发光装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置及其制作方法，该发光装置包含一发光元件以及一波长转换层，发光元件包含一顶面、一底面、多个侧面及一第一电性接点。顶面及底面通过多个侧面相互连结，二者间的距离设为第一高度(h1)。第一电性接点形成在底面上，波长转换层包含第一区域(A1)及第二区域(A2)，第一区域位于发光元件的顶面上方，第二区域位于发光元件的侧面外围且围绕第一区域。第一区域具有第二高度(h2)，第二区域具有第三高度(h3)及第二宽度(w2)。其中，第二高度(h2)大于该第二宽度(w2)，第一高度(h1)与第二高度(h2)之合与第三高度(h3)的差值小于15微米。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置及其制造方法，尤其是涉及一种在不同视角下具有均匀色彩分布的发光装置及其制造方法。
技术介绍
固态发光元件中的发光二极管元件(Light-EmittingDiode；LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小以及反应速度快等特性，因此广泛应用于各种需要使用发光元件的领域，例如，车辆、家电、及照明灯具等。要将LED所发出的纯色光，转换成其他颜色的光有数种方式可采用。举例来说，可于LED上覆盖一层荧光粉来达到此目的。荧光粉是一种光致发光的物质，也可说是波长转换材料，它可以吸收LED所发出的第一光线后发出不同于第一光的第二光线。若第一光线未被完全消耗，仍残留有部分第一光线与第二光线互相混合，可形成另一种颜色的混合光。不过，在不同的角度下，若LED所发出的第一光线与被转换的第二光线互相混合的比例若是不同，第一光线与第二光线在不同的视角下会产生混合光的色彩分布不均匀的现象。
技术实现思路
本专利技术公开一种发光装置，包含一发光元件以及一波长转换层，发光元件包含一顶面，一底面，数个(二或更多)侧面及一第一电性接点，顶面及底面的距离设为第一高度(h1)且通过数个侧面连结，第一电性接点形成在底面上，波长转换层包含第一区域(A1)及第二区域(A2)，第一区域位于发光元件的顶面的上方且具有第二高度(h2)，第二区域该位于发光元件的侧面的外围且围绕第一区域且具有第三高度(h3)以及第二宽度(w2)。其中，第二高度(h2)大于第二宽度(w2)，第一高度(h1)与第二高度(h2)之合与第三高度(h3)的差值小于15微米。本专利技术公开一种发光装置的形成方法。先形成多个发光元件于一载板上。接着，形成一波长转换片于多个发光元件上。切割波长转换片以形成多个波长转换层。多个发光装置中的一发光装置包含多个波长转换层中的一波长转换层。发光元件包含一顶面及一侧面，波长转换层包含位于顶面上方的第一区域(A1)及位于侧面之外的第二区域(A2)。第一区域具有第二高度(h2)，其中第二高度(h2)大于第二区域(A2)之宽。本专利技术公开一种发光装置，包含一发光元件，一透镜以及一波长转换层。发光元件包含一第一顶面、一底面、一第一侧面及一第一电性接点。第一顶面及底面通过第一侧面连结，第一电性接点形成在底面上。透镜包覆第一顶面及第一侧面。波长转换层包含一第二顶面及一第二侧面，第二顶面位于透镜上方，第二侧面位于透镜外侧，其中第一顶面至透镜的表面的距离小于第一侧面至透镜的表面的距离，透镜的表面至第二顶面的距离大于透镜的表面至第二侧面的距离。附图说明图1A至图1B为本专利技术一实施例的一种发光装置的剖视图及上视图；图2A至图2B为本专利技术的一种发光装置的比较例及实施例中视角对色座标的关系图；图3为本专利技术另一实施例的一种发光装置的示意图；图4A至图4D为本专利技术一实施例的流程图；图5A至图5G为本专利技术另一实施例的流程图；图6为本专利技术另一实施例的一种发光装置的剖视图。符号说明100、300、600：发光装置110、220a、220b、220c、310、610：发光元件112、222a：发光元件的顶面114、224a：发光元件的底面116、226a：发光元件的侧面118a、118b：电性接点120、230a、230b、230c、320、620：波长转换层122、322、622：波长转换颗粒124、324、624：透明粘合剂125：波长转换层的顶面126：波长转换层的底面127：波长转换层的侧面210：载具212：载板214：粘胶层230：波长转换片240：切割刀具250：耐热胶260：承载板630：可透光层A1、B1：第一区域A2、B2：第二区域B11：上区块B12：下区块h1：高度h2：高度h3：高度w1：宽度w2：宽度具体实施方式图1A为根据本专利技术一实施例所公开的一发光装置100的剖视图。发光装置100包含发光元件110及一波长转换层120，波长转换层120覆盖发光元件110。发光元件110包含一顶面112、一底面114及多个侧面116，顶面112及底面114通过侧面116连结。在一实施例中，发光元件110为倒装式发光二极管管芯(flipchipLEDdie)。在一实施例中，两电性接点118a及118b位于发光元件110的同一侧，作为发光元件110与外界电性连结的界面。由顶面112至底面114之间依序可包含成长基板、第一半导体层、活化层以及第二半导体层(未显示)。在一实施例中，成长基板的一外表面即为发光元件110的出光面，其中成长基板可为蓝宝石基板。在另一实施例中，顶面112至底面114之间的叠层结构中不包含成长基板，或者成长基板被自叠层结构中移除。第一半导体层可为n-型半导体层，第二半导体层可为p-型半导体层。其中，电性接点118a及118b会分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。此外，电性接点118a及118b可以突出于波长转换层120的底面126(如图所示)、或与底面126大约齐平(图未示)、或仅其中的一突出底面126(图未示)。在另一实施例中，发光元件110为一垂直式发光二极管管芯(verticalLEDdie/chip)，电性接点118a及118b可分别形成在顶面112及底面114上，并分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。在一实施例中，发光元件110有四个侧面，相对的侧面彼此大致上互相平行。顶面112与底面114也大致互相平行。此外，顶面112至底面114的距离在此定义为高度(h1)，两相对侧面116间的距离定义为宽度(w1)。此外，计算高度(h1)时，底面114是指发光元件110除电性接点118a及118b之外的下表面，换言之，电性接点118a及118b的下表面非本处所指的底面114。在一实施例中，高度(h1)是介于50微米(μm)至250微米(μm)之间，而宽度(w1)是介于900微米至1500微米之间。发光元件110可为一发光二极管管芯(LEDdie/chip)，例如但不限为蓝光发光二极管管芯或紫外光发光二极管管芯。在一实施例中，发光元件110为蓝光发光二极管管芯，可经由外在电源提供一电力而发出第一光线，第一光线的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peakwavelength)介于430nm至490nm之间。波长转换层120可包含一透明粘合剂124以及多个分散于透明粘合剂124中的波长转换颗粒122，其中波长转换颗粒122可吸收发光元件110发出的第一光线，并将其转换成与第一光线波长或频谱相异的第二光线。在一实施例中，波长转换颗粒122吸收第一光线后被激发出来的第二光线为黄光，其主波长或峰值波长介于530nm至590nm之间。另一实施例中，波长转换颗粒122吸收第一光线后激发出来的第二光线为黄绿光，其主波长或峰值波长介于515nm至575nm之间。其他实施例中，波长转换颗粒122吸收第一光线后被激发出来的第二光线为红光，其主波长或峰值波长介于590nm至650nm之间。波长转换层120可包含单一种类或多种的波长转换颗粒122。在一实施例中，波长转换层120包含可发出黄光的波长转换颗粒。另一实施例中，波长转换层120包含可发出黄绿光及红光的多种波长转换颗粒。波长转换颗粒122的材料可包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包含：发光元件，包含一顶面、一底面、两个侧面及一第一电性接点，该顶面及该底面的距离为一第一高度且通过该些侧面连结，该第一电性接点形成在该底面上；以及波长转换层，包含第一区域及第二区域，该第一区域位于该顶面的上方且具有第二高度，该第二区域位于该侧面的外围且围绕第一区域且具有第三高度以及第二宽度，其中，该第二高度大于该第二宽度，该第一高度与该第二高度之合与该第三高度相差小于15微米。

【技术特征摘要】
2015.09.11 TW 1041301941.一种发光装置，包含：发光元件，包含一顶面、一底面、两个侧面及一第一电性接点，该顶面及该底面的距离为一第一高度且通过该些侧面连结，该第一电性接点形成在该底面上；以及波长转换层，包含第一区域及第二区域，该第一区域位于该顶面的上方且具有第二高度，该第二区域位于该侧面的外围且围绕第一区域且具有第三高度以及第二宽度，其中，该第二高度大于该第二宽度，该第一高度与该第二高度之合与该第三高度相差小于15微米。2.如权利要求1的发光装置，其中该第二高度介于50微米至1450微米之间。3.如权利要求1的发光装置，其中该第三高度大于100微米。4.如权利要求1的发光装置，其中该第二宽度与该第二高度的比值介于0.4至0.6之间。5.如权利要求1的发光装置，其中该发光装置的色彩分布的均匀度于视角0°至70°的范围皆小于0.004。6.如权利要求1的发光装置，其中该波长转换层包含一透明接着剂及多个波长转换颗粒。7.如权利要求6的发光装置，其中该第一区域还包含上区块及位于该上区块下方的下区块，其中该上区块的波长转换颗粒的平均密度或平均...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑景太，任益华，石俊华，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71