发光器件、发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术公开了一种发光器件、发光器件封装和照明系统。光发光器件包括：导电支撑构件；在导电支撑构件上的反射层；在反射层上的发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；以及，在第一导电半导体层上的电极，其中，在有源层和反射层之间的距离满足2·Φ1+Φ3＝N·2π±Δ，(0≤Δ≤π/2)，其中，Φ1表示当垂直传播的光通过第二导电半导体层时的相变值，Φ3表示当光被反射层反射时的相变值，并且，N表示自然数，并且其中，在反射层和有源层之间的距离包括在垂直于电极的与电极重叠的第一区域中的第一距离，以及在除了第一区域之外的第二区域中的第二距离，其中，第一距离不同于第二距离。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光器件封装以及照明系统本申请是2011年2月25日提交的申请号为201110049737.9，专利技术名称为“发光器件、发光器件封装以及照明系统”的专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求在2010年2月25日提交的韩国专利申请N0.10-2010-0017001和10-2010-0017016的优先权，通过引用将其整体合并于此。
本专利技术涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种半导体器件，其将电能转换为光。与诸如荧光灯或辉光灯的传统的光源作比较，LED在功耗、寿命期限、响应速度、安全性、和环保要求上是有益的。在这一点上，已经进行了各种研究来将传统的光源替换为LED。LED越来越多地被用作诸如所使用的各种灯、液晶显示器、电子指示牌、和街灯的照明器件的光源。
技术实现思路
实施例提供了一种具有新颖结构的发光器件、发光器件封装和照明系统。 实施例提供了一种能够改善光提取效率的发光器件、发光器件封装和照明系统。 根据该实施例，发光器件包括:导电支撑构件；在所述导电支撑构件上的反射层；在所述反射层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；以及，在所述第一导电半导体层上的电极，其中，在所述有源层和所述反射层之间的距离满足2.Φ1+Φ3 =Ν.2π 土Λ，(0< Δ ( π/2)，其中，所述Φ I表示当垂直传播的光通过所述第二导电半导体层时的相变值，所述Φ3表示当所述光被所述反射层反射时的相变值，并且，N表示自然数，并且其中，在所述反射层和所述有源层之间的距离包括在垂直于电极的与电极重叠的第一区域中的第一距离，和在除了所述第一区域之外的第二区域中的第二距离，所述第一距离不同于所述第二距离。 【附图说明】 图1是示出根据第一实施例的发光器件的的侧截面图； 图2是示出当在发光器件的有源层和反射层之间的距离满足相长干涉的条件时的光的发射图案的视图； 图3是示出当在发光器件的有源层和反射层之间的距离满足相消干涉的条件时的光的发射图案的视图； 图4是示出根据第二实施例的发光器件的侧截面图； 图5是示出根据第三实施例的发光器件的侧截面图； 图6是示出根据第四实施例的发光器件的侧截面图； 图7和8是示出在图1的发光器件中的光提取图案的视图； 图9是示出根据图1的发光器件的光提取图案的周期中的变化的提取效率的图； 图10是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图； 图11是示出包括根据实施例的发光器件或发光器件封装的背光单元的视图；以及 图12是示出包括根据实施例的发光器件或发光器件封装的照明单元的视图。 【具体实施方式】 在实施例的描述中，可以理解，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个焊盘、或另一个图案“上面”或“下面”时，它可以“直接地”或“间接地”在该另一个衬底、层(或膜)、区域、焊盘、或图案上，或也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了这样的层的位置。 为了方便或清楚的目的，可能夸大、省略、或示意地绘制在附图中所示的每层的厚度和大小。另外，元件的大小不完全地反映实际大小。 以下，将参考附图来描述根据实施例的发光器件、用于制造发光器件的方法、和发光器件封装。 图1是示出根据第一实施例的发光器件100的侧截面图。 参见图1，根据第一实施例的发光器件100包括:导电支撑构件160 ;在导电支撑构件160上的反射层158 ;在反射层158上的欧姆层157 ;发光结构145，其包括在欧姆层157上的第一导电半导体层130、有源层140、以及第二导电半导体层150，以用于产生光；以及在发光结构145上的电极170。在有源层140和反射层158之间的距离h满足2.(Φ1+Φ2)+Φ3 = Ν.23ι±Λ，(0< Δ ( ji/2)。 在该情况下，Φ I表示当垂直传播的光通过所述第二导电半导体层150时的相变值，Φ 2表示当光通过欧姆层157时的相变值，Φ 3表示当光被反射层158反射时的相变值，N表示自然数,并且，Δ表示在O至/2的范围中。 距离h是在从有源层140产生的光和垂直入射在反射层158上并且被发射的光之间引起相长干涉的值。在根据第一实施例的发光器件100中，可以通过使用光的相消干涉来改善光提取效率。 具体地说，由于相长干涉导致的通过发光结构145的顶表面提取的光量增加。因此，发光器件的光提取效率可以根据在发光结构145的顶表面上形成的光提取图案132的周期和高度条件来改变。 