【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种发光二极管芯片(light emittingdiode，led)的制作方法。
技术介绍
1、led芯片作为一种发光电子元件，具有节能、环保、寿命长、体积小等优点，因而被广泛应用于显示、照明和城市夜景等各种领域。
2、在led芯片的制作过程中，需要对led芯片进行减薄处理。led芯片的减薄工艺流程通常包括：先使用蜡液将led芯片固定在陶瓷板上，且led芯片的衬底远离陶瓷板；再对衬底进行减薄、研磨和抛光，使led芯片的厚度达到要求；最后，对陶瓷板进行加热，使蜡液融化，将led芯片与陶瓷板分离。
3、由于led芯片上有残留的蜡液，所以需要对led芯片进行清洗，但清洗流程耗时长，环节多，增加了led芯片的制作成本。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管芯片的制作方法，能够提高发光二极管芯片的制作效率，降低发光二极管芯片的制作成本。
2、本公开实施例提供了一种发光二极管芯片的制作方法，所述制作方法包括：
3、提供一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底及位于所述衬底的一侧的发光结构；
4、将剥离膜贴附在所述发光结构远离所述衬底的一侧；
5、通过蜡将所述发光二极管芯片的贴有所述剥离膜的一侧与陶瓷基板固定连接；
6、对所述发光二极管芯片的衬底进行减薄；
7、对所述陶瓷基板进行加热使蜡融化，以使所述发光二极管芯片与所述陶瓷基板分离；
8、将所述
9、可选地，所述将剥离膜贴附在所述发光结构远离所述衬底的一侧，包括：
10、将所述发光二极管芯片放置在用于真空吸附的机座上；
11、将所述剥离膜覆盖在所述发光结构远离所述衬底的一侧；
12、排出所述剥离膜与所述发光结构之间的空气。
13、可选地，所述用于真空吸附的机座的吸附压力范围为-90kpa～-80kpa。
14、可选地，所述通过蜡将所述发光二极管芯片的贴有所述剥离膜的一侧与陶瓷基板固定连接，包括：
15、在所述陶瓷基板上涂抹蜡液；
16、将所述发光二极管芯片移至所述陶瓷基板的涂有所述蜡液区域的上方并下压；
17、等待所述蜡液凝固，使所述发光二极管芯片的贴有所述剥离膜的一侧固定在所述陶瓷基板的涂有所述蜡液的位置上。
18、可选地，所述将所述发光二极管芯片移至所述陶瓷基板的涂有所述蜡液的区域的上方并下压，包括：
19、使用真空吸盘将所述发光二极管芯片下压，下压时间范围为1min～2min；
20、使用带真空的压片轴下压，下压时间范围为1min～3min，所述压片轴的压力范围为-0.7mpa～-0.6mpa。
21、可选地，所述在陶瓷基板上涂抹蜡液，包括：
22、将所述陶瓷基板加热至95℃～100℃，在所述陶瓷基板上均匀涂抹所述蜡液。
23、可选地，所述制作方法还包括：
24、对贴附在所述发光二极管芯片上的所述剥离膜进行裁剪，使所述剥离膜与所述发光二极管芯或者所述陶瓷基板大小相同。
25、可选地，所述剥离膜为单面膜或双面膜。
26、可选地，所述剥离膜为热剥离膜或uv剥离膜。
27、可选地，所述剥离膜为uv剥离膜，所述将所述发光二极管芯片上的所述剥离膜剥除，包括：使用uv曝光照射以使所述发光二极管芯片与所述uv剥离膜分离。
28、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
29、本公开实施例提供的发光二极管芯片的制作方法中，首先将剥离膜覆盖在发光二极管芯片的发光结构上，再将发光二极管芯片大的贴有剥离膜的一侧与陶瓷基板通过蜡进行连接固定，从而便于对发光二极管芯片的衬底进行减薄处理。
30、由于剥离膜在发光二极管芯片和蜡液之间起到了隔离作用，完成下蜡步骤之后剥离剥离膜即可，发光二极管芯片上不会有蜡液残留，因而省去了下蜡清洗残蜡的环节。同时由于剥离膜具有特殊性质，对剥离膜进行简单的处理就能使其失去粘性，从而让发光二极管芯片与剥离膜易于分离且无残留物，增加了发光二极管芯片的制作效率，降低了发光二极管芯片的制作成本。
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1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述将剥离膜(20)贴附在所述发光结构远离所述衬底的一侧，包括：
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述用于真空吸附的机座的吸附压力范围为-90kpa～-80kpa。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过蜡将所述发光二极管芯片(10)的贴有所述剥离膜(20)的一侧与陶瓷基板(40)固定连接，包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述将所述发光二极管芯片(10)移至所述陶瓷基板(40)的涂有所述蜡液(30)的区域的上方并下压，包括：
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在陶瓷基板(40)上涂抹蜡液(30)，包括：将所述陶瓷基板(40)加热至95℃～100℃，在所述陶瓷基板(40)上均匀涂抹所述蜡液(30)。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
8.根据权利要求1至7任一项所述的制作方法，其特征在于，
9.根据权利要求1至7任一项所述的制作方法，其特征在于，所述剥离膜(20)为热剥离膜或UV剥离膜。
10.根据权利要求1至7任一项所述的制作方法，其特征在于，所述剥离膜(20)为UV剥离膜，所述将所述发光二极管芯片(10)上的所述剥离膜(20)剥除，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述将剥离膜(20)贴附在所述发光结构远离所述衬底的一侧，包括：
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述用于真空吸附的机座的吸附压力范围为-90kpa～-80kpa。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过蜡将所述发光二极管芯片(10)的贴有所述剥离膜(20)的一侧与陶瓷基板(40)固定连接，包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述将所述发光二极管芯片(10)移至所述陶瓷基板(40)的涂有所述蜡液(30)的区域的上方并下压，包括：
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈冲，李俊生，汤淼，马玮辰，刘鑫，张晓辉，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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