一种用于高压LED的反射弧型隔离槽制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于高压LED的反射弧型隔离槽，属于半导体器件领域。本实用新型专利技术的隔离槽为位于第一LED芯片和第二LED芯片之间、在互联电极以下的具有布拉格结构的反射层，反射层由三层以上的、结构形式相同的隔离层组成，最底部的第一隔离层由自左向右依次连接的左部、底部和右部组成，左部与底部之间的夹角α和右部与底部之间夹角β均为钝角。本实用新型专利技术中隔离槽采用的是布拉格反射结构且两侧与底部之间的夹角为钝角，使得LED芯片射到隔离槽部分的光经过反射又返回到芯片内部并从正面射出，这种结构造成的光能损失远小于现有结构在沟槽内的损失，避免了由于芯片间距小而导致的光线无法从侧面逸出的情况，大大提高了提升了高压LED的出光效率，提高了其亮度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种用于高压LED的反射弧型隔离槽
本技术属于半导体器件
。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)能将电能转化为光能。LED光源属于绿色光源，具有节能环保、寿命长、能耗低、安全系数高等优点，因此被广泛应用于照明和背光等领域。目前，氮化镓(GaN)基的LED发展迅速，但仍然存在发光效率低等问题。高压LED (HV LED)是将多个LED芯片通过金属互联工艺串联起来，各相邻的芯片之间设有隔离槽。图1所示为传统的高压LED的部分结构示意图，图中所示为两个同样的第一 LED芯片和第二 LED芯片左右相串联，独立的LED芯片由下往上主要包括衬底100、N型层101、发光层102、P型层103、电流扩展层104、P电极105，在N型层101上表面设有N电极107，在N电极107与相邻LED芯片的P电极105之间设有互联电极108，两个LED芯片之间设有隔离槽106，隔离槽106由自左向右依次连接的左部、底部和右部组成，左部的左端与位于隔离槽106左侧的第一 LED芯片上的N电极107相连，右部的右端与位于隔离槽106右侧的第二 LED芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于高压LED的反射弧型隔离槽，其特征在于该隔离槽为位于相邻两个LED芯片之间、在互联电极（108）以下的具有布拉格结构的反射层，反射层由三层以上的、结构形式相同的隔离层组成，最底部的第一隔离层（109）由自左向右依次连接的左部、底部和右部组成，左部与底部之间的夹角α和右部与底部之间夹角β均为钝角。

【技术特征摘要】
1.一种用于高压LED的反射弧型隔离槽，其特征在于该隔离槽为位于相邻两个LED芯片之间、在互联电极(108)以下的具有布拉格结构的反射层，反射层由三层以上的、结构形式相同的隔离层组成，最底部的第一隔离层(109)由自左向右依次连接的左部、底部和右部组成，左部与底部之间的夹角α和右部与底部之间夹角β均为钝角。2.根据权利要求1所述的一种用于高压LED的反射弧型隔离槽，其特征在于所述左部和右部均呈斜线状或弧线状。3.根据权利要求1所述的一种用于高压LED的反射弧型隔离槽，其特征在于所述左部与底部之间的夹角α的范围为:116° -154°，右部与底部之间夹角β的范围为:116。 -154。。4.根据权利要求3所述的一种用于高压LED的反射弧型隔离槽，其特征在于所述左部与底部之间的夹角α...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珅，甄珍珍，王静辉，李晓波，王义虎，苏银涛，曹培，
申请(专利权)人：同辉电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13