实施例公开了满足相长干涉的在有源层140和反射层158之间的距离h，以及能够由于相长干涉而最有效地提取垂直传播的光的光提取图案132的周期和高度。 以下，将详细描述发光器件100的部件和操作。 导电支撑构件160和电极170从外部电源接收电力，以向发光结构145供应电力。导电支撑构件160和电极170的部分彼此垂直地彼此重叠，以形成垂直的电极结构。 导电支撑构件160可以支撑发光结构145。例如，导电支撑构件160可以包括钛(Ti)，、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、钼(Pt)、金(Au)、钨(W)、铜(Cu)、钥(Mo)和载体晶圆(例如:S1、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、或 GaN)的至少一个。 电极170可以具有各种形状，以有效地将电流扩展到整个发光结构145，并且电极170可以包括焊盘，使得可以容易地与布线结合。电极170可以具有包括从由Al、T1、Cr、N1、Cu、和Au构成的组选择的至少一个的单层结构或多层结构。 反射层158可以形成在导电支撑构件160上。反射层158反射来自发光结构145的光，使得可以改善发光器件的光提取效率。 反射层158可以包括包含从由Ag、Al、Pd、和Pt构成的组选择的至少一个的金属或其合金。 欧姆层157可以在作为化合物半导体层的发光结构145和反射层158之间进行欧姆接触。如果反射层158与发光结构145进行欧姆接触，则可以不形成欧姆层157。在该情况下,在反射层158和有源层之间的距离11满足2*01+03 =.2 31 土 Λ，(O彡Λ彡Ji/2)。 欧姆层157可以包括在传输光的同时与第二导电半导体层150进行欧姆接触的金属氧化物和/或金属氮化物。例如，欧姆层157可以包括ΙΤ0、IZO (铟锌氧化物)、AZO (铝锌氧化物)、MZO (镁锌氧化物)、GZO (镓锌氧化物)和ZnO的至少一个。 因为通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方案、电子束沉积方案、或溅射方案来形成欧姆层157，所以可以容易地调整欧姆层157的厚度。因此，调整欧姆层157的厚度，使得可以容易地调整在有源层140和反射层158之间的距离。 可以在欧姆层157和发光结构145之间形成CBL(电流阻挡层)。CBL(未示出)的一部分垂直于电极170地与电极170重叠。CBL(未示出)防止电流集中在电极170和导电支撑构件160之间的最短路径上，因此可以改善发光器件100的发光效率。 发光结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：导电支撑构件；在所述导电支撑构件上的反射层；在所述反射层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；在所述反射层和所述第二导电半导体层之间的欧姆接触层；在所述欧姆接触层和所述发光结构之间的电流阻挡层；以及在所述第一导电半导体层上的电极，其中，所述反射层包括凹部，以及其中，所述电流阻挡层与所述反射层的凹部垂直地重叠。

【技术特征摘要】
2010.02.25 KR 10-2010-0017016;2010.02.25 KR 10-2011.一种发光器件，包括: 导电支撑构件； 在所述导电支撑构件上的反射层； 在所述反射层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层； 在所述反射层和所述第二导电半导体层之间的欧姆接触层； 在所述欧姆接触层和所述发光结构之间的电流阻挡层；以及 在所述第一导电半导体层上的电极， 其中，所述反射层包括凹部，以及 其中，所述电流阻挡层与所述反射层的凹部垂直地重叠。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述凹部的横向宽度与所述电流阻挡层的横向宽度相同。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，第一距离满足2.(Φ1+Φ2)+Φ3 =Ν.2π 土Δ1, π/2〈Δ1〈;η,并且第二距离满足 2.(Φ1+Φ2’)+Φ3 = Ν.2π 土Δ2,O ^ Δ2 ^ /2，其中，Φ I表示当垂直传播的光通过所述第二导电半导体层时的相变值，Φ2表示当所述光通过所述欧姆接触层时的相变值，Φ3表示当所述光被所述反射层反射时的相变值，并且，N表示自然数。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二距离是在除了所述第一区域之外的第二区域中的所述有源层和所述反射层之间的距离。5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，Φ2’表示当所述光通过所述欧姆接触层时的相变值。6.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一距离是在垂直于所述电极的与所述电极重叠的第一区域中的与所述电流阻挡层相对应的所述有源层和所述反射层之间的距离。7.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一距离不同于所述第二距离，并且其中，所述电流阻挡层设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：金鲜京，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR