覆晶型发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种覆晶型发光二极管，包含基板，以及发光二极管磊晶层位于此基板上方。其中发光二极管磊晶层由下至上包含n型半导体层、发光层以及p型半导体层。光反射层包覆发光层以及p型半导体层，其中光反射层具有粗糙化表面。根据本实用新型专利技术的覆晶型发光二极管，其光反射层具有粗糙化表面，而能大幅增加覆晶型发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种覆晶型发光二极管，特别涉及一种光反射层具有粗糙化表面的覆晶型发光二极管。
技术介绍
发光二极管(light emitting d1de，LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间以及反应速度快等优点。加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求而制成极小或阵列式的元件，因此可广泛用于各种应用领域，例如笔记型电脑、监视器、移动电话、电视和液晶显示器所用背光模块的光源。再者，随着
的不断提升，目前已研发出高照明辉度的高功率发光二极管，其发光强度已达到照明的程度。一般发光二极管产生的光线由正负电极处进入到空气中，但正负电极会遮蔽光线并降低光的外部量子效率。因此近年来开始发展一种覆晶型发光二极管，利用光反射层使光线朝电极的反侧发出，并由基板处进入空气。采用覆晶型发光二极管能大幅减少光线遭到遮蔽的情事发生，并提高发光效率。此外，覆晶型发光二极管的散热效果良好，不会过热而影响发光效率。但，并非所有从发光层产生的光线均会被光反射层反射，仍有部分的光线散逸而降低发光效率。
技术实现思路
因此，本技术目的在于公开一种覆晶型发光二极管，用来增加光反射层的反射率。本技术的一个方面提供一种覆晶型发光二极管，包含基板，以及发光二极管磊晶层，其位于基板上方。发光二极管磊晶层由下至上包含η型半导体层、发光层以及P型半导体层。光反射层包覆发光层以及P型半导体层，其中光反射层具有粗糙化表面。根据本技术一个实施方式，其中还包含透明导电层，透明导电层位于P型半导体层以及光反射层之间。根据本技术一个实施方式，其中透明导电层为铟锡氧化物薄膜。根据本技术一个实施方式，其中基板为蓝宝石基板、碳化硅基板、氮化镓基板或玻璃基板。根据本技术一个实施方式，其中光反射层为铝层或银层。根据本技术一个实施方式，其中光反射层以两种不同折射率的子反射层交错相叠形成。根据本技术一个实施方式，其中两种不同折射率的子反射层的材料为氧化钛/氧化硅、氧化铝/氧化硅或氮化硅/氧化硅。根据本技术一个实施方式，其中粗糙化表面位于光反射层的上表面或下表面。根据本技术一个实施方式，其中粗糙化表面位于两种不同折射率的子反射层之间的接触面上。根据本技术一个实施方式，其中粗糙化表面具有光子晶体结构。本技术提出一种覆晶型发光二极管，其光反射层具有粗糙化表面，而能大幅增加覆晶型发光二极管的发光效率。【附图说明】为让本技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能还明显易懂，所附附图的详细说明如下:图1为根据本技术部分实施方式的一种覆晶型发光二极管。图2为根据本技术其他部分实施方式的一种覆晶型发光二极管。图3为根据本技术其他部分实施方式的一种覆晶型发光二极管。图4为根据本技术其他部分实施方式的一种覆晶型发光二极管。【具体实施方式】为了使本公开内容的叙述还加详尽与完备，下文将参照附图来描述本技术的实施方面与具体实施例；但这并非实施或运用本技术具体实施例的唯一形式。以下所公开的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。请参阅图1，图1为根据本技术部分实施方式的一种覆晶型发光二极管的剖面图。如图1所不，覆晶型发光一极管100包含:基板110，以及发光一极管Il晶层120位于基板110上方，其中基板110为蓝宝石基板、碳化硅基板、氮化镓基板或玻璃基板。发光二极管磊晶层120由下至上分别为η型半导体层122、发光层124以及ρ型半导体层126。加入顺向偏压时，ρ型半导体层126的多数载子电洞会往η型半导体层122方向移动；η型半导体层122的多数载子电子则往ρ型半导体层126方向移动。电子与电洞于ρ-η接面的空乏区复合，此时电子由传导带移转至价电带后丧失能阶，并以光子形式释出能量而产生光线。其中，Ρ-η接面即为发光层124。发光二极管磊晶层120上方有ρ型电极130以及η型电极140，分别电性连接至ρ型半导体层126以及η型半导体层122。在本专利技术的部分实施例中，ρ型电极130为透明导电层，其材料铟锡氧化物。光反射层150包覆发光层124、ρ型半导体层126以及ρ型电极130，光反射层150能改变光线的行进路线，使发光层124产生的光线由基板110处进入空气中。光反射层150为全方位反射层，其由第一子反射层152a与152b以及第二子反射层154a与154b交错相叠形成，其中第一反射层152a与152b以及第二子反射层154a与154b的折射率不同。两种不同折射率的材料可为氧化钛/氧化硅、氧化铝/氧化硅或氮化硅/氧化硅。光反射层150还具有粗糙化表面156，此粗糙化表面156位于光反射层150的上表面。粗糙化表面156具有周期性的凹凸结构，通常又称作光子晶体。光子晶体能修正入射光的角度，使发光层124产生的光线于粗糙化表面156处进行反射，此时光线改变行进路线并于基板110处进入空气。可对第二子反射层154b的上表面进行压印或微影蚀刻的方式来得到粗糙化表面156。在本专利技术的部分实施例中，压印可使用热压或冷压方式来形成粗糙化表面156。在本技术的其他部分实施例中，其中光反射层150为铝层或银层。在本技术的其他部分实施例中，其中粗糙化表面156为不规则的粗糙化表面。此外，两金属凸块160a以及160b分别电性连接至ρ型电极130及η型电极140，其在封装时电性连结至外部元件，使覆晶型发光二极管100工作。借由光反射层150，发光层124产生的光线由基板110处进入空气中，避免金属凸块160a以及160b遮蔽产生的光损耗。在此必须说明，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，并采当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶型发光二极管，其特征在于，所述覆晶型发光二极管包含：基板；发光二极管磊晶层，其位于所述基板上方，所述发光二极管磊晶层由下至上包含：n型半导体层；发光层；以及p型半导体层；以及光反射层，其包覆所述发光层以及所述p型半导体层，其中所述光反射层具有粗糙化表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：翁茂证，林苏宏，林良达，
申请(专利权)人：萨摩亚商天兆有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71