发光二极管的导线架结构制造技术

一种发光二极管的导线架结构，胶座以射出成型方式形成于陶瓷基板的第一表面时，通过第一电镀区域以及第二电镀区域之间所形成的阻隔层以避免溢胶于功能区，由此可以达成避免于功能区产生溢胶的前提下以射出成型方式于陶瓷基板上形成胶座的技术功效。

【技术实现步骤摘要】

一种发光二极管的导线架结构，尤其是指一种以射出成型方式于陶瓷基板上形成胶座的发光二极管的导线架结构。
技术介绍
近年来，由于发光二极管(light emitting d1de，LED)具备使用寿命长、耗电量低、无须暖灯时间、与反应时间快速等优秀性能，所以发光二极管的应用产品与日俱增。而随着各种颜色的发光二极管的研发成功，更开启发光二极管的照明应用时代。在节能省碳的趋势持续上升的情况下，发光二极管的照明市场逐渐扩展，而逐渐取代传统冷阴极管、卤素灯或白炽灯泡等光源。在发光二极管的照明应用产品的制作中，除了必要的发光二极管芯片工艺外，还必须经过封装工艺后才能加以应用。封装发光二极管芯片的目的主要在于保护发光二极管芯片免受外界环境影响、及提供发光二极管芯片易于对外使用的电性连接点。对于发光二极管来说，现有技术有提出在陶瓷基板上以激光切割方式或是蚀刻设置至少二穿孔，并于陶瓷基板的表面先设置有防护层，接着再陶瓷基板的表面以及穿孔内部电镀有金属层，以提供陶瓷基板上下表面的电性导通，通过防护层以区隔提供发光二极管的电性极性。通过陶瓷基板所制成的发光二极管，在进行后续封装工艺时，大多采用两种方式，一种主要是在陶瓷基板上利用点胶方式，形成有挡墙，使其发光二极管芯片在固晶后，再以封装胶固定芯片，并通过挡墙阻挡封装胶于陶瓷基板上扩散。然而，此种封装工艺无法在陶瓷基板上形成反射面，造成发光二极管芯片所发出的光线无法集中。另一种封装方式，则是利用二陶瓷基板相互烧结而成，使其在陶瓷基板上相对于发光二极管芯片的周围形成反射面，使其光线得以集中。然而，此种方是所制成的发光二极管，成本上相对较高。为此，现有技术已有利用射出成型方式在陶瓷基板形成反射面的发光二极管的导线架结构。然而，上述的发光二极管的导线架结构，在射出成型胶座时，当模具压力过大时，过大的压力往往会压裂陶瓷基板，而造成陶瓷基板的损坏，当模具压力不足时，则液态胶会由被去除防护层的间隙而渗入于功能区中而造成溢胶的情况。综上所述，可知先前技术中长期以来一直存在以射出成型方式于陶瓷基板上形成胶座会于功能区产生溢胶的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
技术实现思路
有鉴于先前技术存在以射出成型方式于陶瓷基板上形成胶座会于功能区产生溢胶的问题，本技术遂揭露一种发光二极管的导线架结构，其中:本技术所揭露第一实施态样的一种发光二极管的导线架结构，其特征在于，其包含:一陶瓷基板，具有彼此相对的一第一表面以及一第二表面；一金属层，形成于所述陶瓷基板上，并于所述第一表面形成彼此不相连的一第一电镀区域以及一第二电镀区域，所述第一电镀区域以及所述第二电镀区域不相连之间形成一间隙；一阻隔层，包含彼此相互间隔的一第一阻隔区域以及一第二阻隔区域，且所述第一阻隔区域以及所述第二阻隔区域分别形成于所述间隙的两侧外侧；及一胶座，形成于所述第一表面，所述胶座具有凹陷的一功能区，使部分所述第一电镀区域、所述第二电镀区域、所述第一阻隔区域以及所述第二阻隔区域凸露于所述功能区。其中所述阻隔层的高度与所述金属层的高度相同。其中所述阻隔层具有绝缘性。其中所述胶座为聚合物材质所制成。其中所述陶瓷基板上进一步具有贯穿所述第一表面与所述第二表面的至少二穿孔，且所述第一表面的孔径小于所述第二表面的孔径，且所述胶座部分延伸于所述穿孔中。本技术所揭露第二实施态样的一种发光二极管的导线架结构，其特征在于，其包含:一陶瓷基板，具有彼此相对的一第一表面以及一第二表面；一金属层，形成于所述陶瓷基板上，并于所述第一表面形成彼此不相连的一第一电镀区域以及一第二电镀区域，所述第一电镀区域以及所述第二电镀区域不相连之间形成一间隙；一阻隔层，所述阻隔层形成于所述间隙；及一胶座，形成于所述第一表面，所述胶座具有凹陷的一功能区，使部分所述第一电镀区域、所述第二电镀区域、所述阻隔层凸露于所述功能区。其中所述阻隔层的高度与所述金属层的高度相同。