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【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电极制作领域,特别涉及一种蒸镀装置及方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode,led)芯片是一种能发光的半导体电子元件。发光二极管至少包括层叠在衬底表面的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极等结构。
2、其中,电极常用金属元素为黄金和铝两种。随着led技术发展,锡银铜合金也被用于制作电极,采用热蒸发工艺制作锡银铜合金电极,会使芯片电极表面产生严重金属颗粒,从而影响led芯片良率。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种蒸镀装置及方法,可以改善芯片电极表面产生严重金属颗粒的问题,提高led芯片的良率。所述技术方案如下:
2、一方面,提供了一种蒸镀装置,所述装置包括:
3、保护罩;
4、蒸镀机台,位于所述保护罩内,所述蒸镀机台内部具有冷却管路;
5、坩埚,位于所述蒸镀机台,用于承载锡银铜合金金属源;
6、隔热装置,位于所述坩埚和所述蒸镀机台之间;
7、电子束单元,用于向所述坩埚中的锡银铜合金金属源发射电子束;
8、控制单元,用于控制所述电子束单元,以控制蒸镀速率为20~25埃/秒。
9、可选地,所述坩埚为钼坩埚。
10、可选地,所述隔热装置为石墨材料垫片。
11、可选地,所述蒸镀速率为20埃/秒。
12、可选地,所述控制单元还用于控制所述冷却管路内的冷却液的流速低于阈值,所述阈值为4~6l/mi
13、可选地,所述控制单元用于控制所述冷却管路内的冷却液的流速为1~2l/min。
14、另一方面,提供了一种蒸镀方法,所述方法应用于如前所述的装置,所述方法包括:
15、获取蒸镀速率指令;
16、基于所述蒸镀速率指令控制所述电子束单元,以控制蒸镀速率为20~25埃/秒。
17、可选地,所述蒸镀速率为20埃/秒。
18、可选地,所述方法还包括:
19、控制所述冷却管路内的冷却液的流速低于阈值,所述阈值为4~6l/min。
20、可选地,所述控制所述冷却管路内的冷却液的流速低于阈值,包括:
21、控制所述冷却管路内的冷却液的流速为1~2l/min。
22、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
23、在本公开实施例中,采用电子束蒸镀进行锡银铜合金电极的蒸镀,蒸镀方式由热蒸发方式替换为电子束蒸发方式。一方面,切换电子束蒸镀后,锡银铜金属源由热蒸发方式的4个钨舟替换为1个坩埚即可满足工艺,电子束蒸镀方式能量集中在一个坩埚位置,能量波动较小,致使金属源在镀膜过程中蒸镀速率更稳定。另一方面,电子束蒸镀的冷却管路用于提供冷却液在蒸镀机台内部流通,用于降低蒸镀机台温度,但蒸镀机台温度降低会导致金属源无法达到熔点,导致机台蒸镀速率波动,因此,本公开实施例在蒸镀机台和坩埚之间设置隔热装置进行热隔绝,避免蒸镀机台的冷却效果对蒸镀速率产生波动。基于以上两个方面,电子束蒸镀方式在镀膜过程中会使蒸镀速率更稳定,金属成膜效果更好。在本公开实施例中,在采用电子束及热隔绝方式下,采用20~25埃/秒的蒸镀速率蒸镀锡银铜合金,经过验证,蒸镀得到的锡银铜合金电极表面无金属球颗粒,提高了led芯片良率。
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1.一种蒸镀装置,其特征在于,所述装置包括:
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述坩埚(103)为钼坩埚。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述隔热装置(104)为石墨材料垫片。
4.根据权利要求1至3任一项所述的装置,其特征在于,所述蒸镀速率为20埃/秒。
5.根据权利要求1至3任一项所述的装置,其特征在于,所述控制单元(105)还用于控制所述冷却管路内的冷却液的流速低于阈值,所述阈值为4~6L/min。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述控制单元(105)用于控制所述冷却管路内的冷却液的流速为1~2L/min。
7.一种蒸镀方法,其特征在于,所述方法应用于权利要求1至6任一项所述的装置,所述方法包括:
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述蒸镀速率为20埃/秒。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述控制所述冷却管路内的冷却液的流速低于阈值,包括:
【技术特征摘要】
1.一种蒸镀装置,其特征在于,所述装置包括:
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述坩埚(103)为钼坩埚。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述隔热装置(104)为石墨材料垫片。
4.根据权利要求1至3任一项所述的装置,其特征在于,所述蒸镀速率为20埃/秒。
5.根据权利要求1至3任一项所述的装置,其特征在于,所述控制单元(105)还用于控制所述冷却管路内的冷却液的流速低于阈值,所述阈值为4~6l/min。
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【专利技术属性】
技术研发人员:王宁,汤淼,严帆,叶欢,
申请(专利权)人:华灿光电浙江有限公司,
类型:发明
国别省市:
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