发光二极管及其制作方法技术

本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该方法包括：在衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在所述第二半导体层表面形成银镜结构，所述银镜结构包括依次层叠的第一Ag层、第二Ag层、第三Ag层、第四Ag层和保护层，所述第一Ag层、所述第二Ag层、所述第三Ag层和所述第四Ag层在制作时溅射功率依次升高，且所述第一Ag层和所述第二Ag层的溅射功率小于或等于第一阈值。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。

2、相关技术中提供了一种具有银镜结构的发光二极管的制作方法：在衬底表面形成外延层，外延层包括依次层叠在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在第二半导体层表面形成银镜结构，银镜结构包括ag层和保护层。相关技术中在制作银镜结构时，先在第二半导体层表面形成图形化的光刻胶，随后通过磁控溅射的方式形成银镜结构。

3、但是，相关技术中形成的银镜结构在剥离光刻胶时，ag层易于发生撕裂。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，可以提升银镜结构中膜层的粘附效果，从而提升银镜结构的质量，避免银镜结构发生撕裂。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管的制作方法，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二半导体层表面形成银镜结构，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阈值的取值范围为50～200W。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，溅射所述第一Ag层时，所述溅射功率包括射频磁控溅射的交流功率，交流功率为45～55W；溅射所述第二Ag层时，所述溅射功率包括射频磁控溅射的交流功率，交流功率为95～105W；

5.根据权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，制作所述第一Ag层、所述第二Ag层、所述第三Ag...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二半导体层表面形成银镜结构，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阈值的取值范围为50～200w。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，溅射所述第一ag层时，所述溅射功率包括射频磁控溅射的交流功率，交流功率为45～55w；溅射所述第二ag层时，所述溅射功率包括射频磁控溅射的交流功率，交流功率为95～105w；

5.根据权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，制作所述第一ag层、所述第二ag层、所述第三ag层、所述第四ag层时，所述氩气的流量为170～180sccm。

6.根据权利要求2至4任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：史可，严帆，王宁，汤淼，李俊生，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：