【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件，具体地说，是涉及一种热敏芯片及其制作方法。
技术介绍
1、ntc热敏材料电阻率和b值为两个重要的电性参数，其数值准确性直接影响着客户的需求，但是在材料开发过程中面临着的难题是电阻率ρ的调整(改变材料的活化能)直接影响着材料的b值，电阻率下调的同时b值也会随之下降。
2、现有解决方法为开发新的材料体系和通过调整产品的尺寸调整产品电性的阻值。前者不易实现，改变材料体系开发难度较大，周期长，即便开发出来由于材料体系匹配不合理(即a位和b位异价阳离子匹配不合理)，稳定性较差。减小产品ntc热敏电阻层t1的尺寸或者增加产品ntc热敏电阻层面积s1均可以降低r25数值，但是调整空间有限，过度调整，外观尺寸既不能满足设备测试要求又达不到封装需求。
3、故既在不改变材料体系，保证原有材料体系的稳定性，又不改变产品外观尺寸的前提下，满足测试和封装，实现产品电性低阻值高b值的设计是必要的。
技术实现思路
1、本专利技术的第一目的是提供一种能够不改变材料体系和外观尺寸，实现产品低阻值高b值，同时能够根据需要调节阻值的热敏芯片。
2、本专利技术的第二目的是提供另一种能够不改变材料体系和外观尺寸，实现产品低阻值高b值，同时能够根据需要调节阻值的热敏芯片。
3、本专利技术的第三目的是提供一种具有上述热敏芯片的制作方法。
4、为实现上述第一目的，本专利技术提供一种热敏芯片，包括热敏瓷体、上电极层和下电极层；上电极层和下电极层分
5、由上述方案可见，通过在热敏瓷体的内部增加内电极，并通过连接线柱与表层电极连接导通，根据公式r＝ρl/s，通过调整l和/或s实现电阻值的调整，可以根据需要对热敏芯片的阻值进行调整。本专利技术通过在器件内部增加内电极和连接线柱，使得器件能够在不改变材料体系，不改变产品尺寸的前提下，实现低阻值(r25)高b(25/50)值。
6、一个优选的方案是，热敏瓷体的厚度为t1，层间距离为t2，t2＞t1*10％。
7、进一步的方案是，t1*10％＜t2＜t1*90％。
8、一个优选的方案是，热敏瓷体的横截面积为s1，内电极面积为s2，s2＜s1*80％。
9、进一步的方案是，s1*5％＜s2＜s1*80％。
10、由此可见，t1*10％＜t2＜t1*90％，s1*5％＜s2＜s1*80％，通过对层间距离以及内电极面积的合理限定，能够降低制造工艺的难度，同时保证热敏芯片的性能最优。
11、为实现上述第二目的，本专利技术提供一种热敏芯片，包括热敏瓷体、上电极层和下电极层；上电极层和下电极层分别设置在热敏瓷体的厚度方向上相对的两个表面上；热敏芯片还包括上内电极、下内电极、上连接线柱和下连接线柱；上内电极、下内电极、上连接线柱和下连接线柱均设置在热敏瓷体的内部，上内电极通过上连接线柱与上电极层电连接，下内电极通过下连接线柱与下电极层电连接，上内电极、下内电极、上电极层和下电极层平行设置；通过层间距离、上内电极面积和下内电极面积中的至少一个对热敏芯片的阻值进行调整，其中，层间距离为上内电极和下内电极之间的距离。
12、一个优选的方案是，热敏瓷体的厚度为t1，层间距离为t2，t1*10％＜t2＜t1*90％。
13、一个优选的方案是，热敏瓷体的横截面积为s1，上内电极面积为s2，所述下内电极面积为s3，s1*5％＜s2＜s1*80％，s1*5％＜s3＜s1*80％。
14、为实现上述第三目的，本专利技术提供一种上述热敏芯片的制作方法，制作方法包括：料片制备步骤，采用流延法将陶瓷浆料制成主体料片、填孔料片和内电极料片；开孔印刷步骤，在填孔料片上开设线柱孔，并在线柱孔内填充印刷浆料，在内电极料片上印刷内电极、上内电极或下内电极；叠层步骤，将主体料片、填孔料片和内电极料片叠合；切割步骤，按照预设切割线位置进行切割；烧结步骤，按照预设的烧结温度曲线进行烧结；制备电极步骤，在最上层的主体料片上制备上电极层，在最下层的主体料片上制备下电极层。
15、一个优选的方案是，制作方法还包括烧制电极步骤，烧制电极步骤位于制备电极步骤之后，将制备电极后的单体进行烧制；和/或切割步骤位于制备电极步骤之后。
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1.热敏芯片，包括热敏瓷体、上电极层和下电极层；
2.根据权利要求1所述的热敏芯片，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的热敏芯片，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的热敏芯片，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的热敏芯片，其特征在于：
6.热敏芯片，包括热敏瓷体、上电极层和下电极层；
7.根据权利要求6所述的热敏芯片，其特征在于：
8.根据权利要求6或7所述的热敏芯片，其特征在于：
9.热敏芯片的制作方法，其特征在于，所述热敏芯片如权利要求1至8任一项所述的热敏芯片，所述制作方法包括：
10.根据权利要求9所述的热敏芯片的制作方法，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.热敏芯片，包括热敏瓷体、上电极层和下电极层；
2.根据权利要求1所述的热敏芯片，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的热敏芯片，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的热敏芯片，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的热敏芯片，其特征在于：
6.热敏芯片，包括热敏瓷体...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏浩，戴春雷，苏莉娜，
申请(专利权)人：深圳顺络叠层电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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