具有布拉格反射层位于窗户层之间的发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种具有布拉格反射层位于窗户层之间的发光元件，其包含一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一窗户层，位于基板之下；以及一布拉格反射层，位于第一窗户层之下；其中以剖面观之，第一窗户层的宽度与基板的宽度大致相等。

Light emitting element having a Prague reflecting layer between the window layers

The present invention relates to a light emitting element is located in the Prague reflection layer between the window layer, comprising a substrate; a light emitting layer, located on the substrate; a first window layer positioned on the substrate; and a reflective layer is located in Prague, the first layer under the window; section view, the first layer and the width of the window the substrate width is approximately equal to.

【技术实现步骤摘要】
具有布拉格反射层位于窗户层之间的发光元件
本专利技术涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有布拉格反射层(DistributedBragg Reflector ；DBR)位于窗户层之间的发光元件。
技术介绍
发光二极管(Light-emitting Diode ;LED)是一种固态半导体元件,其至少包含一p-n接面(p-n junction)形成于P型与η型半导体层之间。当于LED施加一定程度的偏压时，出自P型半导体层中的空穴与出自η型半导体层中的电子会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为发光区(light-emitting region)或主动层。LED的主要特征在于尺寸小、可靠度高、发光效率高、寿命长、反应快速和色度良好，目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。随着全彩LED的问世，LED已逐渐取代传统的照明设备，如荧光灯和白热灯泡。如图2所不,一现有发光装置2包含一基板20 ；一发光结构22位于基板20之上；一第一电极24与一第二电极26位于发光结构22之上；以及一布拉格反射层(DistributedBragg Reflector ；DBR) 28位于基板20之下，其中布拉格反射层28具有次层282与284交互堆叠。产生自发光结构22之光会被布拉格反射层28反射。然而有些光会被局限在布拉格反射层28的次层282与284之中，在数次内部全反射之后转变为热能。此外，基板20的侧面太小而导致被布拉格反射层28反射之光无法被摘出，因此降低现有发光元件2的光摘出效率。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一发光兀件，包含一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一窗户层，位于基板之下；以及一布拉格反射层，位于第一窗户层之下；其中以剖面观之，第一窗户层的宽度与基板的宽度大致相等。【附图说明】图1绘示本申请案一实施例的发光元件的剖视图；图2绘示现有的发光元件的剖视图；图3绘示本申请案另一实施例的灯泡分解示意图。符号说明1,2,30发光元件10、20 基板12,22发光叠层122第一半导体层124主动层126第二半导体层14、24 第一电极16,26 第二电极18光摘出结构 182第一窗户层184、28布拉格反射层186第二窗户层282、284 次层3 灯泡31 灯罩32 透镜33 载体34照明模块35 灯座36散热槽37连结部38 电连结器【具体实施方式】本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。图1绘不一发光兀件I具有一基板10 ;—发光叠层12形成于基板10之上；以及一光摘出结构18形成于基板10之下。发光叠层12具有一第一半导体层122 ;—第二半导体层126 ;以及一主动层124位于第一半导体层122与第二半导体层126之间。此外,一第一电极14形成于第一半导体层122之上,一第二电极16形成于第二半导体层126之上。光摘出结构18具有一第一窗户层182位于基板10之下；一第二窗户层186位于第一窗户层182之下，以及一布拉格反射层184位于第一窗户层182与第二窗户层186之间，其中布拉格反射层184具有多个次层。如图1所不，第一窗户层182与第二窗户层186中至少其一可提升光摘出效率，以及以剖面观之，具有与基板10大致相等的宽度。然而另一实施例中，自剖面观之，第一窗户层182也可具有大于或小于第二窗户层186的宽度，用以调整发光元件I的光场以符合产品应用。布拉格反射层184可反射产生自发光叠层12之光。基本上布拉格反射层184具有数个具有不同折射率的材料对，其中折射率的差异至少为0.5,较佳至少为I。表1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包含：基板；发光叠层，位于该基板之上；第一窗户层，位于该基板之下；以及布拉格反射层，位于该第一窗户层之下；其中以剖面观之，该第一窗户层的宽度大致与该基板的宽度相等。

【技术特征摘要】
2012.07.13 US 61/671,5021.一种发光元件,包含: 基板； 发光叠层，位于该基板之上； 第一窗户层，位于该基板之下；以及 布拉格反射层，位于该第一窗户层之下； 其中以剖面观之，该第一窗户层的宽度大致与该基板的宽度相等。2.如权利要求1所述的发光兀件，其中该第一窗户层的厚度介于450纳米与550纳米。3.如权利要求1所述的发光兀件，其中该第一窗户层相对于该布拉格反射层的厚度比值介于0.3与1.1。4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一窗户层的厚度以关系式d=mU/4n)表示，其中d是厚度，λ是被布拉格反射结构反射之光的波长，η是该第一窗户层的折射率，m是介于3与7。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱柏顺，郭得山，涂均祥，柯竣腾，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：