【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
1、在开关电源电路、逆变器电路等电路中，使用晶体管、二极管等半导体元件。对这些半导体元件要求高耐压以及低导通电阻。而且，耐压与导通电阻的关系存在由元件材料决定的折衷选择关系。
2、由于技术开发的进步，半导体元件的低导通电阻被实现为达到主要元件材料即硅的极限附近。为了进一步提高耐压或进一步降低导通电阻，需要变更元件材料。通过使用氮化镓、氮化铝镓等氮化物半导体作为半导体元件的元件材料，能够改善由元件材料决定的折衷选择关系。因此，能够实现半导体元件的飞跃性的高耐压化、低导通电阻化。
3、为了在使用氮化物半导体的晶体管中确保低损耗且高可靠性，需要降低作为寄生电容的栅极-漏极间电容cgd、缓和动作时在内部产生的局部电场集中。为了缓和晶体管的电场集中，使用场板电极。
4、另外，通过降低栅极-漏极间电容cgd，能够实现开关速度的改善和开关损失的降低。但是，由于栅极-漏极间电容cgd的降低，开关动作时的噪声会增加。
5、[现有技术文献]
6、[专
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，还具备：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导...
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