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实施方式的半导体装置包括：第一氮化物半导体层(12)，设置在基板(10)上；第二氮化物半导体层(13)，设置在第一氮化物半导体层(12)上，带隙比第一氮化物半导体层(12)大；源极电极(14)及漏极电极(15)，相互分离地设置在第二氮化物半...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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