具有高效率反射结构的发光元件制造技术

技术编号:13629003 阅读:62 留言:0更新日期:2016-09-02 06:54
本发明专利技术公开一具有高效率反射结构的发光元件,其包括:一反射层;一位于反射层上的第一透明层,其包含一凸出部;一位于第一透明层上且包含一活性层的发光叠层;以及多个孔穴位于第一透明层中,其中凸出部被多个孔穴围绕。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件,特别是涉及一种具有高效率反射结构的发光元件
技术介绍
光电元件,例如发光二极管(Light-emitting Diode;LED),目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。此外,上述的LED可与其他元件组合连接以形成一发光装置。图1为现有的发光装置结构示意图,如图1所示,一发光装置1包含一具有一电路14的次载体(submount)12;一焊料16(solder)位于上述次载体12上,通过此焊料16将LED 11固定于次载体12上并使LED 11与次载体12上的电路14形成电连接;以及一电连接结构18,以电连接LED 11的电极15与次载体12上的电路14;其中,上述的次载体12可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光元件,其包括:一反射层;一位于反射层上的第一透明层,其包含一凸出部;一位于第一透明层上且包含一活性层的发光叠层;以及多个孔穴位于第一透明层中,其中凸出部被多个孔穴围绕。本专利技术还提供一种发光元件的制造方法,其包括步骤:提供一发光叠层,其包含一第二半导体层、一位于第二半导体层上的活性层以及一位于活性层的第一半导体层;于第一半导体层上形成一第一透明层;以及蚀刻第一透明层以形成多个孔穴以及一被多个孔穴围绕的凸出部。附图说明图1为现有的发光装置结构示意图;图2为本专利技术案一实施例的发光元件的剖面示意图;图3为本专利技术案另一实施例的发光元件的剖面示意图;图4为图3的实施例的第二透光层的材料沉积方向示意图;图5为本专利技术案另一实施例的发光元件的剖面示意图;图6为本专利技术案一实施例的灯泡分解示意图;图7A至图7G为本专利技术案另一实施例的发光元件的制造方法;图8A至图8E为本专利技术案另一实施例的发光元件的制造方法,图8E绘示发光元件沿着如图8F中所示的DD剖面线的剖面示意图;图8F为发光元件的上视图;图9A至图9E为本专利技术案另一实施例的发光元件及其制造方法,图9E为发光元件沿着如图9F中所示的HIJK剖面线的剖面示意图;以及图9F为发光元件的上视图。符号说明1:发光装置 11:LED12:次载体 13、20、50:基板14:电路 15、56:电极16:焊料 18:电连接结构2、3、40、5:发光元件 21:第一电极22:粘结层 23:第二电极24、54:反射结构 241、543:凸部242、544:反射层 243、545:凹部244、542:第一透光层 245、30、547:孔洞246:第二透光层 247:第一下表面248、540:窗户层 26:发光叠层261、541:粗化上表面 262、522:第一半导体层263:粗化下表面 264、524:有源层265:平坦部 266、526:第二半导体层32:导电部 41:灯罩42:透镜 43:载体44:照明模块 45:灯座46:散热槽 47:连结部48:电连结器 51:第一接触层53:第二接触层 546:第一绝缘层548:第三透光层 549:通道562:第一导电层 564:第二导电层h:高度 t:厚度701:成长基板 90E2:第二电极垫76:发光叠层 762:第一半导体层764:活性层 766:第二半导体层744:第一透明层 746:第二透明层745:孔穴 745b:晶界745w:第一部分 745n:第二部分744c:凸出部 744cB1:底基体744cB2:顶基体 745a:底表面742:反射层 72a:第一粘结层70:基板 72b:第二粘结层72:粘着层 70E1:第一电极垫70E1’:延伸电极 70E2:第二电极垫70R:粗化表面 77:保护层80:基板 86:发光叠层862:第一半导体层 864:活性层866:第二半导体层 86E、86E’:裸露区域D1:第一介电层 844:第一透明层846:第二透明层 845:孔穴844c:凸出部 842:反射层D2:第二介电层 D2E、D2E’:裸露区域M1:导电层 D3:第三介电层M2E:区域 80E1:第一电极垫80E2:第二电极垫 90:基板96:发光叠层 962:第一半导体层964:活性层 966:第二半导体层96E、96E’:裸露区域 90CB:电流阻挡层944:第一透明层 946:第二透明层945:孔穴 944c:凸出部MF1、MF1E:中间导电层 MF1’、MF1’E:中间导电层96E:裸露区域 942:反射层942:布拉格反射镜结构 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一发光元件,其包括:反射层;位于该反射层上的第一透明层,其包含一凸出部;位于该第一透明层上且包含一活性层的发光叠层;以及多个孔穴,位于该第一透明层中,其中该凸出部被该多个孔穴围绕。

【技术特征摘要】
2015.02.19 US 14/626,0751.一发光元件,其包括:反射层;位于该反射层上的第一透明层,其包含一凸出部;位于该第一透明层上且包含一活性层的发光叠层;以及多个孔穴,位于该第一透明层中,其中该凸出部被该多个孔穴围绕。2.如权利要求1所述的发光元件,其中该凸出部其剖面形状实质上为一倒置的梯形。3.如权利要求2所述的发光元件,其中该凸出部包含一底基体以及一位于该底基体上的顶基体,该底基体的一宽度大于该顶基体的一宽度的1/3倍。4.如权利要求1所述的发光元件,其中该多个孔穴其中之一的剖面形状实质上为三角形或是梯形。5.如权利要求4所述的发光元件,其中该多个孔穴具有一第一部分以及一较该第一部分远离发光叠层的第二部分,...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢明勋廖文禄
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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