【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。所述的基底为P-GaN层。在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，然后制作成类似CBL的结构，然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上，该层SiO2的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。由于采用上述技术方案，本专利技术利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。【专利说明】高电流取出效率LED
本专利技术涉及LED芯片制造领域。
技术介绍
现有技术中LED的构造，是在P型GaN上沉积电流阻挡层，然后在电流阻挡层上沉积电流扩展层和电极，这种结构会造成从电极下方发出的光被电极吸收的情况，从而导致现有技术中的LED的出光效率不高。
技术实现思路
本专利技术目的是增加电极下方的光反射能力，从而减少电极对光的吸收，提高出光效率。为了达到以上以技术目的，本专利技术的技术方案为:一种高电...
【技术保护点】
一种高电流取出效率LED，其特征在于：它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏臻，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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