一种红黄光发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种红黄光发光二极管芯片，属于半导体技术领域。所述红黄发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底、SiO2层、GaP层、P型AlInP层、多量子阱层、N型AlInP层、AlGaInP层，所述AlGaInP层上开设有从所述AlGaInP层延伸至所述GaP层的凹槽，所述AlGaInP层上设置有N型电极，所述GaP层上设置有P型电极。本实用新型专利技术通过采用蓝宝石衬底代替Si衬底，可以大幅降低衬底进行研磨减薄之后的厚度，避免碎片，在将红黄光LED芯片和蓝绿光LED芯片封装成为白光LED的过程中，无需调节即可与采用蓝宝石衬底的蓝绿光LED芯片发光区高度一致，提高了白光LED的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，特别涉及一种红黄光发光二极管芯片。
技术介绍
作为目前全球最受瞩目的新一代光源，发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。目前的红黄光LED芯片包括依次层叠的Si衬底、金属粘合层、金属反射层、设有通孔的绝缘层、P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：蓝绿光LED芯片通常采用蓝宝石衬底，Si衬底进行研磨减薄之后的厚度(130～140μm)无法达到蓝宝石衬底的水平(80～90μm)，在将红黄光LED芯片和蓝绿光LED芯片封装成为白光LED的过程中，需要通过调整芯片高度使不同厚度的芯片发光区高度一致，降低了白光LED的生产效率。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本技术实施例提供了一种红黄光发光二极管芯片。所述技术方案如下：本技术实施例提供了一种红黄光发光二极管芯片，所述红黄发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底、SiO2层、GaP层、P型AlInP层、多量子阱层、N型AlInP层、AlGaInP层，所述AlGaInP层上开设有从所述AlGaInP层延伸至所述GaP层的凹槽，所述AlGaInP层上设置有N型电极，所述GaP层上设置有P型电极。具体地，所述蓝宝石衬底的厚度为80～90μm。可选地，所述GaP层的表面为粗化结构。优选地，所述GaP层的表面粗糙度小于5nm。本技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过采用蓝宝石衬底代替Si衬底，可以大幅降低衬底进行研磨减薄之后的厚度(从130～140μm降到80～90μm)，避免由于厚度较小(80～90μm)而碎片，在将红黄光LED芯片和蓝绿光LED芯片封装成为白光LED的过程中，无需调节即可与采用蓝宝石衬底的蓝绿光LED芯片发光区高度一致，提高了白光LED的生产效率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a和图1b是本技术实施例一提供的一种红黄光发光二极管芯片的结构示意图；图2a和图2b是本技术实施例二提供的一种红黄光发光二极管芯片的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。实施例一本技术实施例提供了一种红黄光发光二极管芯片，参见图1a和图1b，该红黄光发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底1、SiO2层2、GaP层3、P型AlInP层4、多量子阱层5、N型AlInP层6、AlGaInP层7，AlGaInP层7上开设有从AlGaInP层7延伸至GaP层3的凹槽100，AlGaInP层7上设置有N型电极8，GaP层3上设置有P型电极9。在本实施例中，蓝宝石衬底1的厚度可以为80～90μm，如85μm。可选地，GaP层3的表面可以为粗化结构。优选地，GaP层3的表面粗糙度可以小于5nm。优选地，SiO2层2的厚度可以为2μm。在本实施例中，多量子阱层5包括交替层叠的AlGaInP量子阱层和AlGaInP量子垒层。可选地，N型AlInP层6的掺杂杂质可以为硅元素，N型AlInP层6的掺杂浓度可以为8×10-17～3×10-18cm-3，N型AlInP层6的厚度可以为250～550nm，如400nm。可选地，P型AlInP层4的掺杂杂质可以为镁元素，P型AlInP层4的掺杂浓度可以为8×10-17～10-18cm-3，P型AlInP层4的厚度可以为400～600nm，如500nm。可选地，GaP层3的掺杂杂质可以为镁元素，GaP层3的掺杂浓度可以为2×10-18～7×10-18cm-3，GaP层3的厚度可以为7～10μm，如8.5μm。本技术实施例通过采用蓝宝石衬底代替Si衬底，可以大幅降低衬底进行研磨减薄之后的厚度(从130～140μm降到80～90μm)，避免由于厚度较小(80～90μm)而碎片，在将红黄光LED芯片和蓝绿光LED芯片封装成为白光LED的过程中，无需调节即可与采用蓝宝石衬底的蓝绿光LED芯片发光区高度一致，提高了白光LED的生产效率。而且P型电极和N型电极同侧，可以适用不同的需求。实施例二参见图2a和图2b，本技术实施例提供了一种红黄光发光二极管芯片，该红黄光发光二极管芯片与实施例一提供的红黄光发光二极管芯片的不同之处，在于本实施例提供的红黄光发光二极管芯片由多个实施例一提供的红黄光发光二极管芯片串联而成。具体地，串联的两个实施例一提供的红黄光发光二极管芯片之间，一个实施例一提供的红黄光发光二极管芯片的N型电极8，与另一个实施例一提供的红黄光发光二极管芯片的P型电极9通过连接电极10连接。本技术实施例通过采用蓝宝石衬底代替Si衬底，可以大幅降低衬底进行研磨减薄之后的厚度(从130～140μm降到80～90μm)，避免由于厚度较小(80～90μm)而碎片，在将红黄光LED芯片和蓝绿光LED芯片封装成为白光LED的过程中，无需调节即可与采用蓝宝石衬底的蓝绿光LED芯片发光区高度一致，提高了白光LED的生产效率。而且P型电极和N型电极同侧，可以适用不同的需求。上述本技术实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述红黄发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底、SiO2层、GaP层、P型AlInP层、多量子阱层、N型AlInP层、AlGaInP层，所述AlGaInP层上开设有从所述AlGaInP层延伸至所述GaP层的凹槽，所述AlGaInP层上设置有N型电极，所述GaP层上设置有P型电极。

【技术特征摘要】
1.一种红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述红黄发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底、SiO2层、GaP层、P型AlInP层、多量子阱层、N型AlInP层、AlGaInP层，所述AlGaInP层上开设有从所述AlGaInP层延伸至所述GaP层的凹槽，所述AlGaInP层上设置有N型电极，所述GaP...

【专利技术属性】
技术研发人员：高百卉，林晓文，高本良，常远，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33