发光二极管制造技术

一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管本专利技术专利申请是申请日为2017年10月09日，申请号为201710930691.9的名为“发光二极管”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种发光二极管。
技术介绍
一般而言，发光二极管包括应用于垂直式封装及覆晶式封装的发光二极管。应用于覆晶式封装的发光二极管包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第一电流传导层、第二电流传导层、第二绝缘层、第一接合层及第二接合层。第一型半导体层具有第一部分及第二部分。发光层配置于第一型半导体层的第一部分上。第一型半导体层的第二部分由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积之外。第二型半导体层配置于发光层上。第一金属层配置于第一型半导体层的第二部分上且与第一型半导体层电性连接。第二金属层配置于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接。第一绝缘层覆盖第一金属层及第二金属层，且具有分别暴露第一金属层及第二金属层的多个贯穿开口。第一电流传导层及第二电流传导层配置于第一绝缘层上且填入第一绝缘层的多个贯穿开口，以分别和第一金属层及第二金属层电性连接。第二绝缘层覆盖第一电流传导层及第二电流传导层且具有分别与第一电流传导层及第二电流传导层重叠的多个贯穿开口。第一接合层及第二接合层配置于第二绝缘层上且填入多个贯穿开口，以分别与第一电流传导层及第二电流传导层电性连接。第一接合层及第二接合层用以共晶接合至外部的电路板。然而，在共晶接合的过程中，接合材料(例如：锡膏)易从第二绝缘层与第一接合层的界面及/或第二绝缘层与第二接合层的界面渗入发光二极管内部，进而造成短路问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管，具有良好的性能。本专利技术的一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。本专利技术的另一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、布拉格反射结构、第一金属层、第一电流传导层、第一绝缘层、第一接合层以及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。布拉格反射结构配置于第二型半导体层上且与发光层重叠。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。布拉格反射结构具有贯穿开口，而第一金属层位于布拉格反射结构的贯穿开口中。第一电流传导层配置于布拉格反射结构上且填入布拉格反射结构的贯穿开口，以和第一金属层电性连接。第一绝缘层配置于第一电流传导层上且具有贯穿开口。第一接合层配置于第一绝缘层上，且填入第一绝缘层的贯穿开口以和第一电流传导层电性连接。布拉格反射结构的贯穿开口与第一绝缘层的贯穿开口错位而不相重叠。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第一绝缘层，位于第一电流传导层与第一金属层之间且具有多个贯穿开口，其中第一电流传导层填入第一绝缘层的贯穿开口以电性接触于第一金属层，第一绝缘层的贯穿开口的面积小于第一接合层的贯穿开口的面积，且第一绝缘层的贯穿开口位于第一接合层的贯穿开口的面积之内。在本专利技术的一实施例中，上述的第一接合层的面积小于第一电流传导层的面积，且第一接合层位于第一电流传导层的面积以内。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第二金属层及第二接合层。第二金属层位于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接。第二电流传导层位于第二接合层与第二金属层之间。第二接合层藉由第二电流传导层及第二金属层与第二型半导体层电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的第二接合层具有多个贯穿开口，第二接合层的贯穿开口与第二金属层重叠。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管，更包括第一绝缘层，位于第二电流传导层与第二金属层之间且具有多个贯穿开口，其中第二电流传导层填入第一绝缘层的贯穿开口以电性接触于第二金属层，第一绝缘层的贯穿开口的面积小于第二接合层的贯穿开口的面积，且第一绝缘层的贯穿开口位于第二接合层的贯穿开口的面积之内。在本专利技术的一实施例中，上述的第一金属层包括焊部及指部。焊部与第一电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第一电流传导层外，其中指部与第二接合层重叠。在本专利技术的一实施例中，上述的第一金属层包括焊部及指部。焊部与第一电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第一电流传导层外，其中第二接合层具有缺口，指部延伸至第二接合层的缺口的面积内。在本专利技术的一实施例中，上述的第一型半导体层包括第一部分及第二部分。发光层迭置于第一部分上。第二部分由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积之外。第一型半导体层的第二部分具有第一表面、相对于第一表面的第二表面以及连接于第一表面与第二表面之间的侧壁。发光二极管更包括第一绝缘层，覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的第一绝缘层更覆盖第二型半导体层以及第一型半导体层的第二部分的第一表面，发光二极管更包括布拉格反射结构，设置于第一绝缘层上且与发光层重叠。在本专利技术的一实施例中，上述的布拉格反射结构覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第二绝缘层。布拉格反射结构位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，而第二绝缘层覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第三绝缘层，覆盖第一电流传导层。第一接合层配置于第三绝缘层上，而第三绝缘层覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的发光层具有第一表面、第二表面以及侧壁。第二型半导体层配置于发光层的第一表面上，第二表面相对于第一表面，侧壁连接于第一表面与第二表面之间。发光二极管更包括布拉格反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。布拉格反射结构包括多个第一折射层以及多个第二折射层，交替堆叠，其中各第一折射层的折射率异于各第二折射层的折射率，而多个第一折射层及多个第二折射层的迭构覆盖发光层的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括布拉格反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。布拉格反射结构包括多个第一折射层以及多个第二折射层，交替堆叠，其中各第一折射层的折射率异于各第二折射层的折射率，且布拉格反射结构的边缘区的第一折射层及第二折射层的堆叠密度高于布拉格反射结构的内部区的第一折射层及第二折射层的堆叠密度。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括布拉格反射结构及反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。反射结构位于布拉格反射结构与第一电流传导层之间以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括：/n一基板，具有一上表面；/n一半导体结构，设置在所述基板的所述上表面上并暴露出部分所述上表面，其中所述半导体结构包括一第一型半导体层，一第二型半导体层以及设置在两者之间的一发光层，一凹槽形成于所述半导体结构中，所述第二型半导体和所述发光层围绕所述凹槽并暴露出部分所述第一型半导体层；/n一第一绝缘层，覆盖所述半导体结构及所述基板的上表面，并暴露出在所述凹槽中的部分所述第一型半导体层；/n一第一金属层，设置在所述凹槽中，并与所述第一型半导体层电性连接；/n一导电层，设置在所述第二型半导体层上并与其电性连接；/n一第一反射层，覆盖所述半导体结构及所述导电层；/n一第二反射层，设置在所述第一反射层上；/n一第二绝缘层，设置在所述第一反射层及所述第二反射层上，并覆盖所述半导体结构、所述基板的所述上表面并暴露出所述第一金属层的一部分；/n一第一电极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第一金属层电性连接；以及/n一第二电极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第二反射层电性连接。/n