其中所述阻隔层具有绝缘性。其中所述胶座为聚合物材质所制成。其中所述陶瓷基板上进一步具有贯穿所述第一表面与所述第二表面的至少二穿孔，且所述第一表面的孔径小于所述第二表面的孔径，且所述胶座部分延伸于所述穿孔中。本技术所揭露第三实施态样的一种发光二极管的导线架结构，其特征在于，其包含:一陶瓷基板，具有彼此相对的一第一表面以及一第二表面；一金属层，形成于所述陶瓷基板上，并于所述第一表面形成彼此不相连的一第一电镀区域以及一第二电镀区域，所述第一电镀区域以及所述第二电镀区域不相连之间形成一间隙?’及一阻隔层，包含彼此相互间隔的一第一阻隔区域以及一第二阻隔区域，且所述第一阻隔区域以及所述第二阻隔区域分别形成于所述间隙的两侧外侧。其中所述阻隔层的高度与所述金属层的高度相同。其中所述阻隔层具有绝缘性。其中所述陶瓷基板上进一步具有贯穿所述第一表面与所述第二表面的至少二穿孔，且所述金属层穿过所述穿孔，而延伸于所述第二表面上。本技术所揭露的结构如上，于陶瓷基板的第一表面形成有彼此不相连第一电镀区域以及第二电镀区域的金属层，阻隔层形成于间隙，具有凹陷的功能区胶座形成于陶瓷基板的第一表面，使部分第一电镀区域、第二电镀区域、阻隔层凸露于功能区。通过上述的技术手段，本技术可以达成以射出成型方式于陶瓷基板上形成胶座避免于功能区产生溢胶的技术功效。【附图说明】以下将配合附图及实施例来详细说明本技术的实施方式，由此对本技术如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施，其中:图1A绘示为本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的陶瓷基板平面图。图1B绘示为本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的陶瓷基板剖视图。图2A绘示为本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的陶瓷基板与金属层平面图。图2B绘示为本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的陶瓷基板与金属层剖视图。图3A绘示为本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的陶瓷基板、金属层与阻隔层平面图。图3B绘示为本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的陶瓷基板、金属层与阻隔层剖视图。图4A绘示为本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的平面图。图4B绘示为本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的剖视图。图5A绘示为应用本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的发光二极管结构平面图。图5B绘示为应用本技术发光二极管的导线架结构第一实施态样的发光二极管结构剖视图。当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的导线架结构，其特征在于，其包含：一陶瓷基板，具有彼此相对的一第一表面以及一第二表面；一金属层，形成于所述陶瓷基板上，并于所述第一表面形成彼此不相连的一第一电镀区域以及一第二电镀区域，所述第一电镀区域以及所述第二电镀区域不相连之间形成一间隙；一阻隔层，包含彼此相互间隔的一第一阻隔区域以及一第二阻隔区域，且所述第一阻隔区域以及所述第二阻隔区域分别形成于所述间隙的两侧外侧；及一胶座，形成于所述第一表面，所述胶座具有凹陷的一功能区，使部分所述第一电镀区域、所述第二电镀区域、所述第一阻隔区域以及所述第二阻隔区域凸露于所述功能区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李廷玺，曾绍诚，
申请(专利权)人：一诠精密电子工业中国有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32