发光装置及发光装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能提高良率的发光装置及发光装置的制造方法。本实施方式的发光装置具备框架。发光装置具备发光元件，该发光元件搭载在所述框架上，且具有：衬底，配置在所述框架上；发光层，设置在所述衬底的上方；第一反射层，设置在所述衬底的下表面；第二反射层，设置在所述衬底的侧面；以及电极。发光装置具备键合线，该键合线的一端与电极连接，另一端与框架连接。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2014-185985号(申请日：2014年9月12日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种发光装置及发光装置的制造方法。
技术介绍
一直以来，在制造使用半导体发光元件(下面简称为发光元件)的发光装置时，以覆盖搭载在框架上的发光元件的整个侧面的方式涂布着包含高反射材料的糊料。此处，包含高反射材料的糊料使例如从发光元件的发光层向发光元件的光提取面的相反侧射出的光向光提取面侧反射。而且，被反射到光提取面侧的光与从发光层直接到达至光提取面的光一起从发光装置射出，因此发光装置的发光效率提高。然而，以往在涂布包含高反射材料的糊料时，存在如下情况：该糊料因爬附到发光元件的上表面而覆盖形成在上表面的垫电极。因像这样糊料覆盖垫电极，而妨碍了键合线向垫电极的连接。即，以往存在因用来提高发光装置的发光效率的糊料，而妨碍经由垫电极的发光元件的打线键合的情况。该打线键合被妨碍的结果是，产生了制造发光装置时的良率下降等问题。因此，对发光装置要求提高良率。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种可提高良率的发光装置及发光装置的制造方法。本实施方式的发光装置具备框架。发光装置具备发光元件，该发光元件搭载在所述框架上，且具有：衬底，配置在所述框架上；发光层，设置在所述衬底的上方；第一反射层，设置在所述衬底的下表面；第二反射层，设置在所述衬底的侧面；以及电极。发光装置具备键合线，该键合线的一端与电极连接，另一端与框架连接。附图说明图1是表示本实施方式的发光装置1的概略剖视图。图2是图1的发光装置1中的发光元件12的概略剖视图。图3(A)～图9(E)是示意性地表示本实施方式的发光装置1的制造方法的剖视图。具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本专利技术。图1是表示本实施方式的发光装置1的概略剖视图。图1所示的发光装置1可用作例如照明用光源。该发光装置1包括：框架11、发光元件12、接着层13(即安装材料)、包含高反射材料的糊料14、模塑树脂层15、及荧光体层16。发光元件12的底壁部包含第一反射层121。另外，发光元件12的侧壁部包含第二反射层122。框架11是使用Cu等金属材料而形成为板状。在框架11的上表面11a，形成着未图示的Ag镀层。通过形成该Ag镀层，能够确保对从发光元件12射出的光的反射率，且能够确保发光元件12的键合性。发光元件12搭载在框架11的上表面11a。另外，发光元件12是使用设置在上表面11a与第二反射层122之间的接着层13而固定在框架11。发光元件12使用第一键合线W1与框架11的阴极部分电连接。另外，发光元件12使用第二键合线W2与框架11的阳极部分电连接。本实施方式中的接着层13使用例如黑色树脂接着剂等而具有光吸收性。即，接着层13的光吸收率大于光反射率。包含高反射材料的糊料14在接着层13的上部与第二反射层122之间被覆接着层13。糊料14通过被覆接着层13，而抑制接着层13对光的吸收。此外，在接着层13为具有光反射性的接着层的情况下，也可以省略糊料14。图2是图1的发光装置1中的发光元件12的概略剖视图。如图2所示，发光元件12从下层侧起依序包括第一反射层121、支撑衬底123、接合层124、下部电极层125、p型氮化物半导体层126、p型垫电极1210及保护层1211(钝化层)、发光层127、n型氮化物半导体层128、及n型垫电极129。另外，发光元件12具备所述第二反射层122。另外，在n型氮化物半导体层128的上表面，形成着光提取面1281。光提取面1281提取从发光层127射出的光。具体来说，光提取面1281使从发光层127射出并到达至