【技术特征摘要】
20161007 US 62/405,2571.一种发光二极管，包括：
一基板，具有一上表面；
一半导体结构，设置在所述基板的所述上表面上并暴露出部分所述上表面，其中所述半导体结构包括一第一型半导体层，一第二型半导体层以及设置在两者之间的一发光层，一凹槽形成于所述半导体结构中，所述第二型半导体和所述发光层围绕所述凹槽并暴露出部分所述第一型半导体层；
一第一绝缘层，覆盖所述半导体结构及所述基板的上表面，并暴露出在所述凹槽中的部分所述第一型半导体层；
一第一金属层，设置在所述凹槽中，并与所述第一型半导体层电性连接；
一导电层，设置在所述第二型半导体层上并与其电性连接；
一第一反射层，覆盖所述半导体结构及所述导电层；
一第二反射层，设置在所述第一反射层上；
一第二绝缘层，设置在所述第一反射层及所述第二反射层上，并覆盖所述半导体结构、所述基板的所述上表面并暴露出所述第一金属层的一部分；
一第一电极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第一金属层电性连接；以及
一第二电极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第二反射层电性连接。


2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层包括一金属反射层或一布拉格反射层。


3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二反射层包括一金属反射层和一阻挡堆叠层。


4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一金属层包括一金属反射层、一阻挡堆叠层和一连接层。


5.一种发光二极管，包括:
一基板，具有一上表面；
一半导体结构，设置在所述基板的所述上表面上，其中所述半导体结构包括一第一型半导体层、一第二型半导体层以及设置在两者之间的一发光层，一凹槽形成于所述半导体结构中，所述第二型半导体和所述发光层围绕所述凹槽并暴露出部分所述第一型半导体层；
一第一绝缘层，覆盖所述半导体结构以及所述基板的所述上表面，其中所述第一绝缘层在所述凹槽中具有暴露出所述第一型半导体层的一第一开口，以及具有暴...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄逸儒，许圣宗，郭佑祯，沈志铭，庄东霖，黄琮训，黄敬恩，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71