发光装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置及其制作方法。发光装置包括一外延结构、一反射层、一第一保护层以及一阻障层。反射层设置于外延结构上。第一保护层设置于反射层及外延结构上，并至少覆盖于反射层的一侧壁。阻障层设置于第一保护层及外延结构上，并完全覆盖第一保护层，阻障层之上具有一第一电极。本发明专利技术也公开一种发光装置的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种。发光装置包括一外延结构、一反射层、一第一保护层以及一阻障层。反射层设置于外延结构上。第一保护层设置于反射层及外延结构上，并至少覆盖于反射层的一侧壁。阻障层设置于第一保护层及外延结构上，并完全覆盖第一保护层，阻障层之上具有一第一电极。本专利技术也公开一种发光装置的制造方法。【专利说明】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种发光二极管。
技术介绍
发光二极管是一种由半导体材料制作而成的发光元件，具有耗电量低、元件寿命长、反应速度快等优点，再加上体积小容易制成极小或阵列式元件的特性，因此近年来随着技术不断地进步，其应用范围也由指示灯、背光源甚至扩大到了照明领域。请参照图1所示，其为现有一种发光装置I的剖视示意图。于此，发光装置I为一倒装(Flip-chip)结构发光二极管，且图1以向下发光为例。发光装置I包括一外延基板11、一外延结构12、一反射层13、一保护层14、一阻障层15以及一绝缘层16。另外，发光装置I还可包括一第一电极Pl及一第二电极P2。外延结构12设置于外延基板11上，而反射层13设置于外延结构12上。外延结构12具有一 n-GaN层121、一多重量子阱层122及一 ρ-GaN层123。反射层13通常为一高反射率的金属材料，以反射发光装置I所发出的光线，以提高发光装置I的出光效率。另夕卜，保护层14设置于反射层13的一顶面132上，而阻障层15设置于保护层14之上，并覆盖保护层14及反射层13。其中，保护层14可保护反射层13，避免后续制作工艺损伤到反射层13而导致反射率下降。另外，阻障层15可保护反射层13，避免反射层13因后续制作工艺或元件操作时产生的扩散或劣化等问题。此外，绝缘层16设置于阻障层15上，而第一电极Pl及第二电极P2分别设置于阻障层15及n-GaN层121上，并分别露出于绝缘层16。其中，第一电极Pl通过阻障层15、保护层14及反射层13与外延结构12的ρ-GaN层123电连接，而第二电极P2与外延结构12的n-GaN层121电连接。通过供电给第一电极Pl及第二电极P2，并通过反射层13的光线反射，可使发光装置I发出向下的光线。然而，现有的发光装置I的结构中，虽然有保护层14可保护反射层13的顶面132，但却无法保护反射层13的一侧壁131，使得后续制作工艺中的化学药品或高温仍然会造成反射层13的侧壁131产生损伤或裂缝，导致反射率下降而使得发光装置I的良率不佳等问题。另外，于反射层13的制作工艺中，反射层13的侧壁131上也常会出现金属丝的问题，导致后续制作工艺的阻障层15及绝缘层16的覆盖不佳而造成发光装置I的良率降低。因此，如何提供一种，可改善反射层侧壁外露的问题，使反射层不因后续制作工艺的化学药品或高温而造成反射率降低，导致发光装置的良率降低，是业者一直努力的目标。
技术实现思路
有鉴于上述课题，本专利技术的目的在于提供一种，可改善反射层侧壁外露的问题，使反射层不因后续制作工艺的化学药品或高温而造成反射率降低，导致发光装置的良率降低。为达上述的目的，本专利技术提供一种一种发光装置包括一外延结构、一反射层、一第一保护层以及一阻障层。反射层设置于外延结构上。第一保护层设置于反射层及外延结构上，并至少覆盖于反射层的一侧壁。阻障层设置于第一保护层及外延结构上，并完全覆盖第一保护层，阻障层之上具有一第一电极。在本专利技术的一较佳实施例中，发光装置更包括一外延基板，外延结构、反射层、第一保护层及阻障层设置于外延基板之上。在本专利技术的一较佳实施例中，外延结构具有一第一半导体层、一有源层及一第二半导体层，有源层夹置于第一半导体层及第二半导体层之间。在本专利技术的一较佳实施例中，发光装置还包括一第二保护层，其设置于反射层的一顶面，并夹置于第一保护层与反射层之间。在本专利技术的一较佳实施例中，发光装置还包括一绝缘层，其设置于阻障层及外延结构上。