光提取面1281的光扩散而射出到发光元件12的外部。此外，p型氮化物半导体层126是第二氮化物半导体层的一例。另外，n型氮化物半导体层128是第一氮化物半导体层的一例。另外，p型垫电极1210是第二电极的一例。另外，n型垫电极129是第一电极的一例。支撑衬底123由Si形成。第一反射层121设置在支撑衬底123的下表面123a。第二反射层122设置在支撑衬底123的侧面123b。另外，第二反射层122与第一反射层121连接。第一反射层121将从发光层127射出之后入射到第一反射层121的光朝向光提取面1281反射。第二反射层122将从发光层127射出之后入射到第二反射层122的光朝向光提取面1281反射。第一反射层121及第二反射层122的反射光经过例如发光元件12内部的光路而到达至光提取面1281。到达至光提取面1281的来自反射层121、122的反射光与从发光层127直接到达至光提取面1281的光一起被用作发光装置1的照射光。第一反射层121及第二反射层122的材料并无特别限定，作为优选的态样的一例，可采用Au、Ag或Al等金属。此处，假如在支撑衬底123的侧面123b未设置第二反射层122的情况下，必须在发光元件12的侧面确保从发光层127射出的光的反射率。在该情况下，如果为了确保反射率而将包含高反射材料的糊料14设置成足够高的高度，那么糊料14的使用量会变多。因糊料14的使用量变多，而存在如下情况：糊料14爬附到发光元件12的上表面，覆盖p型垫电极1210及n型垫电极129的至少一个。通常，根据薄型化的要求，发光元件12的厚度形成为100～200μm左右的非常薄的厚度。这种发光元件12的厚薄度使糊料14更易爬附。而且，在糊料14覆盖p型垫电极1210、n型垫电极129的情况下，无法将第二键合线W2连接于p型垫电极1210。另外，无法将第一键合线W1连接于n型垫电极129。即，无法进行打线键合。相对于此，在本实施方式中，利用第二反射层122充分地确保发光元件12的侧面的反射率。因此，使用包含高反射材料的糊料14确保发光元件12侧面的反射率的必要性减少。即便在为了被覆光吸收性的接着层13而设置包含高反射材料的糊料14的情况下，糊料14的使用量也只要为基本上被覆接着层13所需的量便可。被覆接着层13所需的糊料14的量充分少于在确保反射率的情况下所要求的糊料14的量。这样一来，能够抑制包含高反射材料的糊料14的使用量，因此，糊料14不会爬附到发光元件12的上表面，而不会覆盖p型垫电极1210及n型垫电极129的至少一个。
由此，能将第二键合线W2适当地连接于p型垫电极1210。另外，能将第一键合线W1适当地连接于n型垫电极129。即，根据本实施方式，能够适当地进行打线键合。而且，能够适当地进行打线键合的结果是，可提高良率。另外，因为能抑制包含一般来说价格高的高反射材料的糊料14的使用量，所以能够削减发光装置1的制造成本。接合层124设置在支撑衬底123与下部电极层125之间。接合层124将支撑衬底123与下部电极层125接合。接合层124在接合层124的侧端部具有突出到上方的突壁部1241。接合层124为氧化膜即绝缘膜。第二反射层122是从支撑衬底123的侧面123b跨及接合层124的侧面124a而设置。进而，第二反射层122延伸到突壁部1241的侧面1241a。这样一来，第二反射层122不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于包括：框架；发光元件，搭载在所述框架上，且具有配置在所述框架上的衬底、设置在所述衬底的上方的发光层、设置在所述衬底的下表面的第一反射层、设置在所述衬底的侧面的第二反射层、及电极；以及键合线，一端与所述电极连接，另一端与所述框架连接。

【技术特征摘要】
2014.09.12 JP 2014-1859851.一种发光装置，其特征在于包括：框架；发光元件，搭载在所述框架上，且具有配置在所述框架上的衬底、设置在所述衬底的上方的发光层、设置在所述衬底的下表面的第一反射层、设置在所述衬底的侧面的第二反射层、及电极；以及键合线，一端与所述电极连接，另一端与所述框架连接。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述发光元件还包括设置在所述衬底与所述发光层之间的下部电极层，所述下部电极层反射所述发光层射出的光。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于：所述发光元件还包括接合层，该接合层设置在所述衬底与所述下部电极层之间，将所述衬底与所述下部电极层接合，所述接合层为氧化膜。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于：所述第二反射层是从所述衬底的侧面跨及所述接合层的侧面而设置。5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：所述接合层在所述接合层的侧端部具有朝上方突出的突壁部，所述第二反射层延伸到所述突壁部的侧面。6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于：所述发光元件还包括：第一氮化物半导体层，设置在所述发光层的上表面；以及第二氮化物半导体层，设置在所述发光层与所述下部电极层之间；且所述电极包含：第一电极，设置在所述第一氮化物半导体层的上表面，且与所述第一氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：松尾美惠，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP