【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件，具体地说，是涉及一种热敏芯片及其制作方法。
技术介绍
1、ntc热敏材料电阻率和b值为两个重要的电性参数，其数值准确性直接影响着客户的需求，但是在材料开发过程中面临着的难题是电阻率ρ的调整(改变材料的活化能)直接影响着材料的b值，电阻率下调的同时b值也会随之下降。
2、现有解决方法为开发新的材料体系和通过调整产品的尺寸调整产品电性的阻值。前者不易实现，改变材料体系开发难度较大，周期长，即便开发出来由于材料体系匹配不合理(即a位和b位异价阳离子匹配不合理)，稳定性较差。减小产品ntc热敏电阻层t1的尺寸或者增加产品ntc热敏电阻层面积s1均可以降低r25数值，但是调整空间有限，过度调整，外观尺寸既不能满足设备测试要求又达不到封装需求。
3、故既在不改变材料体系，保证原有材料体系的稳定性，又不改变产品外观尺寸的前提下，满足测试和封装，实现产品电性低阻值高b值的设计是必要的。
技术实现思路
1、本专利技术的第一目的是提供一种能够不改变材料体系和外...
【技术保护点】
1.热敏芯片，包括热敏瓷体、上电极层和下电极层；
2.根据权利要求1所述的热敏芯片，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的热敏芯片，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的热敏芯片，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的热敏芯片，其特征在于：
6.热敏芯片，包括热敏瓷体、上电极层和下电极层；
7.根据权利要求6所述的热敏芯片，其特征在于：
8.根据权利要求6或7所述的热敏芯片，其特征在于：
9.热敏芯片的制作方法，其特征在于，所述热敏芯片如权利要求1至8任一项所述的...
【技术特征摘要】
1.热敏芯片，包括热敏瓷体、上电极层和下电极层；
2.根据权利要求1所述的热敏芯片，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的热敏芯片，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的热敏芯片，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的热敏芯片，其特征在于：
6.热敏芯片，包括热敏瓷体...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏浩，戴春雷，苏莉娜，
申请(专利权)人：深圳顺络叠层电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。