具有布拉格反射结构的四元系LED芯片制造技术

本发明专利技术提供一种具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，至少包括半导体衬底、布拉格反射结构、发光外延结构、窗口层、透明导电层、第一电极、以及第二电极，其中，所述布拉格反射结构包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，可对部分射向衬底的光中至少两个波段的光同时进行反射，从而扩大了LED芯片中布拉格反射结构的反射波长的频宽，使布拉格反射结构的反射效率有所提高，进而提升LED芯片的內部量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种LED芯片，特别是涉及ー种具有反射结构的LED芯片。
技术介绍
LED (Light Emitting Diode)芯片，也称为LED发光芯片，是LED灯的核心组件，是ー种固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能。LED芯片中位于衬底之上的发光结构主要由两部分組成，一部分是P型半导体，空穴占为多数载流子，另一部分是N型半导体，电子为多数载流子，两种半导体连接起来时，形成P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P-N结合区(如量子阱区)电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED芯片发光的原理，其中，发出光的顔色依赖于光波长，且由形成P-N结的材料決定的。LED在生产过程中不要添加“汞”，也不需要充气，不需要玻璃外売，抗冲击性好，抗震性好，不易破碎，便于运输，非常环保，被称为“绿色能源”。 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。随着半导体科技的进步，现今的LED芯片已具备了高亮度的输出，加上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于，所述LED芯片至少包括：半导体衬底；布拉格反射结构，位于所述半导体衬底上表面，包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，各该布拉格反射层包括至少两个双层薄膜，且同一布拉格反射层中的双层薄膜呈周期性排列，各该双层薄膜包括第一间接能隙材料层和第二间接能隙材料层，其中，所述第二间接能隙材料层的折射率大于第一间接能隙材料层的折射率；发光外延结构，位于所述布拉格反射结构上表面，由上至下依次包括第一导电类型外延层、有源层、及第二导电类型外延层；窗口层，形成于所述发光外延结构上表面；透明导电层，形成于所述窗口层上表面；第一电极，形成于所述透明导电层上表...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林志远，蔡正文，刘勇志，沈秉非，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：