发光二极管的制作方法技术

技术编号:9866427 阅读:118 留言:0更新日期:2014-04-03 02:37
本发明专利技术公开一种发光二极管的制作方法,其包括提供一外延基板,外延基板具有一第一表面与一第二表面,第一表面与第二表面分别位于外延基板的相反侧;形成一外延结构于外延基板的第一表面上,外延结构具有一第一半导体层及一第二半导体层;形成一沟槽于外延结构上,沟槽暴露出第一半导体层;提供一固定基板设置于外延结构及第一半导体层上;提供一能量由外延基板的第二表面进入外延基板,并聚焦于第一表面及第二表面之间;形成一反射层于外延基板的第二表面上;以及移除固定基板,并进行管芯劈裂,以形成多个发光二极管管芯。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制作方法,特别是涉及一种。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode, LED)是一种由半导体材料制作而成的发光元件,具有耗电量低、元件寿命长、反应速度快等优点,再加上体积小容易制成极小或阵列式元件的特性,因此近年来随着技术不断地进步,其应用范围也由指示灯、背光源甚至扩大到了照明领域。在高功率发光二极管的发展中,现有的水平导通式发光二极管的水平结构面积的增加却使得元件操作时所产生的热能更容易累积于发光二极管芯片上,造成元件的温度上升而影响其发光效率及产品可靠度。因此,在提升发光二极管的光取出能力上,散热能力也是不容忽视的一环。另外,目前有许多方法可用来提升发光二极管的输出亮度及改善其发光效率,其中一个可行方法就是在发光二极管的背面上镀一高反射率的金属反射镜,此反射镜不仅可提升发光二极管的输出亮度,还可帮助发光二极管进行散热。因此,金属反射镜的设置已是现有水平式高功率发光二极管的最佳选择。请分别参照图1A至图1E所示,其分别为现有一种发光二极管的制作流程示意图。首先,如图1A所不,在一外延基板11上形成具有一 n-GaN层121、一多重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的制作方法,包括:提供一外延基板,该外延基板具有第一表面与第二表面,其中该第一表面与该第二表面分别位于该外延基板的相反侧;形成一外延结构于该外延基板的该第一表面上,其中该外延结构具有第一半导体层及第二半导体层;形成一沟槽于该外延结构上,其中该沟槽暴露出该第一半导体层;提供一固定基板设置于该外延结构及该第一半导体层上;提供一能量由该外延基板的该第二表面进入该外延基板,并聚焦于该第一表面及该第二表面之间;形成一反射层于该外延基板的该第二表面上;以及移除该固定基板,并进行管芯劈裂,以形成多个发光二极管管芯。

【技术特征摘要】
2012.09.26 TW 1011353671.一种发光二极管的制作方法,包括: 提供一外延基板,该外延基板具有第一表面与第二表面,其中该第一表面与该第二表面分别位于该外延基板的相反侧; 形成一外延结构于该外延基板的该第一表面上,其中该外延结构具有第一半导体层及第二半导体层; 形成一沟槽于该外延结构上,其中该沟槽暴露出该第一半导体层; 提供一固定基板设置于该外延结构及该第一半导体层上; 提供一能量由该外延基板的该第二表面进入该外延基板,并聚焦于该第一表面及该第二表面之间; 形成一反射层于该外延基板的该第二表面上;以及 移除该固定基板,并进行管芯劈裂,以形成多个发光二极管管芯。2.如权利要求1所述的制作方法,其中该外延结构还具有有源层,该有源层夹置于该第一半导体层及该第二半导体层之间。3.如权利要求1所述的制作方法,其中该固定基板包含胶带、蜡、光致抗蚀剂材料或硬性基板,或其组合。4.如权利要求1所述的制作方法,其中通过...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈彦玮余国辉王建钧
申请(专利权)人:奇力光电科技股份有限公司 佛山市奇明光电有限公司
类型:发明
国别省市:台湾;71

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