在本专利技术的一较佳实施例中，发光装置还包括一第二电极，其设置于外延结构的一第一半导体层上，第一电极与第二电极位于外延基板的同一侧。在本专利技术的一较佳实施例中，发光装置还包括一接合层，其设置于阻障层上。在本专利技术的一较佳实施例中，发光装置还包括一导热基板，其设置于接合层上，导热基板为第一电极。在本专利技术的一较佳实施例中，发光装置还包括一电极层，其设置于外延结构远离反射层的一表面上。在本专利技术的一较佳实施例中，反射层的材质包含银、铝、金、钛、铬、镍、铟锡氧化物，或其组合。在本专利技术的一较佳实施例中，第一保护层的材质包含镍、钛、钨，或其组合。在本专利技术的一较佳实施例中，导热基板的材质包含硅、铜、铝、铜锰合金，或其组入口 ο为达上述的目的，本专利技术提供一种发光装置制造方法包括形成一外延结构于一外延基板上；形成一反射层于外延结构上；形成一第一保护层于反射层及外延结构上，其中第一保护层至少覆盖于反射层的一侧壁；以及形成一阻障层于第一保护层及外延结构上，其中阻障层完全覆盖第一保护层。在本专利技术的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一第二保护层于反射层的一顶面，并夹置于第一保护层与反射层之间。在本专利技术的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一绝缘层于阻障层及外延结构上。在本专利技术的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一第一电极于阻障层之上；以及形成一第二电极于外延结构的一第一半导体层上，其中第一电极与第二电极位于外延基板的同一侧。在本专利技术的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一第一接合层于阻障层上；形成一第二接合层于一导热基板上；及通过第一接合层及第二接合层接合导热基板于阻障层之上。在本专利技术的一较佳实施例中，制作方法还包括移除外延基板。在本专利技术的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一电极层于外延结构远离反射层的一表面上。在本专利技术的一较佳实施例中，反射层经过蒸镀或溅镀沉积以及合金制作工艺，以形成于外延结构上。在本专利技术的一较佳实施例中，第一保护层经过蒸镀或溅镀沉积，并通过蚀刻或浮离制作工艺形成于反射层及外延结构上。在本专利技术的一较佳实施例中，阻障层经过蒸镀或溅镀沉积，并通过浮离制作工艺形成于第一保护层及外延结构上。承上所述，因依据本专利技术的发光装置及制作方法中，反射层设置于外延结构上，第一保护层设置于反射层及外延结构上，并至少覆盖于反射层的一侧壁，而阻障层设置于第一保护层及外延结构上，并完全覆盖第一保护层，且阻障层之上具有一第一电极。由此，与现有相较，本专利技术的第一保护层至少覆盖于反射层的一侧壁，除了可避免发光装置因后续制作工艺所使用的化学药品或高温制作工艺损伤到反射层的侧壁而造成反射率降低，导致发光装置的良率降低之外，还可改善反射层出现金属丝而导致后续制作工艺的阻障层及绝缘层的覆盖不佳等问题。【专利附图】【附图说明】 图1为现有一种发光装置的剖视示意图；图2A为本专利技术较佳实施例的一种发光装置的剖视示意图；图2B为本专利技术另一实施态样的发光装置的剖视示意图；图2C为本专利技术另一较佳实施例的一种发光装置的剖视示意图；图3A为本专利技术较佳实施例的一种发光装置制造方法的流程图；图3B为本专利技术较佳实施例的一种发光装置制造方法的另一流程图；图3C为本专利技术另一较佳实施例的一种发光装置制造方法的流程图；图4A至图4F分别为本专利技术较佳实施例的一种发光装置的制作过程示意图；以及图5A至图5C分别为本专利技术另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：外延结构；反射层，设置于该外延结构上；第一保护层，设置于该反射层及该外延结构上，并至少覆盖于该反射层的一侧壁；以及阻障层，设置于该第一保护层及该外延结构上，并完全覆盖该第一保护层，该阻障层之上具有第一电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦玮，朱长信，余国辉，庄文宏，
申请(专利权)人：奇力光电科技股份有限公司， 佛山市奇明光电有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71