光提取溶液为疏水性溶液，当所述像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，所述光提取溶液为亲水性溶液。

【技术特征摘要】
1.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，所述像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且所述像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与所述像素区域对应的所述基板上设置光提取溶液，形成光提取层，所述光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当所述像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，所述光提取溶液为疏水性溶液，当所述像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，所述光提取溶液为亲水性溶液，形成所述像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体，所述隔离基体的裸露表面构成所述像素隔离结构的裸露表面，或形成所述像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体；形成设置于所述隔离基体上表面和侧表面的隔离膜，所述隔离膜的表面构成所述像素隔离结构的裸露表面。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述裸露表面为亲水性表面时，形成所述裸露表面的材料为聚酰亚胺和/或亲水性光刻胶；当所述裸露表面为疏水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺/或疏水性树脂。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述裸露表面为亲水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氧化硅和/或氮化硅；当所述裸露表面为疏水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺/或疏水性树脂。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔离基体的步骤包括：在所述基板的表面上依次设置第一电极层和光刻胶；对所述光刻胶进行光刻工艺，以使所述第一电极层的部分表面露出以形成所述像素区域，剩余的所述光刻胶形成所述隔离基体，所述隔离基体的相邻侧壁的沿远离所述基板方向的延伸面相交，且相邻的所述侧壁之间的隔离基体为隔离条。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述光刻工艺之后，形成所述隔离基体的步骤还包括：刻蚀掉部分所述隔离条，以使所述隔离条的远离所述基板的一侧表面为向远离所述基板的方向凸起的非平面，所述非平面由与所述第一电极层的上表面具有夹角的平面段和/或弧面段组成，且具有弧形拱顶。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述隔离条的远离所述第一电极层的一侧表面到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：甄常刮，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33